本发明专利技术提供了一种阵列基板、薄膜晶体管、显示器件的制作方法、显示装置，其中的阵列基板包括基板和依次形成在基板上的栅极金属层、绝缘层和源漏极金属层；其中，栅极金属层由至少两个依次层叠的图案化金属膜层构成；至少两个依次层叠的图案化金属膜层在同一种金属刻蚀液下的刻蚀速率沿着背离基板的方向逐层增大；至少两个依次层叠的图案化金属膜层的膜层面积沿着背离基板的方向逐层减小。基于此，本发明专利技术可以改善源漏极金属层中由栅极金属层边缘处的坡度角所导致的内部缺陷，有利于提升良率、降低生产成本。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、薄膜晶体管、显示器件的制作方法、显示装置。
技术介绍
阵列基板是一些显示产品的重要组成部分。如图1所示，阵列基板主要可以分为显示区域10和非显示区域20。未在图中详细示出的是，显示区域10内设有横向排列的栅极信号线和纵向排列的源漏极信号线，栅极信号线和源漏极信号线交叉限定出显示区域10内的若干个子像素区域。每个子像素区域内，配置有主要由薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)形成的电路结构。非显示区域20主要包括栅极信号驱动区域201和源极信号驱动区域202。在传统的底栅结构下，栅极信号线会与薄膜晶体管的栅电极在第一次金属的构图工艺中形成，而在形成栅绝缘层之后源漏极信号线则会与薄膜晶体管的源电极和漏电极在第二次金属的构图工艺中形成。如图2所示，基板301上依次形成了栅金属层304、栅绝缘层203和源漏金属层303，图示位置为源漏极信号线与栅极信号线相互交叠的位置。此处，由于栅金属层304的边缘处存在坡度角，因而其坡面上形成的源漏金属层303很容易产生缺陷。具体来说，较大的坡度角容易造成坡面上的感光胶涂覆不均，进而在刻蚀形成源漏金属层303时，未被充分覆盖的金属膜层就会被刻蚀液钻刻，严重时会导致断路。为解决该问题，现有技术通常会通过在有栅极信号线和源漏极信号线交叠的部位增加有源层垫片来缓解坡度角的影响，如图3中设置在栅金属层304与源漏金属层303之间的有源层垫片305。通过这样的方式，虽然能在一定程度上缓解坡度角带来源漏金属层缺陷问题，但其相当于向栅极信号线和源漏极信号线之间增设了介质材料，造成耦合电容的增大；不仅会影响信号线的信号传输性能，还会带来静电击穿的风险。
技术实现思路
针对现有技术的缺陷，本专利技术提供一种阵列基板、薄膜晶体管、显示器件的制作方法、显示装置，可以改善源漏极金属层中由栅极金属层边缘处的坡度角所导致的内部缺陷。第一方面，本专利技术提供了一种阵列基板，包括：基板和依次形成在所述基板上的栅极金属层、绝缘层和源漏极金属层；其中，所述栅极金属层由至少两个依次层叠的图案化金属膜层构成；所述至少两个依次层叠的图案化金属膜层在同一种金属刻蚀液下的刻蚀速率沿着背离所述基板的方向逐层增大；所述至少两个依次层叠的图案化金属膜层的膜层面积沿着背离所述基板的方向逐层减小。可选地，所述至少两个依次层叠的图案化金属膜层均采用同一种金属材料形成；所述至少两个依次层叠的图案化金属膜层的致密程度沿着背离所述基板的方向逐层减小。可选地，所述至少两个依次层叠的图案化金属膜层在经图案化处理之前，由同一种金属沉积工艺在不同工艺参数下逐层形成，使得其在同一种金属刻蚀液下的刻蚀速率沿着背离所述基板的方向逐层增大。可选地，所述至少两个依次层叠的图案化金属膜层的膜层厚度均相同。第二方面，本专利技术提供了一种薄膜晶体管，包括：衬底和依次形成在所述衬底上的栅极金属层、绝缘层和源漏极金属层；其中，所述栅极金属层由至少两个依次层叠的图案化金属膜层构成；所述至少两个依次层叠的图案化金属膜层在同一种金属刻蚀液下的刻蚀速率沿着背离所述衬底的方向逐层增大；所述至少两个依次层叠的图案化金属膜层的膜层面积沿着背离所述衬底的方向逐层减小。可选地，所述至少两个依次层叠的图案化金属膜层在经图案化处理之前，由同一种金属沉积工艺在不同工艺参数下逐层形成，使得其在同一种金属刻蚀液下的刻蚀速率沿着背离所述衬底的方向逐层增大。第三方面，本专利技术提供了一种显示器件的制作方法，包括：在基板的一侧形成至少两个依次层叠的金属膜层；所述至少两个依次层叠的金属膜层在同一种金属刻蚀液下的刻蚀速率沿着背离所述基板的方向逐层增大；通过对所述至少两个依次层叠的金属膜层进行包括使用所述金属刻蚀液对所述至少两个依次层叠的金属膜层一起进行刻蚀的图案化处理，以形成由膜层面积沿着背离所述基板的方向逐层减小的至少两个依次层叠的图案化金属膜层构成的栅极金属层；在所述栅极金属层和所述基板上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成包括源漏极金属层的图形。可选地，所述至少两个依次层叠的金属膜层均采用同一种金属材料形成；所述至少两个依次层叠的金属膜层的致密程度沿着背离所述衬底的方向逐层减小。