基于来自光学检验及光学重检的缺陷属性的用于电子束重检的缺陷取样制造技术

本发明专利技术提供用于产生缺陷样本用于电子束重检的各种实施例。一种方法包含逐缺陷地组合通过在其上检测到缺陷的晶片的光学检验确定的缺陷中的一或多个第一属性与通过所述晶片的光学重检确定的所述缺陷中的一或多个第二属性，借此产生所述缺陷的组合属性。所述方法还包含基于所述缺陷的所述组合属性将所述缺陷分离为级别。所述级别对应于不同缺陷分类。此外，所述方法包含基于所述缺陷已被分离为的所述级别对所述缺陷中的一或多者取样用于所述电子束重检，借此产生缺陷重检样本用于所述电子束重检。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上涉及用于通过基于来自光学检验及光学重检的组合属性将在晶片上检测到的缺陷分离为级别且对来自所述级别的缺陷取样以产生缺陷样本用于电子束重检而对缺陷取样用于电子束重检的方法及系统。
技术介绍
以下描述及实例并非由于在其包含于此段落中而被认为是现有技术。在半导体制造工艺期间的各个步骤使用检验过程以检测晶片上的缺陷以促进所述制造工艺中的较高良率且因此实现较高收益。检验一直是制作半导体装置的重要部分。然而，随着半导体装置的尺寸减小，检验对可接受的半导体装置的成功制造变得更重要，这是因为较小缺陷可致使装置失效。在检验过程期间经常产生超出简单缺陷检测外的信息。举例来说，经常将所检测到的缺陷分类为不同群组。在一个此实例中，在寻找到缺陷后，可基于缺陷特性(例如大小、量值及位置)而将其分类为不同群组。在一个特定实例中，使用由光学晶片检验产生的信息，可将缺陷分离为可清理及不可清理缺陷。缺陷分类通常无法仅仅基于由晶片检验工具产生的图像或信息执行。在这些实例中，可使用缺陷重检工具产生额外信息，且接着基于额外信息确定缺陷分类。在一些此类实例中，由光学缺陷寻找设备找到的缺陷可使用高分辨率扫描电子显微镜(SEM)重检工具重检。但是，缺陷重检也可使用基于光学的系统执行。举例来说，可执行基于激光的缺陷重检以验证由光学检验检测到的缺陷群体。在一些实例中，经光学重检验证的缺陷群体接着可被转移到电子束缺陷重检。但是，光学重检通常无法产生经验证缺陷的DOI类型信息。举例来说，光学重检可能能够将真实缺陷与非真实缺陷(或“扰乱点”)分离，但不一定确定真实缺陷的任何DOI信息。因此，基于光学缺陷重检结果，电子束重检工具可能不具有包含在待重检的缺陷群体中的缺陷的本质的先前知识。此外，如上所述，光学检验器可执行提供分类结果(例如，缺陷帕累托(pareto))的一些缺陷分类，但那些分类结果一般具有大体上受限的准确度及纯度，尤其对于接近将缺陷分类彼此分离的阈值的缺陷。因此，由光学检验产生的任何缺陷分类结果可被提供到缺陷重检工具，但那些缺陷分类结果可能并不特别有用。此外，由光学检验分类器产生的有限准确度的缺陷分类可导致处理工具漂移的无效故障排除。使用由光学检验或光学重检产生的信息执行的基于电子束的缺陷重检因此可能具有若干缺点。举例来说，归因于由光学检验及光学重检提供的有限信息，基于那个信息执行的电子束重检可具有相对较低的实际缺陷的捕获速率。此外，如果不可能，那么基于由光学检验及光学重检提供的缺陷信息执行对基于电子束的缺陷重检进行目标DOI取样将是困难的。因此，基于电子束的重检将花费相对较长时间来产生实况(groundtruth)缺陷分类结果(例如，实况帕累托)。因此，开发无一或多个上述缺陷的用于产生缺陷样本用于电子束审查的方法及系统将是有利的。
技术实现思路
各种实施例的以下描述不应以任何方式解释为限制所附权利要求书的标的物。一种实施例涉及一种用于产生缺陷样本用于电子束重检的计算机实施方法。所述方法包含逐缺陷地组合通过在其上检测到缺陷的晶片的光学检验确定的缺陷的一或多个第一属性与由晶片的光学重检确定的缺陷的一或多个第二属性，借此产生缺陷的组合属性。晶片是未图案化晶片。所述方法也包含基于缺陷的组合属性将缺陷分离为级别。级别对应于不同缺陷分类。此外，所述方法包含基于缺陷已被分离为的级别对缺陷中的一或多者取样用于电子束重检，借此产生缺陷样本用于电子束重检。使用计算机系统执行组合、分离及取样步骤。可如本文中描述进一步执行上文描述的方法的每一步骤。另外，上文描述的方法可包含本文中描述的任何其它方法的任何其它步骤。此外，可由本文中描述的系统中的任何者执行上文描述的方法。