本发明专利技术的课题在于提供一种受运搬时等的冲击仍不会产生切痕或破裂，在将粘接剂层加工成规定大小的预切工序中，即使拉伸仍不会破裂的加工性优异的半导体加工用带。本发明专利技术的半导体加工用带(10)，其特征在于，层压有粘接剂层(13)和粘合片(15)，且所述粘接剂层(13)在根据JIS K7128‑3所规定的直角形试验法下的撕裂强度(A)为0.8MPa以上，在‑15℃下JIS K7128‑3所规定的直角形试验法下的撕裂强度(C)为0.8MPa以下。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体加工用带及使用此所制造的半导体装置
本专利技术涉及一种能扩展的半导体加工用带，及使用此半导体加工用带所制造的半导体装置；该半导体加工用带在将半导体晶圆分割成小片状元件的切割(dicing)工序中，能利用于固定半导体晶圆，并且在粘接切割后的小片与小片之间或小片与基板之间的小片接合(diebonding)工序或安装(mounting)工序中也能利用，且同时能利用在通过扩展(expanding)而沿着小片分割粘接剂层的工序中。
技术介绍
过往，在集成电路(IC：IntegratedCircuit)等的半导体装置的制造工序中，实施为了膜化电路图案形成后的晶圆而研削晶圆背面的背面研磨(backgrinding)工序；在晶圆背面贴上具有粘合性及伸缩性的半导体加工用带后，将晶圆分割成小片单元的切割工序；扩张(扩展)半导体加工用带的扩展(expanding)工序、拾取经分割的小片的拾取工序；再将经拾取的小片粘接于引线框架或封装基板等(或在堆叠封装(stackedpackage)中将小片彼此层叠、粘接)的小片结合(安装)工序。在上述背面研磨工序中，为了保护晶圆的电路图案形成面(晶圆表面)免于污染，而会使用表面保护带。晶圆的背面研削结束后，从晶圆表面将此表面保护带予以剥离的时候，将以下所述的半导体加工用带(切割·小片结合带)贴合于晶圆背面后，将半导体加工用带侧固定在吸附桌(suctiontable)上，对表面保护带施以对晶圆的粘接力降低的处理后，剥离表面保护带。表面保护带受到剥离的晶圆，其后在背面贴合有晶圆的状态下，从吸附桌取起而提供至其后的切割工序。需要说明的是，上述的使粘接力降低的处理是指当表面保护带由紫外线等的能量线固化性成分所构成时，则为能量线照射处理，而当表面保护带由热固化性成分所构成时，则为加热处理。上述背面研磨工序后的切割工序至安装工序中，使用在基材膜上依粘合剂层与粘接剂层的顺序层叠而成的半导体加工用带。一般而言，在使用此种半导体加工用带时，首先，在晶圆的背面贴合半导体加工用带的粘接剂层而固定晶圆，使用切割刀将晶圆及粘接剂层切割成小片单元。其后，实施使带向晶圆的直径方向进行扩张，而拉开小片彼此间隔的扩展工序。此扩展工序是为了在其后的拾取工序中提高通过CCD照相机等的对于小片的认识性，并且在拾取小片时防止邻接的小片因彼此接触而产生的小片破损所实施者。其后，小片在拾取工序中与粘接剂层一同地从粘合剂层剥离后被拾取，在安装工序中，直接地粘接于引线框架或封装基板等上。因此，通过使用半导体加工用带，由于变得能将附粘接剂层的小片直接地粘接于引线框架或封装基板等上，故能省略粘接剂的涂布工序或另外的将各小片粘接于小片结合膜上的工序。然而，在上述切割工序中，如上所述，由于使用切割刀将晶圆与粘接剂层一同地进行切割，故不仅产生晶圆的切削屑，也会产生粘接剂层的切削屑。并且，还有粘接剂层的切削屑堵塞在晶圆切割沟时，小片彼此粘附而导致产生拾取不良等，半导体装置的制造成品率产生降低的问题。为了解决此种问题，已提出在切割工序中通过刀仅切割晶圆，且在扩展工序中通过扩张半导体加工用带，而粘接剂层分割成各个小片的方法(例如，专利文献1)。根据此种利用扩张时的张力而分割粘接剂层的分割方法，不会产生粘接剂的切削屑，在拾取工序中也不会有不良影响。另外，近年来，作为晶圆的切割方法，已提出有使用激光加工装置，以非接触的形式切割晶圆，即所谓的隐形切割法。例如，专利文献2中，作为隐形切割法，公开一种半导体基板的切割方法，其具有：通过对介于粘接剂层(小片接合树脂层)之间贴附有片的半导体基板的内部聚集焦点光且照射激光光，而在导体基板的内部形成因多光子吸收所成的改质区域，并将此改质区域制成切割预定部的工序；通过使片扩张，而沿着切割预定部切割半导体基板及粘接剂层的工序。另外，作为使用激光加工装置的其他晶圆切割方法，例如，专利文献3提出一种晶圆的分割方法，其包括：在晶圆背面装上小片结合用的粘接剂层(粘接膜)的工序；在已贴合该粘接剂层的晶圆粘接剂层侧上贴合能伸长的保护粘合片的工序；从已贴合保护粘合片的晶圆表面，沿着切线照射激光光线而分割成各个小片的工序；扩张保护粘合片而赋予粘接剂层拉伸力，将粘接剂层切断成各小片的工序；使已切断的粘接剂层上所贴合的小片从保护粘合片分割的工序。