【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子元器件领域,尤其涉及一种高电子迁移率晶体管结构。
技术介绍
GaNHEMT结构,是化合物半导体产品类别中重要的功率器件,应用于电动汽车,电力传输开关,太阳能逆变器,工业马达驱动等,通常使用于高压环境,在使用时常因突波或浪涌(Surge)产生的器件过电压(OverStress)或雪崩崩溃现象(AvalancheBreakDown),而使器件失效的情形。一般解决的方法为延长器件集极端与闸极端的距离,来增加器件的耐压能力,但因此增加大量的芯片面积,而导致成本大幅增加。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种高电子迁移率晶体管结构,旨在解决氮化镓材料作成高电子迁移率晶体管在使用时因突波或浪涌产生的器件过电压或雪崩崩溃现象而使器件失效的问题。本专利技术是这样实现的,一种高电子迁移率晶体管结构包括一颗氮化镓材料作成的氮化镓晶体管,及一颗双向高压导通保护二极管;所述氮化镓晶体管与所述双向高压导通保护二极管合封于单一封装体内。进一步,所述双向高压导通保护二极管外挂所述氮化镓晶体管的源极与集极,作为氮化镓晶体管外挂的保护电路。进一步,所述双向高压导通保护二极管由反向偏置耐高压的二级管组成,材料为SiC或GaN。进一步,所述双向高压导通保护二极管的崩溃电压低于所述氮化镓晶体管的崩溃电压,以避免氮化镓提前崩溃造成器件损坏的情形。本专利技术在使用时,遇到突波或浪涌,产生了额外的过电压,在 ...
【技术保护点】
一种高电子迁移率晶体管结构,其特征在于,所述的高电子迁移率晶体管结构包括一颗氮化镓材料作成的氮化镓晶体管,及一颗双向高压导通保护二极管;所述氮化镓晶体管与所述双向高压导通保护二极管合封于单一封装体内。
【技术特征摘要】
1.一种高电子迁移率晶体管结构,其特征在于,所述的高电子迁移率晶体
管结构包括一颗氮化镓材料作成的氮化镓晶体管,及一颗双向高压导通保护二
极管;所述氮化镓晶体管与所述双向高压导通保护二极管合封于单一封装体内。
2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管结构,其特征在于,所述双向
高压导通保护二极管外挂所述氮化镓晶体管的源极与集极,作为氮化镓晶体管<...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈伟梵,张明伦,
申请(专利权)人:昆山永续智财技术服务有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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