保护膜形成用复合片制造技术

本发明专利技术涉及一种保护膜形成用复合片，其具有粘合片、和叠层于粘合片的所述粘合剂层侧的保护膜形成膜，所述粘合片是粘合剂层叠层于基材的一面侧而形成的，其中，在对所述基材施加0.1g/mm的载荷并在130℃下加热2小时再冷却至23℃的情况下，所述基材在加热后相对于加热前在MD方向及CD方向的伸缩率均为95～103％，所述基材在23℃下的MD方向及CD方向的拉伸弹性模量均为100～700MPa。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及保护膜形成用复合片，所述保护膜形成用复合片粘接于半导体晶片等工件，能够在该状态下进行工件的加工(例如切割)，且能够在该工件或者在对该工件进行加工而得到的物体(例如半导体芯片)上形成保护膜。本申请基于2014年7月3日在日本提出的特愿2014-138087号、以及2015年6月25日在日本提出的特愿2015-127417号主张优先权，在此援引其内容。
技术介绍
近年来，使用被称为倒装方式的安装方法进行了半导体装置的制造。在该方法中，在安装具有形成了凸块等电极的电路面的半导体芯片时，将半导体芯片的电路面侧接合于引线框等芯片搭载部。由此，形成了未形成电路的半导体芯片背面侧露出的结构。因此，为了保护半导体芯片，大多在半导体芯片的背面侧形成由硬质的有机材料形成的保护膜。因此，专利文献1公开了一种保护膜形成兼切割用片，其具有能够形成上述保护膜的热固化性保护膜形成层。利用该保护膜形成兼切割用片，能够进行半导体晶片的切割及对半导体芯片进行保护膜形成这两者，可以得到带保护膜的半导体芯片。在使用上述保护膜形成兼切割用片时，将该片的边缘部粘贴于环状框，并将保护膜形成层粘贴于半导体晶片，在该本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种保护膜形成用复合片，其具有：粘合片，该粘合片是粘合剂层叠层于基材的一面侧而形成的；以及叠层于所述粘合片的所述粘合剂层侧的保护膜形成膜，其中，在对所述基材施加0.1g/mm的载荷并在130℃下加热2小时再冷却至23℃的情况下，所述基材在所述加热后相对于所述加热前在MD方向及CD方向的伸缩率均为95～103％，所述基材在23℃下的MD方向及CD方向的拉伸弹性模量均为100～700MPa。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.25 JP 2015-1274171.一种保护膜形成用复合片，其具有：粘合片，该粘合片是粘合剂层叠层于基材的一面侧而形成的；以及叠层于所述粘合片的所述粘合剂层侧的保护膜形成膜，其中，在对所述基材施加0.1g/mm的载荷并在130℃下加热2小时再冷却至23℃的情况下，所述基材在所述加热后相对于所述加热前在MD方向及CD方向的伸缩率均为95～103％，所述基材在23℃下的MD方向及CD方向的拉伸弹性模量均为100～700MPa。2.根据权利要求1所述的保护膜形成用复合片，...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐伯尚哉，米山裕之，山本大辅，小桥力也，稻男洋一，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP