显示装置、阵列基板及其制造方法制造方法及图纸

本公开提供一种阵列基板的制造方法，所述制造方法包括：形成薄膜晶体管和外围电路；形成至少覆盖薄膜晶体管以及外围电路的钝化层；形成贯穿钝化层且暴露出部分薄膜晶体管的漏极的第一过孔，以及贯穿钝化层且暴露出部分外围电路的第二过孔；在钝化层上形成包括第一导电层的图形，第一导电层覆盖第一过孔和第二过孔；在第一导电层上形成包括反射金属层的图形和包括第二导电层的图形，第二导电层覆盖第二过孔。

Display device, array substrate and manufacturing method thereof

The invention provides a method for manufacturing an array substrate and the manufacturing method includes: forming a thin film transistor and a peripheral circuit; the formation of thin film transistor and a passivation layer covering at least the peripheral circuit; formed through the passivation layer and exposes part of thin film transistor drain first vias, and through the passivation layer and exposes the peripheral circuit the second through holes; includes a first conductive layer pattern is formed on the passivation layer, the first conductive layer covers the first through holes and second holes; including a metal reflective layer, graphics and graphics including the second conductive layer is formed on the first conductive layer and second conductive layer covers the second hole.

【技术实现步骤摘要】
显示装置、阵列基板及其制造方法
本公开涉及显示
，具体而言，涉及一种显示装置、阵列基板及阵列基板的制造方法。
技术介绍
目前，在显示装置领域，薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD)因其具有体积小、功耗低等特点，获得了广泛的应用。透射式液晶显示器和反射式液晶显示器是常见的两种类型，其中，反射式液晶显示器可对进入其内部的光线进行反射，以此作为显示图像所需的光源实现显示功能，从而可省去专门的背光源，有利于降低功耗。现有的反射式液晶显示器通常包括阵列基板，阵列基板包括衬底基板、薄膜晶体管、外围电路和多个过孔等，且在显示区域还覆盖有用于反光的反射层。现有阵列基板的反射层通常会覆盖过孔露出的金属，例如漏极金属等，但现有现有阵列基板容易出现过孔处接触不良。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种显示装置、阵列基板及阵列基板的制造方法，进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或者多个问题。根据本公开的一个方面，提供一种阵列基板的制造方法，包括：形成薄膜晶体管和外围电路；形成至少覆盖所述薄膜晶体管以及所述外围电路的钝化层；形成贯穿所述钝化层且暴露部分所述薄膜晶体管的漏极的第一过孔，以及贯穿所述钝化层且暴露部分所述外围电路的第二过孔；在所述钝化层上形成包括第一导电层的图形，所述第一导电层覆盖所述第一过孔和第二过孔；在所述第一导电层上形成包括反射金属层的图形和包括第二导电层的图形，所述第二导电层覆盖所述第二过孔。在本公开的一种示例性实施例中，形成所述包括第一导电层的图形、所述包括第二导电层的图形和所述包括反射金属层的图形包括：在所述钝化层上形成第一导电膜；在所述第一导电膜上形成反射金属膜；对所述反射金属膜进行构图工艺，形成包括反射金属层的图形；形成至少覆盖所述反射金属层和所述第一导电膜的第二导电膜；对所述第一导电膜和所述第二导电膜进行构图工艺，以保留被所述反射金属层覆盖的所述第一导电膜，以及覆盖所述第二过孔的所述第一导电膜和所述第二导电膜。在本公开的一种示例性实施例中，对所述第一导电膜和所述第二导电膜进行构图工艺包括：对所述第二导电膜进行构图工艺，去除未覆盖所述第二过孔的所述第二导电膜；对所述第一导电膜进行构图工艺，去除未被所述反射金属层覆盖且未覆盖所述第二过孔的所述第一导电膜。在本公开的一种示例性实施例中，所述第一导电层穿过所述第一过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接，所述第一导电层穿过所述第二过孔与所述外围电路的公共焊盘连接。在本公开的一种示例性实施例中，所述第一导电层和所述第二导电层的材质相同。在本公开的一种示例性实施例中，所述第一导电层和所述第二导电层均为透明导电材料。