芯片封装方法及芯片封装结构技术

技术编号:15234694 阅读:148 留言:0更新日期:2017-04-28 05:05
一种芯片封装结构,该芯片封装结构包括多个金属柱、至少一芯片、一封胶体、一线路重置层及一包覆该线路重置层的绝缘层,该封胶体包覆该金属柱及该芯片,多个该金属柱均匀地分布在该芯片的周围,该线路重置层形成于该封胶体的一侧,该线路重置层与至少部分该金属柱及该芯片电性连接,该芯片的一表面与该绝缘层共平面。本发明专利技术还涉及一种芯片封装方法。

Chip packaging method and chip packaging structure

A chip package structure, the chip package structure comprises a plurality of metal posts, at least one chip, a sealing colloid, a reset circuit and a reset circuit layer covering the layer of the insulating layer, the sealing colloid coating the metal column and the chip, a plurality of the metal columns evenly distributed around the core tablets one side of the line, a reset layer is formed on the sealing colloid, the reset line layer and at least a portion of the metal column and the chip is electrically connected with the chip surface and the insulating layer in plane. The invention also relates to a chip packaging method.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种芯片封装技术,特别涉及一种芯片封装方法及采用该方法得到的芯片封装结构。
技术介绍
封装是指安装半导体集成电路芯片用的外壳,它不仅担任放置、固定、密封、保护芯片和增强导热性能的作用,而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁。芯片上的接点用导线连接到封装外壳的导线,这些导线又透过印刷电路板上的导线与其它零件建立连接。因此,对于很多集成电路产品而言,封装技术都是非常关键的一环。而现有技术中的封装结构是采用先实现封胶体内的芯片与金属柱的电性导通,再进行封装的方法进行芯片封装的。采用此方法得到的芯片封装结构的芯片良率不高、制作工艺复杂,进而使得制作成本较高。另外,封胶体硬化后翘曲,影响封装结构的平衡。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供一种能够解决上述问题的芯片封装方法及芯片封装结构。一种芯片封装方法,其包括步骤:第一步,提供一承载基板;第二步,在该承载基板上形成多个金属柱及安装至少一个芯片,多个该金属柱分布在该至少一个芯片的周围;第三步,形成一封胶体,该封胶体包覆多个该金属柱及该至少一个芯片;第四步,去除该承载基板,形成一封装基板;及第五步,在该封胶体的一侧形成一线路重置层及一包覆该线路重置层的绝缘层;该线路重置层与至少部分该金属柱及该芯片电连接,该芯片的一表面与该绝缘层共平面。一种芯片封装结构,该芯片封装结构包括多个金属柱、至少一芯片、一封胶体、一线路重置层及一包覆该线路重置层的绝缘层,该封胶体包覆该金属柱及该芯片,多个该金属柱均匀地分布在该芯片的周围,该线路重置层形成于该封胶体的一侧,该线路重置层与至少部分该金属柱及该芯片电性连接,该芯片的一表面与该绝缘层共平面。本专利技术提供的芯片封装方法及芯片封装结构,1)先将芯片封装在封胶体内,再在封胶体的外侧形成线路重置层,避免了封胶体制程对线路重置层的损坏和影响,既提高了芯片封装的良率,又降低了成本;2)将多个金属柱分布在芯片的周围,既可以作为线路重置层与外部电子元件的电性连接通道,又可以支撑平衡封胶体,防止硬化后的封胶体的翘曲;3)将线路重置层形成在封胶体的裸露出芯片的导电凸块的表面上,用封胶体代替了现有技术中的基板,简化了制程,降低了成本。附图说明图1是本专利技术第一实施例提供的一承载基板的剖视图。图2是在图1所示的承载基板的表面上形成金属柱后的剖视图。图3是将一芯片焊接到图2所示的承载基板上,形成封装基板中间体的剖视图。图4是将图3所示的金属柱及芯片封装在封胶体内的剖视图。图5是将图4形成的封胶体的表面进行抛光后的剖视图。图6是将图5所示的承载基板去除,形成封装基板后的剖视图。图7是在图6所示的封装基板的一个表面上形成一线路重置层后的剖视图。图8在图7所示的线路重置层及封胶体的表面进行表面封装,形成芯片封装结构后的剖视图。图9是在图4所示的封胶体的对应与金属柱的位置形成一一对应的导电盲孔后的剖视图。图10将图9所示的承载基板去除,形成一第二封装基板后的剖视图。图11是在图10所示的第二封装基板的一个表面上形成一线路重置层后的剖视图。图12是在图11所示的线路重置层及第二封胶体的表面进行表面封装,形成封装结构后的剖视图。主要元件符号说明芯片封装结构100、300承载基板10承载板11晶种层12第一表面121金属柱20芯片30第二表面31封胶体40第四表面41第三表面42封装基板200封装基板中间体210线路重置层50绝缘层51防焊层60防焊开口61第一焊球71第二焊球72外部电子元件80导电盲孔90如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式下面将结合附图及实施例,对本技术方案提供的芯片封装方法及芯片封装结构作进一步的详细说明。请参阅图1~图8,本专利技术第一实施例提供的芯片封装结构100的芯片封装方法如下:第一步,请参阅图1,提供一承载基板10,该承载基板10包括一承载板11及一形成在该承载板11上的晶种层12。该承载板11的材质为任何一种绝缘的具有承载作用的材料。在本实施例中,该承载板11的材质为聚酰亚胺(polyimide,PI)。在其他实施例中,该承载板11的材质还可以为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PolyethyleneTerephthalate,PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PolyethyleneNaphthalate,PEN)或其他树脂硬质材料。该晶种层12可以为化学镀铜层,也可以为原铜层。该晶种层12包括一第一表面121,该第一表面121远离该承载板11。第二步,请参阅图2,在该第一表面121上形成多个金属柱20。具体地,可以通过影像转移制程及电镀制程形成多个该金属柱20。也可以通过电镀的方法直接电镀形成多个该金属柱20。在本实施例中,多个该金属柱20是通过影像转移制程及电镀制程形成的。该金属柱20可以为铜柱,也可以为其他的导电的金属柱。多个该金属柱20既可以作为线路重置层50(见下文)与外部电子元件80(见下文)的电性连接通道,也可以起到支撑平衡封胶体40(见下文)的作用,以防止硬化后的封胶体40翘曲。该金属柱20的形状并不局限于柱状,只要能起到上述作用即可。第三步,请参阅图3,提供至少一芯片30,并将该芯片30固接在该第一表面121上,进而形成一封装基板中间体210。具体地,多个该金属柱20的高度略大于该芯片的高度,多个该金属柱20均匀分布在该芯片30的周围。该芯片30包括一第二表面31,该第二表面31面向该第一表面121且平行于该第一表面121。第四步,请参阅图4,在该承载基板10的形成有该金属柱20及该芯片30的一侧形成一封胶体40,使得该封胶体40包覆该金属柱20及该芯片30。该封胶体40包括一第三表面42。该第三表面42与该第一表面121相接触。在本实施例中,通过注塑成型的方式形成封胶体40。体地,首先提供一模具(图未示),该模具包括一模穴及一注胶通道,将包含有该金属柱20及该芯片30的该承载基板10收容于该模穴内;然后,通过该注胶通道向该模穴内注入胶体,使胶体填充多个金属柱20及至少一个该芯片30之间的间隙,使得该胶体包覆多个金属柱20及至少一个该芯片30;接着,固化该胶体,从而形成该封胶体40;之后,将形成有该封胶体40的该封装基板中间体210从该模穴中取出来。第五步,请参阅图5~6,去除该承载基板10,形成一封装基板200。首先,请参阅图5,在去除该承载基板10之前,还需要对该封胶体40的远离该承载基板10的一面进行抛光等表面处理,以形成一与该第三表面42相对的第四表面41,并使得多个该金属柱20的一端从该封胶体40中裸露出来且与该第四表面41平齐。其次,请参阅图6,移除该承载基板10,形成该封装基板200。第六步,请参阅图7,在该封装基板200的该第三表面42上形成一线路重置层(redistributionlayer,RDL)50及一包覆该线路重置层50的绝缘层51,并在该线路重置层50的远离该封装基板200的表面上形成一防焊层60。该线路重置层50以封装基板200作为构建RDL的基底,其允许部件被安装并且相互之间进行通信,或者与外部器件进行通信。本实施例中,该线路重置层50通过电镀的方法形成。该绝缘层51与该线路重置层50的远离该封胶体40的表面平本文档来自技高网...
芯片封装方法及芯片封装结构

