保护膜形成用复合片制造技术

本发明专利技术涉及一种保护膜形成用复合片，其具有粘合片、和叠层于粘合片的所述粘合剂层侧的保护膜形成膜，所述粘合片是粘合剂层叠层于基材的一面侧而形成的，其中，在对所述基材施加0.1g/mm的载荷并在130℃下加热2小时再冷却至23℃的情况下，所述基材在加热后相对于加热前在MD方向及CD方向的伸缩率均为95～103％，所述基材在23℃下的MD方向及CD方向的拉伸弹性模量均为100～700MPa。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及保护膜形成用复合片，所述保护膜形成用复合片粘接于半导体晶片等工件，能够在该状态下进行工件的加工(例如切割)，且能够在该工件或者在对该工件进行加工而得到的物体(例如半导体芯片)上形成保护膜。本申请基于2014年7月3日在日本提出的特愿2014-138087号、以及2015年6月25日在日本提出的特愿2015-127417号主张优先权，在此援引其内容。
技术介绍
近年来，使用被称为倒装方式的安装方法进行了半导体装置的制造。在该方法中，在安装具有形成了凸块等电极的电路面的半导体芯片时，将半导体芯片的电路面侧接合于引线框等芯片搭载部。由此，形成了未形成电路的半导体芯片背面侧露出的结构。因此，为了保护半导体芯片，大多在半导体芯片的背面侧形成由硬质的有机材料形成的保护膜。因此，专利文献1公开了一种保护膜形成兼切割用片，其具有能够形成上述保护膜的热固化性保护膜形成层。利用该保护膜形成兼切割用片，能够进行半导体晶片的切割及对半导体芯片进行保护膜形成这两者，可以得到带保护膜的半导体芯片。在使用上述保护膜形成兼切割用片时，将该片的边缘部粘贴于环状框，并将保护膜形成层粘贴于半导体晶片，在该状态下进行加热工序，然后进行冷却工序。通过经过这些工序，保护膜形成层热固化而形成保护膜。但是，在使用以往的保护膜形成兼切割用片的情况下，在一边用环状框支撑保护膜形成兼切割用片，一边进行上述加热工序时，由于半导体晶片的重量而导致保护膜形成兼切割用片松弛，有时会发生即使经过冷却工序也不复原的问题。如果保护膜形成兼切割用片这样地发生松弛，则在输送时收纳于盒中时会发生不良情况、在吸附工作台的晶片对应部的外侧无法顺利地对片进行真空吸附而发生片上起皱等不良情况、或者在进行扩片时由于片已经伸长而发生不良情况。另外，在专利文献1中，作为保护膜形成兼切割用片，公开了保护膜形成层直接叠层于支撑膜上的结构(图1)。但是，如果支撑膜与保护膜形成层之间不存在粘合剂层，则支撑膜与保护膜形成层之间的粘接力过大，存在有时无法进行芯片的拾取的问题，反之，支撑膜与保护膜形成层之间的粘接力过小，有时存在切割中芯片发生脱落的问题。专利文献2公开了具有与专利文献1的保护膜形成兼切割用片相同结构的带保护膜形成层的切割片。该专利文献2虽然提到了热固化时的松弛，但并没有考虑到冷却工序中的复原。需要说明的是，专利文献3公开了一种分别使用了作为保护膜形成层的半导体背面用膜和切割胶带的半导体装置制造方法。在该专利文献3的方法中，在半导体背面用膜未固化的状态下进行切割并拾取芯片之后进行半导体背面用膜的热固化，因此不发生上述那样的松弛所带来的问题。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2006-140348号公报专利文献2：WO2013/047674号公报专利文献3：日本特开2012-156377号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术是鉴于上述实际情况而完成的，其目的在于提供一种保护膜形成用复合片，该保护膜形成用复合片能够有效地抑制经过加热工序及冷却工序后的片的松弛，而且能够良好地进行拾取。解决课题的方法为了实现上述目的，本专利技术包括以下方式。(1)提供一种保护膜形成用复合片，其具有粘合片、和叠层于所述粘合片的所述粘合剂层侧的保护膜形成膜，所述粘合片是粘合剂层叠层于基材的一面侧而形成的，其中，在对所述基材施加0.1g/mm的载荷并在130℃下加热2小时再冷却至23℃的情况下，所述基材在所述加热后相对于所述加热前在MD方向及CD方向的伸缩率均为95～103％，所述基材在23℃下的MD方向及CD方向的拉伸弹性模量均为100～700MPa。需要说明的是，在本说明书中，“片”包括胶带的概念。在本专利技术的一个方面，保护膜形成用复合片包含基材、粘合剂层和保护膜形成膜，其是所述基材、粘合剂层及保护膜形成膜依次叠层而成的，在对所述基材施加0.1g/mm的载荷并在130℃下加热2小时再冷却至23℃的情况下，所述基材在所述加热后相对于所述加热前在MD方向及CD方向的伸缩率均为95～103％，所述基材在23℃下的MD方向及CD方向的拉伸弹性模量均为100～700MPa。