根据本公开的一个方面，提供一种阵列基板，包括：衬底基板；薄膜晶体管，设于所述衬底基板上；外围电路，设于所述衬底基板上；钝化层，至少覆盖所述薄膜晶体管和所述外围电路；第一过孔，贯穿所述钝化层并暴露部分所述薄膜晶体管的漏极；第二过孔，贯穿所述钝化层并暴露部分所述外围电路；第一导电图案，设于所述钝化层上并覆盖所述第一过孔；第二导电图案，设于所述钝化层上并覆盖所述第二过孔，且所述第二导电图案的厚度大于所述第一导电图案的厚度；反射金属层图案，覆盖于所述第一导电图案上。在本公开的一种示例性实施例中，所述第一导电图案和所述第二导电图案的材质相同。在本公开的一种示例性实施例中，所述第一导电图案和所述第二导电图案均为透明导电材料。在本公开的一种示例性实施例中，所述第一导电图案穿过所述第一过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接，所述第二导电图案穿过所述第二过孔与所述外围电路的公共焊盘连接。根据本公开的一个方面，提供一种显示装置，包括上述任意一项所述的阵列基板。本公开的阵列基板的制造方法，在形成反射金属层时，可通过第一导电层对第一过孔和第二过孔露出的金属进行保护，防止出现对第一过孔和第二过孔露出的金属的刻蚀；同时，由于在第一导电层上还形成了第二导电层，且第二导电层在第一导电层的基础上进一步覆盖第二过孔，使得即使第二过孔的爬坡处的第一导电层被刻蚀，也可通过第二导电层保证第二过孔的接触良好。由此，可防止因形成反射金属层而造成第一过孔和第二过孔的接触不良，有利于提高良品率。本公开的阵列基板及显示装置，可采用上述的阵列基板的制造方法制造，可通过第一导电图案对第一过孔进行保护，防止在形成反射金属层图案时对第一过孔露出的金属的刻蚀；通过第二导电图案对第二过孔进行保护，防止在形成反射金属层图案时对第二过孔露出的金属及第二过孔的爬坡处的刻蚀。由此，可防止因形成反射金属层图案而造成第一过孔和第二过孔的接触不良，有利于提高良品率。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本公开阵列基板的制造方法的流程图。图2为本公开阵列基板的制造方法中形成包括第一导电层的图形、包括第二导电层的图形和包括反射金属层的图形的流程图。图3为图1中步骤S110对应的结构示意图。图4为图1中步骤S120对应的结构示意图。图5为图1中步骤S130对应的结构示意图。图6为图2中步骤S161对应的结构示意图。图7为图2中步骤S162对应的结构示意图。图8为图2中步骤S163对应的结构示意图。图9为图2中步骤S164对应的结构示意图。图10为图2中步骤S165对应的结构示意图一。图11为图2中步骤S165对应的结构示意图二。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而省略所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知技术方案以避免喧宾夺主而使得本公开的各方面变得模糊。虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”、“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。用语“一个”、“一”、“该”和“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：形成薄膜晶体管和外围电路；形成至少覆盖所述薄膜晶体管以及所述外围电路的钝化层；形成贯穿所述钝化层且暴露出部分所述薄膜晶体管的漏极的第一过孔，以及贯穿所述钝化层且暴露出部分所述外围电路的第二过孔；在所述钝化层上形成包括第一导电层的图形，所述第一导电层覆盖所述第一过孔和第二过孔；在所述第一导电层上形成包括反射金属层的图形和包括第二导电层的图形，所述第二导电层覆盖所述第二过孔。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：形成薄膜晶体管和外围电路；形成至少覆盖所述薄膜晶体管以及所述外围电路的钝化层；形成贯穿所述钝化层且暴露出部分所述薄膜晶体管的漏极的第一过孔，以及贯穿所述钝化层且暴露出部分所述外围电路的第二过孔；在所述钝化层上形成包括第一导电层的图形，所述第一导电层覆盖所述第一过孔和第二过孔；在所述第一导电层上形成包括反射金属层的图形和包括第二导电层的图形，所述第二导电层覆盖所述第二过孔。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，形成所述包括第一导电层的图形、所述包括第二导电层的图形和所述包括反射金属层的图形包括：在所述钝化层上形成第一导电膜；在所述第一导电膜上形成反射金属膜；对所述反射金属膜进行构图工艺，形成包括反射金属层的图形；形成至少覆盖所述反射金属层和所述第一导电膜的第二导电膜；对所述第一导电膜和所述第二导电膜进行构图工艺，以保留被所述反射金属层覆盖的所述第一导电膜，以及覆盖所述第二过孔的所述第一导电膜和所述第二导电膜。3.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，对所述第一导电膜和所述第二导电膜进行构图工艺包括：对所述第二导电膜进行构图工艺，去除未覆盖所述第二过孔的所述第二导电膜；对所述第一导电膜进行构图工艺，去除未被所述反射金属层覆盖且未覆盖所述第二过孔的所述第一导电膜。4.根据权利要求1～3任一项所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：白金超，韩笑，桑琦，郭会斌，宋勇志，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11