另一实施例涉及一种含有存储于其中的程序指令的非暂时性计算机可读媒体，所述程序指令用于致使计算机系统执行用于产生缺陷样本用于电子束重检的计算机实施方法。所述计算机实施方法包含上文描述的方法的步骤。所述计算机可读媒体可进一步如本文中描述那样配置。所述方法的所述步骤可如本文中进一步描述执行。此外，所述方法可包含本文中描述的任何其它方法的任何其它步骤。额外实施例涉及一种经配置以产生缺陷样本用于电子束重检的系统。所述系统包含光学检验子系统，所述光学检验子系统经配置以检测晶片上的缺陷。所述系统还包含光学重检子系统，所述光学重检子系统经配置以重检由光学检验子系统在晶片上检测到的缺陷。此外，所述系统包含电子束重检子系统，所述电子束重检子系统经配置以重检由光学检验子系统在晶片上检测到的缺陷。所述系统还包含计算机子系统，所述计算机子系统经配置以逐缺陷地组合由光学检验子系统确定的缺陷的一或多个第一属性与由光学重检子系统确定的缺陷的一或多个第二属性，借此产生缺陷的组合属性。晶片是未图案化晶片。所述计算机子系统还经配置以基于缺陷的组合属性将缺陷分离为级别。级别对应于不同缺陷分类。所述计算机子系统进一步经配置以基于缺陷已被分离为的级别对缺陷中的一或多者取样用于由电子束重检子系统执行的重检，借此产生缺陷样本用于由电子束重检子系统执行的重检。所述系统可进一步根据本文描述的任何实施例配置。附图说明所属领域的技术人员受益于优选实施例的以下详细描述并参考附图将明白本专利技术的另外优点，其中：图1是说明用于产生缺陷样本用于电子束重检的计算机实施方法的一个实施例的流程图；图2是说明可在本文中描述的方法实施例中执行的基于缺陷的组合属性将缺陷分离为级别的一个实施例的流程图；图3是说明非暂时性计算机可读媒体的一个实施例的框图，所述非暂时性计算机可读媒体包含在计算机系统上可执行用于执行本文中描述的计算机实施方法中的一或多者的程序指令；及图4是说明经配置以产生缺陷样本用于电子束重检的系统的一个实施例的侧视图的示意图。虽然本专利技术易具有各种修改及替代形式，但其具体实施例通过实例展示在图式中且详细地描述于本文中。所述图式可能不呈比例。但是，应理解所述图式及其详细描述不希望将本专利技术限制于所揭示的特定形式，而是相反，希望涵盖属于如由所附权利要求书所定义的本专利技术的精神及范围内的所有修改例、等效例及替代例。具体实施方式现转到所述图式，应注意所述图未按比例绘制。特定来说，所述图中的一些元件的比例经大幅度夸大以突出所述元件的特性。还应注意，所述图未按相同比例绘制。已使用相同元件标号指示一个以上图中所展示的可以类似方式配置的元件。除非本文中另有提及，否则所描述及展示的元件中的任何者可包含任何适当可商购元件。一个实施例涉及一种用于产生缺陷样本用于电子束重检的计算机实施方法。本文中描述的实施例一般经配置以使用利用来自光学重检(例如，基于激光的重检)及光学检验(例如，基于激光的检验)的缺陷属性的新的自动缺陷分类器形成缺陷样本。如将在本文中进一步描述，实施例提供用于在光学重检之后产生极高准确度缺陷帕累托的自动化方法。此外，实施例提供一种进行目标受关注缺陷(DOI)取样用于基于电子束的缺陷重检(例如，扫描电子显微镜(SEM)缺陷重检)的方法。因此，实施例可用于针对电子束重检帕累托改进电子束重检捕获速率及时间。方法可包含获取通过在其上检测到缺陷的晶片的光学检验确定的缺陷的一或多个第一属性。举例来说，如图1中所展示，方法可包含对晶片执行光学检验100，且光学检验结果可包含光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于产生缺陷样本用于电子束重检的计算机实施方法，其包括：逐缺陷地组合通过在其上检测到缺陷的晶片的光学检验确定的所述缺陷中的一或多个第一属性与通过所述晶片的光学重检确定的所述缺陷中的一或多个第二属性，借此产生所述缺陷的组合属性，其中所述晶片是未图案化晶片；基于所述缺陷的所述组合属性将所述缺陷分离为级别，其中所述级别对应于不同缺陷分类；及基于所述缺陷已被分离为的所述级别对所述缺陷中的一或多者取样用于电子束重检，借此产生缺陷样本用于所述电子束重检，其中使用计算机系统执行所述组合、所述分离及所述取样。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.05.15 US 61/993,631;2015.05.11 US 14/709,3901.