The invention discloses a method for manufacturing a single chip LED, first of all to the mold cavity in injection of reflective layer material, reflective layer material distribution in the surrounding mold cavity, the reflective layer corresponding to the Moren position after curing the blank, the reflection layer is transferred to the film after the blank LED chip set, and then wrapped in fluorescent glue chip, fluorescent glue curing after cutting and removing redundant reflection layer. First make the reflection layer by adopting the method, method of fluorescent glue after injection, completely avoid the overflow to the surface layer of fluorescent reflective layer and pollution fluorescent glue affect the optical properties of LED product, in which the optical performance of the devices at the same time, reduce production cost, simplifies the process, reduces the operation difficulty, to improve production efficiency. At the same time, the fluorescent glue is injected at the blank space in the middle of the reflecting layer, and the process of cutting the fluorescent glue is reduced, and the excess reflection layer is only needed to be removed at last, so as to further improve the production efficiency and reduce the production cost.
【技术实现步骤摘要】
一种单面发光芯片级LED的制作方法
本专利技术属于LED生产
,涉及一种芯片级LED的制作方法,具体地说涉及一种单面发光芯片级LED的制作方法。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode,发光二极管)是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件,它可以直接把电能转化为光能。LED作为一种新的照明光源材料被广泛应用着。白光LED作为一种新型光源,因具有反应速度快、抗震性好、寿命长、节能环保等优点而快速发展、目前已被广泛应用于景观美化及室内外照明等领域。传统的LED封装结构均需采用支架或者基板作为LED芯片的支撑体,支架或者基板都有正负极,通过金属线实现正负极电气连通,然后再用胶体或者荧光粉与胶体混合物对芯片进行封装,此封装结构优点是具有高反射率的封装腔体,缺点是采用金属线键合工艺,可靠性低;具有基板,整体结构热阻大,降低了芯片的使用寿命。近些年逐渐发展出基于倒装芯片的芯片级封装LED(CSPLED;ChipScalePackageLED),其是一种在底面设有电极,且直接在芯片的上表面和侧面封装封装胶体,使底面的电极外露(如图1所示),由于这种封装结构无支架或基板,在相同面积下,芯片级光源的封装密度增加了16倍,最终得到的封装结构体积可比传统结构缩小80%,降低了封装成本,提高了装配可靠性。但是上述基于倒装芯片的芯片级封装LED结构存在发光角度大、不利于二次光学设计、光的萃取率偏低的问题。为了解决上述问题,研发人员在常规芯片级封装LED结构的基础上在芯片的表面和侧面封装具有高反射性的反射层(如图2所示),侧壁的反射层与芯片表面的反射层呈9 ...
【技术保护点】
一种单面发光芯片级LED的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、提供一模具,所述模具具有型腔和按照规律分布于所述型腔内的模仁;S2、向所述模腔中注入反射层原料,并烘烤使反射层原料固化,得到反射层,所述反射层对应于所述模仁的位置为空白处;S3、将反射层转移至胶膜层;S4、在所述反射层中的空白处设置LED芯片;S5、向设置有LED芯片的空白处注入荧光胶,并烘烤使荧光胶固化;S6、切割去除LED芯片间多余的反射层。
【技术特征摘要】
1.一种单面发光芯片级LED的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、提供一模具,所述模具具有型腔和按照规律分布于所述型腔内的模仁;S2、向所述模腔中注入反射层原料,并烘烤使反射层原料固化,得到反射层,所述反射层对应于所述模仁的位置为空白处;S3、将反射层转移至胶膜层;S4、在所述反射层中的空白处设置LED芯片;S5、向设置有LED芯片的空白处注入荧光胶,并烘烤使荧光胶固化;S6、切割去除LED芯片间多余的反射层。2.根据权利要求1所述的单面发光芯片级LED的制作方法,其特征在于,所述步骤S6后还包括烘烤分离胶膜层与反射层的步骤。3.根据权利要求2所述的单面发光芯片级LED的制作方法,其特征在于,所述模仁的截面图形为矩形,相邻两个模仁之间的间距为0.01-1000mm。4.根据权利要求3所述的单面发光芯片级LED的制作方法,其特征在于,所述步骤S2、S5中...
【专利技术属性】
技术研发人员:龚涛,张志宽,
申请(专利权)人:芜湖聚飞光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽,34
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