【技术保护点】
一种芯片封装方法,其包括步骤:第一步,提供一承载基板;第二步,在该承载基板上形成多个金属柱及安装至少一个芯片,多个该金属柱分布在该至少一个芯片的周围;第三步,形成一封胶体,该封胶体包覆多个该金属柱及该至少一个芯片;第四步,去除该承载基板,形成一封装基板;及第五步,在该封胶体的一侧形成一线路重置层及一包覆该线路重置层的绝缘层;该线路重置层与至少部分该金属柱及该芯片电连接,该芯片的一表面与该绝缘层共平面。

【技术特征摘要】
2015.10.19 CN 20151068273471.一种芯片封装方法,其包括步骤:第一步,提供一承载基板;第二步,在该承载基板上形成多个金属柱及安装至少一个芯片,多个该金属柱分布在该至少一个芯片的周围;第三步,形成一封胶体,该封胶体包覆多个该金属柱及该至少一个芯片;第四步,去除该承载基板,形成一封装基板;及第五步,在该封胶体的一侧形成一线路重置层及一包覆该线路重置层的绝缘层;该线路重置层与至少部分该金属柱及该芯片电连接,该芯片的一表面与该绝缘层共平面。2.如权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,在形成该线路重置层及该绝缘层之后,还包括步骤:在该线路重置层的远离该封装基板的表面上形成一防焊层,该防焊层上形成有多个防焊开口,在该多个该防焊开口内形成多个第一焊球。3.如权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,该封胶体包括一第三表面及一与该第三表面相对的第四表面,该线路重置层形成在该第三表面上。4.如权利要求3所述的芯片封装方法,其特征在于,在形成该封胶体之后,去除该承载基板之前,还包括步骤:对该封胶体的远离该承载基板的一面进行抛光处理,从而形成该第四表面,使得多个该金属柱的远离该承载基板的一端从该封胶体中裸露出来且与该第四表面平齐,并在与该第四表面平齐的部分该金属柱的一端形成多个第二焊球。5.如权利要求3所述的芯片封装方法,其特征在于,在形成该封胶体之后,去除该承载基板之前,还包括步骤:在该第四表面上与多个该金属柱相对应的位置形成多个导电盲孔并在多个该导...

【专利技术属性】
技术研发人员:苏威硕
申请(专利权)人:碁鼎科技秦皇岛有限公司臻鼎科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:河北;13

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