一种基于硅衬底的多单元集成半导体LED光源芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于硅衬底的多单元集成半导体LED光源芯片，包括金质电极、粘接金属层、硅基板、芯片连接体，所述芯片连接体一侧设置有芯片单元一，所述芯片连接体另一侧设置有芯片单元二，所述芯片单元一外侧设置有芯片壳体，所述芯片壳体底部设置有背面金质电极，所述背面金质电极上方设置有所述硅基板，所述硅基板上方设置有所述粘接金属层，所述粘接金属层上方设置有金属反射镜，所述金属反射镜上方设置有氮化镓外延层，所述氮化镓外延层上方设置有粗造化上表面，所述粗造化上表面上方设置有所述金质电极。有益效果在于：采用硅作为芯片的衬底，芯片的导热性能更好，延长半导体芯片的寿命，采用多单元集成芯片，使芯片制作简单，功能强大。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及功能芯片领域，特别是涉及一种基于硅衬底的多单元集成半导体LED光源芯片。
技术介绍
目前我国常用的半导体LED光源芯片多种多样，LED光源芯片是LED灯的核心组件，其主要功能是把电能转化为光能，芯片的主要材料为单晶硅，LED光源芯片的衬底主要有三种：蓝宝石、硅、碳化硅，蓝宝石和碳化硅的制作成本较高，所以一般采用硅作为衬底，而目前的LED光源正在向大面积方向发展，需要体积较大的光源，单独制作一张大体积芯片制作成本高，耗时费力，工作效率低，基于以上原因，需要一种基于硅衬底的多单元集成半导体LED光源芯片，将多个芯片单元集成为一个LED光源芯片，制作简单效果好。
技术实现思路
基于此，有必要针对现有技术问题，提供一种基于硅衬底的多单元集成半导体LED光源芯片。为解决现有技术问题，本技术公开了一种基于硅衬底的多单元集成半导体LED光源芯片，包括金质电极、粘接金属层、硅基板、芯片连接体，所述芯片连接体一侧设置有芯片单元一，所述芯片连接体另一侧设置有芯片单元二，所述芯片单元一外侧设置有芯片壳体，所述芯片壳体底部设置有背面金质电极，所述背面金质电极上方设置有所述硅基板，所述硅基板上方设置有所述粘接金属层，所述粘接金属层上方设置有金属反射镜，所述金属反射镜上方设置有氮化镓外延层，所述氮化镓外延层上方设置有粗造化上表面，所述粗造化上表面上方设置有所述金质电极。上述结构中，所述氮化镓外延层、所述金属反射镜、所述硅基板构成半导体芯片的功能主体，进行LED光源的发光，所述金质电极连接电路的一端，所述背面金质电极连接电路的另一端，所述芯片连接体将多个芯片单元集合成一体。作为本技术的优选方案，所述芯片单元一和所述芯片单元二之间连接有所述芯片连接体，所述芯片单元一和所述芯片单元二外侧均有所述芯片壳体。作为本技术的优选方案，所述背面金质电极与所述硅基板相粘结，所述硅基板与所述粘接金属层相粘结。作为本技术的优选方案，所述硅基板与所述金属反射镜之间粘结有所述粘接金属层，所述氮化镓外延层粘结在所述金属反射镜上方。作为本技术的优选方案，所述粗造化上表面粘结在所述芯片外壳上方，所述金质电极焊接在所述粗造化上表面上。本技术的有益效果在于：采用硅作为芯片的衬底，芯片的导热性能可以明显改善，延长半导体芯片的寿命，采用多单元集成芯片，避免了大面积芯片制作的复杂性，使芯片制作简单，功能强大。附图说明图1为本技术一种基于硅衬底的多单元集成半导体LED光源芯片的主视图；图2为本技术一种基于硅衬底的多单元集成半导体LED光源芯片的俯视图；附图标记说明如下：1、金质电极；2、氮化镓外延层；3、金属反射镜；4、粘接金属层；5、硅基板；6、背面金质电极；7、芯片连接体；8、芯片单元一；9、芯片壳体；10、芯片单元二；11、粗造化上表面。具体实施方式为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳的实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容的理解更加透彻全面。需要说明的是，除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。如图1-图2所示，一种基于硅衬底的多单元集成半导体LED光源芯片，包括金质电极1、粘接金属层4、硅基板5、芯片连接体7，芯片连接体7一侧设置有芯片单元一8，芯片连接体7另一侧设置有芯片单元二10，多个芯片单元集成LED光源芯片，集成技术使大体积芯片制作更加简单，芯片单元一8外侧设置有芯片壳体9，用以保护内部的电子元件，芯片壳体9底部设置有背面金质电极6，用以与外部电路相连接，背面金质电极6上方设置有硅基板5，作为外延层的衬底，导热性能好，延长芯片的使用寿命，硅基板5上方设置有粘接金属层4，用以粘结不同的芯片材料层，粘接金属层4上方设置有金属反射镜3，用以增强LED光源芯片的亮度，金属反射镜3上方设置有氮化镓外延层2，是一层单晶薄膜，便于LED光源的光线发射，氮化镓外延层2上方设置有粗造化上表面11，粗造化上表面11上方设置有金质电极1，用以连接外部电路。上述结构中，氮化镓外延层2、金属反射镜3、硅基板5构成半导体芯片的功能主体，进行LED光源的发光，金质电极1连接电路的一端，背面金质电极6连接电路的另一端，芯片连接体7将多个芯片单元集合成一体。作为本技术的优选方案，芯片单元一8和芯片单元二10之间连接有芯片连接体7，芯片单元一8和芯片单元二10外侧均有芯片壳体9，背面金质电极6与硅基板5相粘结，硅基板5与粘接金属层4相粘结，硅基板5与金属反射镜3之间粘结有粘接金属层4，氮化镓外延层2粘结在金属反射镜3上方，粗造化上表面11粘结在芯片外壳9上方，金质电极1焊接在粗造化上表面11上。以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于硅衬底的多单元集成半导体LED光源芯片，其特征在于：包括金质电极、粘接金属层、硅基板、芯片连接体，所述芯片连接体一侧设置有芯片单元一，所述芯片连接体另一侧设置有芯片单元二，所述芯片单元一外侧设置有芯片壳体，所述芯片壳体底部设置有背面金质电极，所述背面金质电极上方设置有所述硅基板，所述硅基板上方设置有所述粘接金属层，所述粘接金属层上方设置有金属反射镜，所述金属反射镜上方设置有氮化镓外延层，所述氮化镓外延层上方设置有粗造化上表面，所述粗造化上表面上方设置有所述金质电极。

【技术特征摘要】
1.一种基于硅衬底的多单元集成半导体LED光源芯片，其特征在于：包括金质电极、粘接金属层、硅基板、芯片连接体，所述芯片连接体一侧设置有芯片单元一，所述芯片连接体另一侧设置有芯片单元二，所述芯片单元一外侧设置有芯片壳体，所述芯片壳体底部设置有背面金质电极，所述背面金质电极上方设置有所述硅基板，所述硅基板上方设置有所述粘接金属层，所述粘接金属层上方设置有金属反射镜，所述金属反射镜上方设置有氮化镓外延层，所述氮化镓外延层上方设置有粗造化上表面，所述粗造化上表面上方设置有所述金质电极。
2.根据权利要求1所述的一种基于硅衬底的多单元集成半导体LED光源芯片，其特征在于：所述芯片单元一和所述芯片单元二之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：王金，
申请(专利权)人：王金，
类型：新型
国别省市：广东;44