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本发明提供用于产生缺陷样本用于电子束重检的各种实施例。一种方法包含逐缺陷地组合通过在其上检测到缺陷的晶片的光学检验确定的缺陷中的一或多个第一属性与通过所述晶片的光学重检确定的所述缺陷中的一或多个第二属性，借此产生所述缺陷的组合属性。所述方法...
该专利属于科磊股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过科磊股份有限公司授权不得商用。

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