可选地，所述在基板的一侧形成至少两个依次层叠的金属膜层，具体包括：采用同一种金属沉积工艺在不同工艺参数下逐层形成所述至少两个依次层叠的金属膜层，使得其在同一种金属刻蚀液下的刻蚀速率沿着背离所述衬底的方向逐层增大。可选地，所述在基板的一侧形成至少两个依次层叠的金属膜层，具体包括：采用磁控溅射工艺在不同工艺参数下逐层形成所述至少两个依次层叠的金属膜层，使得所述至少两个依次层叠的金属膜层的致密程度沿着背离所述衬底的方向逐层减小。可选地，所述至少两个依次层叠的金属膜层的膜层厚度均相同。第四方面，本专利技术提供了一种显示装置，包括上述任意一种阵列基板、上述任意一种薄膜晶体管，或者采用上述任意一种显示器件的制作方法制作形成的显示器件。由上述技术方案可知，本专利技术实施例中的栅极金属层由至少两个依次层叠的图案化金属膜层构成，其中至少两个依次层叠的图案化金属膜层在同一种金属刻蚀液下的刻蚀速率沿着背离基板的方向逐层增大的，且膜层面积沿着背离基板的方向逐层减小，使得源漏极金属层与栅极金属层之间的坡度角端差由一个过大的坡度角端差分散为至少两个小的坡度角端差，从而可以改善源漏极金属层中由栅极金属层边缘处的坡度角所导致的内部缺陷。相对于现有技术来说，本专利技术可以避免现有技术中通过在栅极信号线和源漏极信号线交叠的部位增加有源层垫片来缓解坡度角的方式对信号线的信号传输性能的影响以及其所存在的静电击穿风险，因而有利于提升良率、降低生产成本。而且本专利技术采用同一种金属沉积工艺在不同工艺参数下逐层形成至少两个依次层叠的金属膜层，使得其在同一种金属刻蚀液下的刻蚀速率沿着背离衬底的方向逐层增大，并采用磁控溅射工艺在不同工艺参数下逐层形成至少两个依次层叠的金属膜层，使得所述至少两个依次层叠的金属膜层的致密程度沿着背离衬底的方向逐层减小，实现将源漏极金属层与栅极金属层之间的坡度角端差由一个过大的坡度角端差分散为至少两个小的坡度角端差，从而可以改善源漏极金属层中由栅极金属层边缘处的坡度角所导本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：基板和依次形成在所述基板上的栅极金属层、绝缘层和源漏极金属层；其中，所述栅极金属层由至少两个依次层叠的图案化金属膜层构成；所述至少两个依次层叠的图案化金属膜层在同一种金属刻蚀液下的刻蚀速率沿着背离所述基板的方向逐层增大；所述至少两个依次层叠的图案化金属膜层的膜层面积沿着背离所述基板的方向逐层减小。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板和依次形成在所述基
板上的栅极金属层、绝缘层和源漏极金属层；其中，
所述栅极金属层由至少两个依次层叠的图案化金属膜层构成；
所述至少两个依次层叠的图案化金属膜层在同一种金属刻蚀液下
的刻蚀速率沿着背离所述基板的方向逐层增大；
所述至少两个依次层叠的图案化金属膜层的膜层面积沿着背离所
述基板的方向逐层减小。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述至少两个
依次层叠的图案化金属膜层均采用同一种金属材料形成；所述至少两
个依次层叠的图案化金属膜层的致密程度沿着背离所述基板的方向逐
层减小。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述至少两个
依次层叠的图案化金属膜层在经图案化处理之前，由同一种金属沉积
工艺在不同工艺参数下逐层形成，使得其在同一种金属刻蚀液下的刻
蚀速率沿着背离所述基板的方向逐层增大。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的阵列基板，其特征在于，
所述至少两个依次层叠的图案化金属膜层的膜层厚度均相同。
5.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底和依次形成在所述
衬底上的栅极金属层、绝缘层和源漏极金属层；其中，
所述栅极金属层由至少两个依次层叠的图案化金属膜层构成；
所述至少两个依次层叠的图案化金属膜层在同一种金属刻蚀液下
的刻蚀速率沿着背离所述衬底的方向逐层增大；
所述至少两个依次层叠的图案化金属膜层的膜层面积沿着背离所
述衬底的方向逐层减小。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述至少两
个依次层叠的图案化金属膜层在经图案化处理之前，由同一种金属沉
\t积工艺在不同工艺参数下逐层形成，使得其在同一种金属刻蚀液下的
刻蚀速率沿着背离所述衬底的方向逐层增大。
7.一种显示器件的制作方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：宁云龙，杨志，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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