A substrate processing apparatus and a substrate processing method are disclosed. The substrate processing device comprises: emissivity setting section is input at the interface of radiation from the chemical liquid phase or in contact with the substrate from the substrate and the chemical liquid phase contact radiation rate; radiation energy input of the input radiation energy from chemical liquid or at the interface of the Department of radiation; calculation and calculation. The temperature calculation of chemical liquid or interface according to the energy radiation rate.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置及基板处理方法
本专利技术涉及一种基板处理装置及基板处理方法,尤其涉及一种直接测量化学液或化学液与基板相接触的交界面的计算温度,从而能够使基于化学液的基板处理温度最佳化的基板处理装置及基板处理方法。
技术介绍
通常,湿式工序是指使化学液(liquidchemical)与诸如硅晶圆等基板接触而对基板的表面执行蚀刻或清洁等处理的工序。具体地,湿式工序可包括蚀刻工序,使化学液与基板接触而在基板上形成薄膜(thinfilm)或膜层(layer)。此外,湿式工序可包括清洁工序,清洁化学液与基板接触而形成于基板上的薄膜或膜层或者清除形成于基板上的污染物(contamination)等。另外,随着在半导体领域中半导体组件的集成度的提升,形成于基板上的图案已经微缩至几十纳米的程度,由此,蚀刻工序与清洁工序的重要性不断提高。因此,实际情况是,基于高产性而维持了几十年的批次型(batchtype)湿式工序中的一部分正在被单一晶圆型湿式工序所取代。然而,由于现有湿式工序很难准确地测量化学液和基板的温度,以及很难维持化学液和基板的温度为设定温度,因此存在有难以确保基板处理的均匀性的问题。所以,需要改善上述问题。本专利技术的
技术介绍
公开于韩国登录专利公报第10-1037179号(于2011年5月19日注册,专利技术名称:基板处理装置中的温度控制器的误动作查找装置及方法)。
技术实现思路
要解决的技术问题本专利技术为了解决上述问题而提出,其目的在于提供一种直接测量在使用化学液而处理基板的表面的单一晶圆型湿式蚀刻或清洁等基板处理工序中与基板相接触的化学液的计算温度或化学液与基板 ...
【技术保护点】
一种基板处理装置,其特征在于,包括:放射率设定部,被输入自与基板相接触的化学液或从所述基板与所述化学液相接触的交界面处放射的放射率;辐射能量输入部,被输入自化学液或交界面处放射的辐射能量;以及计算部,根据所述放射率与所述辐射能量而计算所述化学液或所述交界面的计算温度。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理装置,其特征在于,包括:放射率设定部,被输入自与基板相接触的化学液或从所述基板与所述化学液相接触的交界面处放射的放射率;辐射能量输入部,被输入自化学液或交界面处放射的辐射能量;以及计算部,根据所述放射率与所述辐射能量而计算所述化学液或所述交界面的计算温度。2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述基板处理装置还包括腔室,所述腔室包括:工作台,以能够旋转的方式设置;托架,在所述工作台上分开支承所述基板;以及喷嘴,向所述基板供应所述化学液。3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,所述喷嘴分离设置于所述基板的下侧。4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述计算部使用根据下式3计算的绝对温度而计算所述计算温度,[式3]其中,C1=2πhc2=3.74×10-16W/m2,E(λ,T)是输入至所述辐射能量输入部的辐射能量,λ是根据所述辐射能量输入部而预先设定的红外线波长,ε是所述化学液或所述交界面的放射率,T是绝对温度,h是普郎克常数(plankconstant),c是光速,k是波兹曼常数(Boltzmannconstant)。5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,由所述辐射能量部、所述放射率设定部及所述计算部构成放射温度计(Pyrometer),以便测量所述计算温度,所述放射温度计设置于安装部,所述安装部分离设置于所述基板的上侧。6.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述基板处理装置还包括保护部,所述保护部包围保护所述辐射能量输入部。7.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述辐射能量输入部在以所述基板为基准的、与所述交界面相反一侧,与所述基板分离设置。8.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,所述基板处理装置还包括控制部,所述控制部对为了蚀刻或清洁所述基板而预先设定的工序温度与所述计算温度进行比较。9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其特征在于,所述基板处理装置还包括加热器,所述加热器分离设置于所述基板的上侧,...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑光逸,李炳垂,柳柱馨,
申请(专利权)人:杰宜斯科技有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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