一种用于产生缺陷样本用于电子束重检的计算机实施方法，其包括：逐缺陷地组合通过在其上检测到缺陷的晶片的光学检验确定的所述缺陷中的一或多个第一属性与通过所述晶片的光学重检确定的所述缺陷中的一或多个第二属性，借此产生所述缺陷的组合属性，其中所述晶片是未图案化晶片；基于所述缺陷的所述组合属性将所述缺陷分离为级别，其中所述级别对应于不同缺陷分类；及基于所述缺陷已被分离为的所述级别对所述缺陷中的一或多者取样用于电子束重检，借此产生缺陷样本用于所述电子束重检，其中使用计算机系统执行所述组合、所述分离及所述取样。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述光学检验包括基于激光的晶片检验。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述光学重检包括基于激光的缺陷重检。4.根据权利要求1所述的方法，其中由相同光学工具执行所述光学检验及所述光学重检，且其中所述光学检验及所述光学重检非结合所述相同光学工具上的所有相同参数而执行。5.根据权利要求1所述的方法，其中由两个不同、物理分离的光学工具执行所述光学检验及所述光学重检。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述一或多个第一属性中的至少一者与所述一或多个第二属性中的至少一者互补。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述至少一个第一属性包括由用于所述光学检验的工具的不同通道确定的缺陷大小的比率。8.根据权利要求6所述的方法，其中所述至少一个第一属性包括用于所述光学检验的工具中的两个或多于两个通道中的哪些通道检测到所述缺陷的信息。9.根据权利要求6所述的方法，其中在所述光学检验及所述光学重检中结合不同波长确定所述至少一个第一属性及所述至少一个第二属性，且其中所述缺陷中的至少一些包括内嵌缺陷。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述一或多个第二属性包括大小、形状、能量、定向、位置或其组合。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述一或多个第二属性包括从通过所述光学重检产生的图像提取的一或多个可量化属性。12.根据权利要求1所述的方法，其中所述光学检验包括对所述晶片执行热扫描，及分离通过所述热扫描检测到的所述缺陷与通过所述热扫描检测到的非缺陷，其中针对通过所述热扫描检测到的所述缺陷的至少一些执行所述光学重检且不针对通过所述热扫描检测到的所述非缺陷执行所述光学重检，且其中针对被执行所述光学重检的所述缺陷的至少一些执行所述组合，且不针对所述非缺陷执行所述组合。13.根据权利要求1所述的方法，其中所述级别中的至少一者对应于关注缺陷分类，且其中所述取样包括与从非对应于所述关注缺陷分类的其它级别取样不同地从所述至少一个级别取样。14.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括针对所述所取样的一或多个缺陷执行所述电子束重检以借此针对所述所取样的一或多个缺陷产生缺陷分类。15.一种含有储存于其中的程序指令的非暂时性计算机可读媒体，所述程序指令用于致使计算机系统执行用于产生缺陷样本用于电子束重检的计算机实施方法，其中所述计算机实施方法包括：逐缺陷地组合通过在其上检测到所述缺陷的晶片的光学检验确定的缺陷中的一或多个第一属性与通过所述晶片的光学重检确定的所述缺陷的一或多个第二属性，借此产生所述缺陷的组合属性，其中所述晶片是未图案化晶片；基于所述缺陷的所述组合属性将所述缺陷分离为级别，其中所述级别对应于不同缺陷分类；及基于所述缺陷已被分离为的所述级别对所述缺陷中的一或多者取样用于电子束重检，借此产生缺陷样本用于所述电子束重检。16.一种经配置以产生缺陷样本用于电子束重检的系统，其包括：光学检验子系统，其经配置以检测晶片上的缺陷；光学重检子系统，其经配置以重检由所述光学检验子系统在所述晶片上检测到的缺陷；电子束重检...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·戈莎尹，S·乔希，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US