【技术实现步骤摘要】
本技术属于电子元件
，涉及一种肖特基二极管台面。
技术介绍
肖特基二极管要减小正向压降,影响正向压降的主要因素是产品的势垒面积，势垒面积越大正向压降越小，增加产品面积才能够增大势垒面积,减小正向压降，产品面积增大产生的副效应就会出现漏电流的增大，然而，随着漏电流增大，产品的结温降低,器件容易出现损坏。
技术实现思路
本技术的目的是针对现有技术存在的问题提供一种在不增加产品尺寸的基础上能够增加肖特基势垒金属面积、降低正向压降的肖特基二极管台面。一种肖特基二极管台面，包括衬底硅片，所述衬底硅片势垒区台面上设置有沟槽图形，所述沟槽图形由均匀排布的矩形单元格构成，单元格中设置有相互平行沟槽线，相邻单元格中的沟槽线相互垂直；所述沟槽线的槽宽6±0.1um，槽长30um，槽深0.15±0.02um；所述衬底硅片由内向外依次设有Ni-Pt60合金镀层、Ti金属镀层、Ni金属镀层和Ag金属镀层。本技术具有以下有益效果：本技术通过衬底硅片势垒区台面上设置有沟槽图形，达到增加肖特基势垒金属面积、降低正向压降的目的，Ni-Pt60合金镀层，能够降低了漏电流和正向压降，提高了产品结温；Ag金属镀层为焊接层，Ni金属镀层为阻挡层，用于防止Ag金属镀层向内扩散，Ti金属镀层为吸附层，用于吸附于Ni-Pt60合金镀层上。附图说明图1为本技术的结构示意图；图2为本技术衬底硅片势垒区台面的结构示意图。...
【技术保护点】
一种肖特基二极管台面，包括衬底硅片（1），其特征在于：所述衬底硅片（1）势垒区台面上设置有沟槽图形，所述沟槽图形由均匀排布的矩形单元格（2）构成，单元格（2）中设置有相互平行沟槽线（3），相邻单元格（2）中的沟槽线（3）相互垂直。
【技术特征摘要】
1.一种肖特基二极管台面，包括衬底硅片（1），其特征在于：所述衬底硅片（1）势垒区台
面上设置有沟槽图形，所述沟槽图形由均匀排布的矩形单元格（2）构成，单元格（2）中设置
有相互平行沟槽线（3），相邻单元格（2）中的沟槽线（3）相互垂直。
2.如权利要求1所述一种肖特基二极管台面，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：张志向，杜林德，
申请(专利权)人：天水天光半导体有限责任公司，
类型：新型
国别省市：甘肃;62
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