在本专利技术的其它方面，粘合片是所述粘合剂层叠层于所述基材的一面而成的叠层体。根据(1)的方式，通过使基材具有与上述伸缩率相关的物性，能够有效地抑制经过加热工序及冷却工序产生的保护膜形成用复合片的松弛效果。另外，通过使基材具有与上述拉伸弹性模量相关的物性，粘合片具有适度的柔软性，能够良好地进行切割后的扩片(需要的情况下)及拾取。(2)在(1)的方式中，优选所述基材为聚丙烯膜。(3)在(1)或(2)的方式中，优选所述基材的厚度为50～200μm。(4)在(1)～(3)的任一种方式中，优选所述保护膜形成用复合片具备夹具用粘合剂层，该夹具用粘合剂层叠层于所述保护膜形成膜的与所述粘合片侧相反侧的边缘部。(5)在(1)～(4)的任一种方式中，优选具备叠层于所述保护膜形成膜的剥离片。(6)在(1)～(5)的任一种方式中，优选所述保护膜形成膜是在半导体晶片上或者在切割半导体晶片而得到的半导体芯片上形成保护膜的层。(7)在(1)～(6)的任一种方式中，优选在将所述基材以升温速度10℃/分升温至130℃并在该温度保持2小时的时刻，所述基材具有0.01％以上、2％以下的失重率，更优选具有小于0.9％的失重率，进一步优选具有0.5％以下的失重率。(8)在(1)～(4)、(6)及(7)的任一种方式中，优选在将所述保护膜形成用复合片以升温速度10℃/分升温至130℃并在该温度保持2小时的时刻，所述保护膜形成用复合片具有0.01％以上、6.0％以下的失重率，更优选具有3.0％以下的失重率，进一步优选具有2.5％以下的失重率，特别优选具有1.2％以下的失重率。(9)在(1)～(8)的任一种方式中，优选所述基材的熔点为130℃以上，更优选为130～170℃，进一步优选为130～160℃，特别优选为131～156℃。专利技术的效果根据本专利技术的保护膜形成用复合片，能够有效地抑制经过加热工序及冷却工序产生的片松弛，而且可以良好地进行拾取。附图说明图1是本专利技术的一个实施方式的保护膜形成用复合片的剖面图。图2是粘贴于工件上的状态的保护膜形成用复合片的俯视图。图3是示出本专利技术的一个实施方式的保护膜形成用复合片的使用例的剖面图。图4是本专利技术的一个实施方式的保护膜形成用复合片的剖面图。符号说明1、10…保护膜形成用复合片2…粘合片21…基材22…粘合剂层3…保护膜形成膜4…夹具用粘合剂层5…半导体晶片6…环状框7…剥离片具体实施方式以下，对本专利技术的一个实施方式进行说明。图1是本专利技术的一个实施方式的保护膜形成用复合片的剖面图，图2是粘贴于工件上的状态的保护膜形成用复合片的俯视图。如图1所示，本实施方式的保护膜形成用复合片1具备粘合片2、保护膜形成膜3和夹具用粘合剂层4而构成，所述粘合片2是粘合剂层22叠层于基材21的一面而形成的，所述保护膜形成膜3叠层于粘合片2的粘合剂层22侧，所述夹具用粘合剂层4叠层于保护膜形成膜3的与粘合片2侧相反侧的边缘部。需要说明的是，本实施方式的保护膜形成用复合片1是指保护膜形成膜3尚未粘贴于工件上的保护膜形成用复合片。在本实施方式中，如图1及图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种保护膜形成用复合片，其具有：粘合片，该粘合片是粘合剂层叠层于基材的一面侧而形成的；以及叠层于所述粘合片的所述粘合剂层侧的保护膜形成膜，其中，在对所述基材施加0.1g/mm的载荷并在130℃下加热2小时再冷却至23℃的情况下，所述基材在所述加热后相对于所述加热前在MD方向及CD方向的伸缩率均为95～103％，所述基材在23℃下的MD方向及CD方向的拉伸弹性模量均为100～700MPa。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.25 JP 2015-1274171.一种保护膜形成用复合片，其具有：粘合片，该粘合片是粘合剂层叠层于基材的一面侧而形成的；以及叠层于所述粘合片的所述粘合剂层侧的保护膜形成膜，其中，在对所述基材施加0.1g/mm的载荷并在130℃下加热2小时再冷却至23℃的情况下，所述基材在所述加热后相对于所述加热前在MD方向及CD方向的伸缩率均为95～103％，所述基材在23℃下的MD方向及CD方向的拉伸弹性模量均为100～700MPa。2.根据权利要求1所述的保护膜形成用复合片，...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐伯尚哉，米山裕之，山本大辅，小桥力也，稻男洋一，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP