小功率超低光衰半导体光源制造技术

本实用新型专利技术提出一种小功率超低光衰半导体光源，适用于较高温度环境下的具有小功率超低光衰特点，输入电压为6V，它包括支架和矩形的3V芯片，支架为以日字形金属框(2)为骨架并在骨架表面包覆有PPA塑料(3)的框架，金属框(2)包括第一日字部分(2.1)和第二日字部分(2.2)，第一日字部分(2.1)的下端面和第二日字部分(2.2)的上端面连接，金属框(2)横截面为倒T形，该倒T形的竖直部分为第一日字部分(2.1)，该倒T形的横向部分为第二日字部分(2.2)，框架的第一口部设有第一铜片(4)，框架的第二口部设有第二铜片(5)，第一铜片(4)表面粘接有两个3V芯片。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及LED
，具体讲是一种小功率超低光衰半导体光源。
技术介绍
目前半导体光源的结构多种多样，半导体光源又称为LED光源，一般包括芯片、支架，3V的常规半导体光源已经较为普遍，而向6V、9V、12V、18V等相对高压的半导体光源的研究成为了目前的主流趋势，如何设计适用于较高温度环境下的具有小功率超低光衰特点且高可靠性的半导体光源成为各厂家争相研究的方向。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，克服现有技术的缺陷，提供一种适用于较高温度环境下的具有小功率超低光衰特点且高可靠性的6V的小功率超低光衰半导体光源。为解决上述技术问题，本技术提出一种小功率超低光衰半导体光源，它包括支架和矩形的3V芯片，支架为以日字形金属框为骨架并在骨架表面包覆有PPA塑料的框架，金属框包括第一日字部分和第二日字部分，第一日字部分的下端面和第二日字部分的上端面连接，金属框横截面为倒T形，该倒T形的竖直部分为第一日字部分，该倒T形的横向部分为第二日字部分，框架的第一口部设有第一铜片，框架的第二口部设有第二铜片，第一铜片插入PPA塑料中的周边部分、第二铜片插入PPA塑料中的周边部分均位于金属框上方，第一铜片表面经导热胶粘接有两个3V芯片，两个3V芯片与第一铜片表面粘接的背面均镀有铝层，两个3V芯片分别为第一3V芯片、第二3V芯片，两个3V芯片沿框架的宽度方向依序分布，两个3V芯片的长度方向均与框架的长度方向一致，第一3V芯片、第二3V芯片上下对称分布，第一口部内上边缘与第一3V芯片上边缘之间的间距、第二3V芯片下边缘与第一口部内下边缘之间的间距相等，第一3V芯片下边缘与第二3V芯片上边缘之间的间距大于第一口部内上边缘与第一3V芯片上边缘之间的间距，第一口部内左边缘与第一3V芯片左边缘之间的间距、第一3V芯片右边缘与第一口部内右边缘之间的间距相等；第一铜片、第一3V芯片、第二3V芯片、第二铜片通过焊线依序电连接。采用上述结构后，与现有技术相比，本技术具有以下优点：上述结构为一个综合性设计，矩形的3V芯片的输入电压为3V，再将两个3V芯片串联使得输入电压达到6V，两个3V芯片的分布结构在芯片数量较少时仍然尽量实现了光照的均匀性，两个3V芯片与第一铜片表面粘接的背面均镀有铝层，粘接用导热胶粘接，从而将芯片的热量快速传导至所安装的铜片，铜片将一部分热量传导至四周连接的PPA塑料，再由PPA塑料向外传导，倒T形金属框结构强度高，使得整个框架结构稳定，且能够增强导热，导热效率高，并能够引导热量往PPA塑料下部走，以远离芯片，此番散热设计，在长期持续使用中，能够极大地避免散热不畅导致芯片光衰较大的问题，使其具有小功率超低光衰特点，同时上述设计还考虑到散热对芯片的稳定性可靠性的影响、热胀冷缩对焊线的影响等问题，即一方面，能够使焊线尽量远离3V芯片的发光区，避免焊线较多的挡住发光区，从而更有利于发光，另一方面，上述方案对芯片的布局能够实现将电连接两3V芯片之间的焊线做成倾斜分布的长度较长的弧线，从而使焊线具有更好的拉伸承受能力，在振动环境、热胀冷缩环境中都不容易断裂，具有高可靠性，因此综合获得一种适用于较高温度环境下的具有小功率超低光衰特点且高可靠性的6V的小功率超低光衰半导体光源。作为改进，各3V芯片的负极和正极均为对角线设置，其中，负极位于3V芯片的左上角，这样，能够使焊线尽量远离3V芯片的发光区，避免焊线较多的挡住发光区，从而更有利于发光。作为改进，第一口部大于第二口部，这样，第一铜片面积更大，更方便布置第一3V芯片、第二3V芯片和制作焊线，同时散热更好。附图说明图1为本技术小功率超低光衰半导体光源的俯视图。图2为本技术小功率超低光衰半导体光源的A-A向剖视图。图3为本技术小功率超低光衰半导体光源的日字形金属框的俯视图。图4为本技术小功率超低光衰半导体光源的日字形金属框的B-B向剖视放大图。图中所示，1.1、第一3V芯片，1.2、第二3V芯片，2、金属框，2.1、第一日字部分，2.2、第二日字部分，3、PPA塑料，4、第一铜片，5、第二铜片，6、焊线，7、负极，8、正极。具体实施方式下面对本技术作进一步详细的说明：本技术小功率超低光衰半导体光源，它包括支架和矩形的3V芯片，支架为以日字形金属框2为骨架并在骨架表面包覆有PPA塑料3的框架，即设有金属骨架的PPA塑料框架，金属框2包括第一日字部分2.1和第二日字部分2.2，第一日字部分2.1的下端面和第二日字部分2.2的上端面连接，金属框2横截面为倒T形，如图4所示，该倒T形的竖直部分为第一日字部分2.1，该倒T形的横向部分为第二日字部分2.2，框架的第一口部设有第一铜片4，框架的第二口部设有第二铜片5，第一铜片4插入PPA塑料中的周边部分、第二铜片5插入PPA塑料中的周边部分均位于金属框2上方，第一铜片4表面粘接有两个3V芯片，分别为第一3V芯片1.1、第二3V芯片1.2，两个3V芯片沿框架的宽度方向依序分布，两个3V芯片的长度方向均与框架的长度方向一致，第一铜片4、第一3V芯片1.1、第二3V芯片1.2、第二铜片5通过焊线6依序电连接。PPA塑料框架制作过程可以是，第一步，将第一日字部分2.1、第二日字部分2.2用导热胶粘接形成日字形金属框2，第二步，用PPA塑料将日字形金属框2包裹形成第一日字形PPA塑料框架，第三步，在第二步PPA塑料未固化前，在第一日字形PPA塑料框架第一口部、第二口部分别放上第一铜片4、第二铜片5，接着再包裹一层PPA塑料并固化形成设有第一铜片4、第二铜片5的第二日字形PPA塑料框架。在PPA塑料框架上进行芯片安装和连接采用现有技术即可。PPA塑料3为聚对苯二甲酰对苯二胺。各焊线均为空中弧线，而两个3V芯片之间用于电连接的焊线为倾斜分布的空中弧线，倾斜分布是指空中弧线在第一铜片4的投影直线与框架长边的夹角为锐角，而非直角。各3V芯片的负极7和正极8均为对角线设置，其中，负极7位于3V芯片的左上角。第一3V芯片1.1、第二3V芯片1.2上下对称分布，第一口部内上边缘与第一3V芯片1.1上边缘之间的间距、第二3V芯片1.2下边缘与第一口部内下边缘之间的间距相等，第一3V芯片1.1下边缘与第二3V芯片1.2上边缘之间的间距大于第一口部内上边缘与第一3V芯片1.1上边缘之间的间距，第一口部内左边缘与第一3V芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种小功率超低光衰半导体光源，它包括支架和矩形的3V芯片，其特征在于，支架为以日字形金属框(2)为骨架并在骨架表面包覆有PPA塑料(3)的框架，金属框(2)包括第一日字部分(2.1)和第二日字部分(2.2)，第一日字部分(2.1)的下端面和第二日字部分(2.2)的上端面连接，金属框(2)横截面为倒T形，该倒T形的竖直部分为第一日字部分(2.1)，该倒T形的横向部分为第二日字部分(2.2)，框架的第一口部设有第一铜片(4)，框架的第二口部设有第二铜片(5)，第一铜片(4)插入PPA塑料中的周边部分、第二铜片(5)插入PPA塑料中的周边部分均位于金属框(2)上方，第一铜片(4)表面经导热胶粘接有两个3V芯片，两个3V芯片与第一铜片(4)表面粘接的背面均镀有铝层，两个3V芯片分别为第一3V芯片(1.1)、第二3V芯片(1.2)，两个3V芯片沿框架的宽度方向依序分布，两个3V芯片的长度方向均与框架的长度方向一致，第一3V芯片(1.1)、第二3V芯片(1.2)上下对称分布，第一口部内上边缘与第一3V芯片(1.1)上边缘之间的间距、第二3V芯片(1.2)下边缘与第一口部内下边缘之间的间距相等，第一3V芯片(1.1)下边缘与第二3V芯片(1.2)上边缘之间的间距大于第一口部内上边缘与第一3V芯片(1.1)上边缘之间的间距，第一口部内左边缘与第一3V芯片(1.1)左边缘之间的间距、第一3V芯片(1.1)右边缘与第一口部内右边缘之间的间距相等；第一铜片(4)、第一3V芯片(1.1)、第二3V芯片(1.2)、第二铜片(5)通过焊线(6)依序电连接。...

【技术特征摘要】
1.一种小功率超低光衰半导体光源，它包括支架和矩形的3V芯片，其特征
在于，支架为以日字形金属框(2)为骨架并在骨架表面包覆有PPA塑料(3)的
框架，金属框(2)包括第一日字部分(2.1)和第二日字部分(2.2)，第一日字
部分(2.1)的下端面和第二日字部分(2.2)的上端面连接，金属框(2)横截
面为倒T形，该倒T形的竖直部分为第一日字部分(2.1)，该倒T形的横向部分
为第二日字部分(2.2)，框架的第一口部设有第一铜片(4)，框架的第二口部设
有第二铜片(5)，第一铜片(4)插入PPA塑料中的周边部分、第二铜片(5)插
入PPA塑料中的周边部分均位于金属框(2)上方，第一铜片(4)表面经导热胶
粘接有两个3V芯片，两个3V芯片与第一铜片(4)表面粘接的背面均镀有铝层，
两个3V芯片分别为第一3V芯片(1.1)、第二3V芯片(1.2)，两个3V芯片沿框
架的宽度方向依序分布，两个3V芯片的长度方向均与框架的...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋明杰，黄星，
申请(专利权)人：浙江唯唯光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33