The utility model provides a semiconductor chip package structure, comprising a semiconductor chip having opposite first surface and the second surface; the pad is positioned on the first surface, the side or the second side surface; a metal wiring layer is laid on the second surface side for electrically derived pads; resistance welding layer is paved on the metal wiring layer, the solder layer has a hole, the hole at the bottom of the exposed metal wiring layer; welding bulge is arranged in the hole, and the welding projection and the metal wiring layer is electrically connected with the opening; the solder layer, the opening from the corresponding to the metal wiring layer of solder layer region. By setting an opening on the solder resist layer, the stress generated by the solder resist layer during the hot and cold impact test (TCT) can be effectively released, and the delamination and cracking of the solder resist layer and the metal wiring layer are eliminated.
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体
,尤其涉及晶圆级半导体芯片的封装技术。
技术介绍
现今主流的半导体芯片封装技术是晶圆级芯片尺寸封装技术(WaferLevelChipSizePackaging,WLCSP),是对整片晶圆进行封装并测试后再切割得到单个成品芯片的技术。利用此种封装技术封装后的单个成品芯片尺寸与单个晶粒尺寸差不多,顺应了市场对微电子产品日益轻、小、短、薄化和低价化要求。晶圆级芯片尺寸封装技术是当前封装领域的热点和未来发展的趋势。请参考图1,公开一种晶圆级半导体芯片的封装结构,晶圆1包括多颗网格状排布的半导体芯片10,半导体芯片10包括功能区11以及焊垫12,晶圆1具有彼此相对的第一表面以及第二表面,功能区11以及焊垫12位于晶圆的第一表面侧,保护基板2与晶圆1的第一表面对位压合,支撑单元3位于晶圆1与保护基板2之间使两者之间形成间隙,避免保护基板2与晶圆1直接接触,保护功能区11。为了引出焊垫12的电性,在晶圆1的第二表面侧设置有朝向第一表面延伸的通孔22,通孔22与焊垫12一一对应且通孔22的底部暴露出焊垫12,在通孔22中以及晶圆的第二表面上铺设有绝缘层23,绝缘层23上铺设有与焊垫12电性连接的金属布线层24,在金属布线层24上铺设有阻焊层26,阻焊层26可以防止金属布线层24被腐蚀或者氧化。在晶圆的第二表面上设置焊球25,焊球25与金属布线层24电性连接,通过焊球25电性连接其他电路实现将焊垫12与其他电路之间形成电性连接。为了便于将封装完成的影像传感芯片切割下来,于晶圆1的第二表面设置有朝向第一表面延伸的切割槽21。由于金属布线层24与阻焊层 ...
【技术保护点】
一种半导体芯片封装结构,包括:半导体芯片,具有彼此相对的第一表面以及第二表面;焊垫,位于所述第一表面侧或者所述第二表面侧;金属布线层,铺设于所述第二表面侧,用于将焊垫的电性导出;阻焊层,铺设于所述金属布线层上,所述阻焊层上具有开孔,所述开孔底部暴露所述金属布线层;焊接凸起,设置于所述开孔中,且所述焊接凸起与所述金属布线层电性连接;其特征在于:所述阻焊层上具有开口,所述开口避开所述阻焊层上对应所述金属布线层的区域。
【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片封装结构,包括:半导体芯片,具有彼此相对的第一表面以及第二表面;焊垫,位于所述第一表面侧或者所述第二表面侧;金属布线层,铺设于所述第二表面侧,用于将焊垫的电性导出;阻焊层,铺设于所述金属布线层上,所述阻焊层上具有开孔,所述开孔底部暴露所述金属布线层;焊接凸起,设置于所述开孔中,且所述焊接凸起与所述金属布线层电性连接;其特征在于:所述阻焊层上具有开口,所述开口避开所述阻焊层上对应所述金属布线层的区域。2.根据权利要求1所述的半导体芯片封装结构,其特征在于,所述开口使得所述阻焊层仅覆盖所述金属布线层。3.根据权利要求1所述的半导体芯片封装结构,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:钱孝青,沈戌霖,王宥军,
申请(专利权)人:苏州晶方半导体科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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