这些专利文献2及专利文献3记载的晶圆切割方法，由于通过照射激光光及扩张带，以非接触的形式切割晶圆，故对晶圆的物理性负荷小，不会产生在实施现在主流的刀切割时的晶圆切削屑(chipping)，即能切割晶圆。另外，由于通过扩张而分割粘接剂层，故也不会产生粘接剂层的切削屑。因此，该技术是饱受瞩目作为能取代刀切割的优异技术。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-5530号公报专利文献2：日本特开2003-338467号公报专利文献3：日本特开2004-273895号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题如上述专利文献1～3所记载，通过扩展进行扩张而分割粘接剂层的方法中，为了提升粘接剂层的分割性，则会有在如0℃或-15℃般的低温下进行扩张工序，且其后的拾取工序、安装工序成为在常温下进行操作的情况。然而，若试图提升低温下粘接剂层的分割性时，常温下的分割性也提上升促使导致变脆。因此，在受到运搬时等的冲击下，则变得容易出现切痕或破裂，又即使无切痕或破裂，在将粘接剂层加工成规定大小的预切(precut)工序的时候若进行拉伸时，则有导致粘接剂层会简单地破裂的问题。因此，本专利技术的课题在于提供一种半导体加工用带，其受到运搬时等的冲击仍不会产生切痕或破裂，另外，在将粘接剂层加工成规定大小的预切工序中，即使拉升仍不会破裂的加工性优异者。用于解决课题的手段为了解决以上的课题，本专利技术的半导体加工用带，其特征在于，层叠有粘接剂层和粘合片，且所述粘接剂层的根据JISK7128-3所规定的直角形试验法的撕裂强度(A)为0.8MPa以上。上述半导体加工用带的所述粘接剂层在所述直角形试验法下，所述粘接剂层在通过试验片的直角部的前端的中央线上，从所述直角部的前端切入长度1mm的切割部分时的撕裂强度(B)以0.5MPa以上为佳。另外，上述半导体加工用带的所述粘合片的拉伸率以200％以上为佳。另外，上述半导体加工用带中，将所述粘合片拉伸至拉伸率200％后，通过加热至120℃会变成120％以下为佳。另外，上述半导体加工用带的所述粘接剂层在-15℃下JISK7128-3所规定的直角形试验法下的撕裂强度(C)以0.8MPa以下为佳。另外，上述半导体加工用带以在通过扩展所述粘合片，而将贴合于所述粘接剂层上的晶圆及所述粘接剂层，或仅将所述粘接剂层分割成对应于各个小片上的用途上所使用者为佳。另外，为了解决以上的课题，本专利技术的半导体装置，其特征在于使用上述半导体加工用带而制造。专利技术效果根据本专利技术，由于粘接剂层在JISK7128-3所示的直角形型试验片的试验方法下无切入的撕裂强度(A)在0.8MPa以上，故能提供受到运搬时等的冲击仍不会产生切痕或破裂，另外，在将粘接剂层加工成规定大小的预切工序中，即使拉升仍不会破裂的加工性优异的半导体加工用带。附图说明图1是示意性地表示本专利技术的实施方式的半导体加工用带结构的剖面图。图2是表示在晶圆上贴合表面保护本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体加工用带，其特征在于，层叠有粘接剂层与粘合片，所述粘接剂层的根据JIS K7128‑3所规定的直角形试验法的撕裂强度(A)为0.8MPa以上、根据在‑15℃下JIS K7128‑3所规定的直角形试验法的撕裂强度(C)为0.8MPa以下。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.05 JP 2014-1817521.一种半导体加工用带，其特征在于，层叠有粘接剂层与粘合片，所述粘接剂层的根据JISK7128-3所规定的直角形试验法的撕裂强度(A)为0.8MPa以上、根据在-15℃下JISK7128-3所规定的直角形试验法的撕裂强度(C)为0.8MPa以下。2.根据权利要求1的半导体加工用带，其特征在于，就所述粘接剂层而言，在所述直角形试验法中，在通过试验片的直角部的前端的中央线上，从所述直角部的前端切入长度1mm的切割部分时的撕...
【专利技术属性】
技术研发人员：中村俊光，杉山二朗，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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