【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上涉及用于通过基于来自光学检验及光学重检的组合属性将在晶片上检测到的缺陷分离为级别且对来自所述级别的缺陷取样以产生缺陷样本用于电子束重检而对缺陷取样用于电子束重检的方法及系统。
技术介绍
以下描述及实例并非由于在其包含于此段落中而被认为是现有技术。在半导体制造工艺期间的各个步骤使用检验过程以检测晶片上的缺陷以促进所述制造工艺中的较高良率且因此实现较高收益。检验一直是制作半导体装置的重要部分。然而,随着半导体装置的尺寸减小,检验对可接受的半导体装置的成功制造变得更重要,这是因为较小缺陷可致使装置失效。在检验过程期间经常产生超出简单缺陷检测外的信息。举例来说,经常将所检测到的缺陷分类为不同群组。在一个此实例中,在寻找到缺陷后,可基于缺陷特性(例如大小、量值及位置)而将其分类为不同群组。在一个特定实例中,使用由光学晶片检验产生的信息,可将缺陷分离为可清理及不可清理缺陷。缺陷分类通常无法仅仅基于由晶片检验工具产生的图像或信息执行。在这些实例中,可使用缺陷重检工具产生额外信息,且接着基于额外信息确定缺陷分类。在一些此类实例中,由光学缺陷寻找设备找到的缺陷可使用高分辨率扫描电子显微镜(SEM)重检工具重检。但是,缺陷重检也可使用基于光学的系统执行。举例来说,可执行基于激光的缺陷重检以验证由光学检验检测到的缺陷群体。在一些实例中,经光学重检验证的缺陷群体接着可被转移到电子束缺陷重检。但是,光学重检通常无法产生经验证缺陷的DOI类型信息。举例来说,光学重检可能能够将真实缺陷与非真实缺陷(或“扰乱点”)分离,但不一定确定真实缺陷的任何DOI信息。因此,基于光 ...
【技术保护点】
一种用于产生缺陷样本用于电子束重检的计算机实施方法,其包括:逐缺陷地组合通过在其上检测到缺陷的晶片的光学检验确定的所述缺陷中的一或多个第一属性与通过所述晶片的光学重检确定的所述缺陷中的一或多个第二属性,借此产生所述缺陷的组合属性,其中所述晶片是未图案化晶片;基于所述缺陷的所述组合属性将所述缺陷分离为级别,其中所述级别对应于不同缺陷分类;及基于所述缺陷已被分离为的所述级别对所述缺陷中的一或多者取样用于电子束重检,借此产生缺陷样本用于所述电子束重检,其中使用计算机系统执行所述组合、所述分离及所述取样。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.05.15 US 61/993,631;2015.05.11 US 14/709,3901.一种用于产生缺陷样本用于电子束重检的计算机实施方法,其包括:逐缺陷地组合通过在其上检测到缺陷的晶片的光学检验确定的所述缺陷中的一或多个第一属性与通过所述晶片的光学重检确定的所述缺陷中的一或多个第二属性,借此产生所述缺陷的组合属性,其中所述晶片是未图案化晶片;基于所述缺陷的所述组合属性将所述缺陷分离为级别,其中所述级别对应于不同缺陷分类;及基于所述缺陷已被分离为的所述级别对所述缺陷中的一或多者取样用于电子束重检,借此产生缺陷样本用于所述电子束重检,其中使用计算机系统执行所述组合、所述分离及所述取样。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述光学检验包括基于激光的晶片检验。3.根据权利要求1所述的方法,其中所述光学重检包括基于激光的缺陷重检。4.根据权利要求1所述的方法,其中由相同光学工具执行所述光学检验及所述光学重检,且其中所述光学检验及所述光学重检非结合所述相同光学工具上的所有相同参数而执行。5.根据权利要求1所述的方法,其中由两个不同、物理分离的光学工具执行所述光学检验及所述光学重检。6.根据权利要求1所述的方法,其中所述一或多个第一属性中的至少一者与所述一或多个第二属性中的至少一者互补。7.根据权利要求6所述的方法,其中所述至少一个第一属性包括由用于所述光学检验的工具的不同通道确定的缺陷大小的比率。8.根据权利要求6所述的方法,其中所述至少一个第一属性包括用于所述光学检验的工具中的两个或多于两个通道中的哪些通道检测到所述缺陷的信息。9.根据权利要求6所述的方法,其中在所述光学检验及所述光学重检中结合不同波长确定所述至少一个第一属性及所述至少一个第二属性,且其中所述缺陷中的至少一些包括内嵌缺陷。10.根据权利要求1所述的方法,其中所述一或多个第二属性包括大小、形状、能量、定向、位置或其组合。11.根据权利要求1所述的方法,其中所述一或多个第二属性包括从通过所述光学重检产生的图像提取的一或多个可量化属性。12.根据权利要求1所述的方法,其中所述光学检验包括对所述晶片执行热扫描,及分离通过所述热扫描检测到的所述缺陷与通过所述热扫描检测到的非缺陷,其中针对通过所述热扫描检测到的所述缺陷的至少一些执行所述光学重检且不针对通过所述热扫描检测到的所述非缺陷执行所述光学重检,且其中针对被执行所述光学重检的所述缺陷的至少一些执行所述组合,且不针对所述非缺陷执行所述组合。13.根据权利要求1所述的方法,其中所述级别中的至少一者对应于关注缺陷分类,且其中所述取样包括与从非对应于所述关注缺陷分类的其它级别取样不同地从所述至少一个级别取样。14.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括针对所述所取样的一或多个缺陷执行所述电子束重检以借此针对所述所取样的一或多个缺陷产生缺陷分类。15.一种含有储存于其中的程序指令的非暂时性计算机可读媒体,所述程序指令用于致使计算机系统执行用于产生缺陷样本用于电子束重检的计算机实施方法,其中所述计算机实施方法包括:逐缺陷地组合通过在其上检测到所述缺陷的晶片的光学检验确定的缺陷中的一或多个第一属性与通过所述晶片的光学重检确定的所述缺陷的一或多个第二属性,借此产生所述缺陷的组合属性,其中所述晶片是未图案化晶片;基于所述缺陷的所述组合属性将所述缺陷分离为级别,其中所述级别对应于不同缺陷分类;及基于所述缺陷已被分离为的所述级别对所述缺陷中的一或多者取样用于电子束重检,借此产生缺陷样本用于所述电子束重检。16.一种经配置以产生缺陷样本用于电子束重检的系统,其包括:光学检验子系统,其经配置以检测晶片上的缺陷;光学重检子系统,其经配置以重检由所述光学检验子系统在所述晶片上检测到的缺陷;电子束重检...
【专利技术属性】
技术研发人员:R·戈莎尹,S·乔希,
申请(专利权)人:科磊股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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