全光谱LED器件及LED设备制造技术

本实用新型专利技术涉及一种全光谱LED器件及LED设备，通过设置峰值波长在415nm至470nm内的至少三个LED芯片单元，各LED芯片单元电连接，各LED芯片单元包括的LED芯片数量相同，且设置这至少三个LED芯片单元的峰值波长各不相同，实现平衡蓝光能量的分布；再通过这至少三个LED芯片单元与荧光胶中荧光粉之间的光谱耦合，能降低全光谱LED器件在光谱中的蓝光峰值，改善全光谱LED器件光谱的连续性，提升全光谱LED器件与自然光的相似度，使之更大限度的趋近于自然光，得到更好的色彩效果。得到更好的色彩效果。得到更好的色彩效果。

【技术实现步骤摘要】
全光谱LED器件及LED设备


[0001]本技术涉及LED(l ight
‑
emitt i ng d iode，发光二极管)领域，尤其涉及一种全光谱LED器件及LED设备。

技术介绍

[0002]国际上规定了15种标准色样用于计算光源显色指数R1至R15，标准光源的15种显色指数R1至R15均为100，通常将R1至R8的平均值定义为一般显色指数(Ra)，但其他显色指数R9至R15对于评价相对应色彩的还原性同样非常重要。行业中将光源的一般显色指数Ra大于95，且R1至R15均大于90的光源称为全光谱光源。目前的全光谱LED光源一味追求显指Ra及R9参数，而忽视光谱的连续性和与自然光光谱的相似度。导致现有的全光谱LED光源存在光谱的连续性较差，蓝光峰值较高，与自然光的相似度差。

技术实现思路

[0003]鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种全光谱LED器件及LED设备，旨在解决现有全光谱LED器件存在光谱的连续性较差，蓝光峰值较高，与自然光的相似度差的问题。
[0004]为了解决上述技术问题，本申请提供了一种全光谱LED器件，包括峰值波长为415nm至470nm的LED芯片以及混合有荧光粉的荧光胶；所述LED芯片包括至少三个峰值波长在所述415nm至470nm内的LED芯片单元，各所述LED芯片单元包括的LED芯片数量相同，各所述LED芯片单元电连接且各所述LED芯片单元的峰值波长范围不同；所述荧光胶将各所述LED芯片单元覆盖。
[0005]在本申请的一些实施例中，所述LED芯片包括峰值波长为430nm至440nm的第一LED芯片单元，峰值波长为445nm至455nm的第二LED芯片单元，峰值波长为455nm至465nm的第三LED芯片单元。
[0006]在本申请的一些实施例中，所述第二LED芯片单元和所述第三LED芯片单元的半波宽为10nm至20nm，所述第一LED芯片单元的半波宽为15nm至25nm。
[0007]在本申请的一些实施例中，所述第三LED芯片单元中的LED芯片的尺寸，小于所述第一LED芯片单元和所述第二LED芯片单元中的LED芯片的尺寸。
[0008]在本申请的一些实施例中，所述第三LED芯片单元位于所述第一LED芯片单元和所述第二LED芯片单元之间，所述第一LED芯片单元、所述第三LED芯片单元、所述第二LED芯片单元依次设置。
[0009]在本申请的一些实施例中，所述LED芯片包括峰值波长为415nm至425nm的第四LED芯片单元，峰值波长为430nm至440nm的第五LED芯片单元，峰值波长为445nm至455nm的第六LED芯片单元，峰值波长为460nm至470nm的第七LED芯片单元。
[0010]在本申请的一些实施例中，所述第五LED芯片单元、所述第六LED芯片单元和所述第七LED芯片单元的半波宽为10nm至20nm，所述第四LED芯片单元的半波宽为15nm至25nm。
[0011]在本申请的一些实施例中，各所述LED芯片单元均为一颗LED芯片；或，各LED芯片单元均包括至少两颗LED芯片。
[0012]在本申请的一些实施例中，各所述LED芯片呈行和/或列排列，或呈交错排布，或呈旋转对称排布，或呈品字型排布。
[0013]在本申请的一些实施例中，所述全光谱LED器件还包括基板，各所述LED芯片单元设于所述基板的正面上，所述荧光胶设于所述基板上将各所述LED芯片单元覆盖。
[0014]在本申请的一些实施例中，所述全光谱LED器件还包括基座，所述基座设有容纳腔，各所述LED芯片单元设于所述容纳腔的底部，所述荧光胶的至少一部分设于所述容纳腔内将各所述LED芯片单元覆盖。
[0015]基于同样的专利技术构思，本申请还提供了一种LED设备，包括设备主体，以及至少一个如上所述的全光谱LED器件，所述全光谱LED器件设于所述设备主体上。
[0016]有益效果
[0017]本申请提供了一种全光谱LED器件及LED设备，通过设置峰值波长在415nm至470nm内的至少三个LED芯片单元，各LED芯片单元电连接，各LED芯片单元包括的LED芯片数量相同，且设置这至少三个LED芯片单元的峰值波长各不相同，实现平衡蓝光能量的分布；再通过这至少三个LED芯片单元与荧光胶中荧光粉之间的光谱耦合，能降低全光谱LED器件在光谱中的蓝光峰值，改善全光谱LED器件光谱的连续性，提升全光谱LED器件与自然光的相似度，使之更大限度的趋近于自然光，得到更好的色彩效果。
附图说明
[0018]图1
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1为本技术实施例提供的全光谱LED器件结构示意图一；
[0019]图1
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2为本技术实施例提供的全光谱LED器件结构示意图二；
[0020]图1
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3为本技术实施例提供的全光谱LED器件结构示意图三；
[0021]图1
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4为本技术实施例提供的全光谱LED器件结构示意图四；
[0022]图2
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1为本技术实施例提供的全光谱LED器件结构示意图五；
[0023]图2
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2为本技术实施例提供的全光谱LED器件结构示意图六；
[0024]图2
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3为本技术实施例提供的全光谱LED器件结构示意图七；
[0025]图2
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4为本技术实施例提供的全光谱LED器件结构示意图八；
[0026]图3
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1为本技术实施例提供的常规Ra90光源的光谱示意图；
[0027]图3
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2为本技术实施例提供的现有主流光源的光谱示意图；
[0028]图4
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1为本技术实施例提供的LED芯片组合后的光谱示意图；
[0029]图4
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2为本技术实施例提供的全光谱LED器件在5000K色温下的光谱示意图；
[0030]图4
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3为本技术实施例提供的全光谱LED器件的Rf
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Rg示意图；
[0031]图4
‑
4为本技术实施例提供的Rf色调示意图；
[0032]图4
‑
5为本技术实施例提供的现有全光谱LED器件的色彩矢量示意图；
[0033]图4
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6为本技术实施例提供的全光谱LED器件的色彩矢量示意图；
[0034]图4
‑
7为本技术实施例提供的全光谱LED器件的光谱对比示意图；
[0035]图4
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8为本技术实施例提供的全光谱LED器件在1700K色温下的光谱示意图；
[0036]图4
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9为本技术实施例提供的全光谱LED器件在2700K色温下的光谱示意图；...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种全光谱LED器件，其特征在于，包括峰值波长为415nm至470nm的LED芯片以及混合有荧光粉的荧光胶；所述LED芯片包括至少三个峰值波长在所述415nm至470nm内的LED芯片单元，各所述LED芯片单元包括的LED芯片数量相同，各所述LED芯片单元电连接且各所述LED芯片单元的峰值波长范围不同；所述荧光胶将各所述LED芯片单元覆盖。2.如权利要求1所述的全光谱LED器件，其特征在于，所述LED芯片包括峰值波长为430nm至440nm的第一LED芯片单元，峰值波长为445nm至455nm的第二LED芯片单元，峰值波长为455nm至465nm的第三LED芯片单元。3.如权利要求2所述的全光谱LED器件，其特征在于，所述第二LED芯片单元和所述第三LED芯片单元的半波宽为10nm至20nm，所述第一LED芯片单元的半波宽为15nm至25nm。4.如权利要求2所述的全光谱LED器件，其特征在于，所述第三LED芯片单元中的LED芯片的尺寸，小于所述第一LED芯片单元和所述第二LED芯片单元中的LED芯片的尺寸。5.如权利要求4所述的全光谱LED器件，其特征在于，所述第三LED芯片单元位于所述第一LED芯片单元和所述第二LED芯片单元之间，所述第一LED芯片单元、第三LED芯片单元、所述第二LED芯片单元依次设置。6.如权利要求1所述的全光谱LED器件，其特征在于，所述LED芯片包括峰值波长为415nm至425nm的第四LED芯片单元，峰值波长为430nm至440nm的第五L...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯有谱，刘会萍，李运华，孙平如，谭青青，
申请(专利权)人：芜湖聚飞光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：