Including the manufacturing method, the invention provides a semiconductor chip in composite substrate with semiconductor thin film structure, get the structure of I; the semiconductor thin film for lithography, define the graphics after etching, etching to remove the photoresist, corrosion, cleaning, sequentially forming a reflective ohmic contact layer, barrier layer, bonding layer structure II; the structure II bonding layer through bonding transfer welding, plating, or a combination of both to the adhesive layer on the conductive substrate, the structure of III III structure; into the corrosive liquid eroding corrosion layer structure V; the structure V is coarse, go to the edge get, passivation, passivation layer, removing the passivation layer to do electrode area, do N electrode to obtain the finished product. The invention reduces the difficulty of growing the semiconductor thin film with the lattice and the thermal stress mismatch of the epitaxial substrate, and simplifies the chip manufacturing process and reduces the chip manufacturing cost.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
,尤其涉及半导体芯片的制造方法。
技术介绍
半导体发光器件具有广泛的用途。例如半导体发光二极管,可以应用于仪器工作状态指示、交通信号灯、大屏幕显示、照明等等。半导体发光器件,根据其所用衬底的电导率以及外延层设计的不同,具有同侧电极和上下电极两种结构(即垂直结构),后来又衍生出了倒装芯片和薄膜倒装芯片;倒装芯片、垂直结构或薄膜倒装的发光器件,具有封装简单,可靠性较高等优点,是将来的主流芯片形式。目前LED芯片外延时主流衬底是蓝宝石衬底,蓝宝石衬底的垂直结构或倒装薄膜器件的一般制作方法是:将蓝宝石衬底上外延生长的具有LED结构的铟镓铝氮薄膜与新的支撑衬底通过金锡等合金绑定压焊在一起,然后通过激光剥离的办法去除生长衬底,实现铝镓铟氮(AlGaInN)薄膜从生长衬底到支撑衬底的转移;该技术方案的效果是可以改善器件的散热,将蓝宝石衬底上外延的铟镓铝氮薄膜转移到导热率、电导率高的硅衬底或者金属衬底上,这样实现了垂直结构或薄膜倒装结构芯片,这种芯片容易实现表面粗化而利于出光,有效的散热及出光使得这类器件的电光转换效率和可靠性均得到一定改善;制作同侧结构、倒装结构芯片时都需要保留蓝宝石,这就造成蓝宝石衬底的浪费,虽然上述制作垂直芯片、薄膜倒装芯片时要脱开蓝宝石,但是现有技术被脱开的生长衬底蓝宝石很难重复使用,如此不管采用何种芯片的制造方法都浪费了蓝宝石,不利于芯片制造成本的降低;虽然垂直结构或倒装薄膜芯片有导热好、出光好的特点,或许是将来的发展趋势,但是在制作他们时,现有这种通过激光剥离转移的技术获得的器件可靠性仍然不理想,主要原因在激光剥离 ...
【技术保护点】
一种半导体芯片的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)、在复合衬底上生长有器件结构的半导体薄膜,得到结构I;所述复合衬底包括衬底、在衬底上生长的腐蚀层以及在腐蚀层上生长的保护层;(2)、将半导体薄膜进行光刻,定义出芯片图形后刻蚀,刻蚀到腐蚀层,然后去掉光刻胶,清洗,依次形成反射欧姆接触层、反射欧姆接触层的阻挡保护层、键合金属层,得到结构II;(3)、将结构II的阻挡保护层通过邦定压焊、电镀、或者两者混合的方式转移到导电基板的粘结层上,得到结构III;所述导电基板从下到上依次包括:接触层、导电硅片或金属片的导热导电片、阻挡层、粘结层;(4)、将结构III放入腐蚀液中腐蚀掉腐蚀层,得到结构V;(5)、将结构V进行粗化,去边、钝化,得到钝化层,然后去掉要做电极地方的钝化层,做上N电极,最终得到成品。
【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)、在复合衬底上生长有器件结构的半导体薄膜,得到结构I;所述复合衬底包括衬底、在衬底上生长的腐蚀层以及在腐蚀层上生长的保护层;(2)、将半导体薄膜进行光刻,定义出芯片图形后刻蚀,刻蚀到腐蚀层,然后去掉光刻胶,清洗,依次形成反射欧姆接触层、反射欧姆接触层的阻挡保护层、键合金属层,得到结构II;(3)、将结构II的阻挡保护层通过邦定压焊、电镀、或者两者混合的方式转移到导电基板的粘结层上,得到结构III;所述导电基板从下到上依次包括:接触层、导电硅片或金属片的导热导电片、阻挡层、粘结层;(4)、将结构III放入腐蚀液中腐蚀掉腐蚀层,得到结构V;(5)、将结构V进行粗化,去边、钝化,得到钝化层,然后去掉要做电极地方的钝化层,做上N电极,最终得到成品。2.根据权利要求1所述的芯片的制造方法,其特征在于,步骤(1)中所述衬底为蓝宝石、碳化硅、硅、GaN、A1N中的任意一种或蓝宝石、碳化硅、硅、GaN、A1N的图形衬底中的任意一种。3.根据权利要求1所述的芯片的制造方法,其特征在于,步骤(1)中所述腐蚀层为氧化锌、氧化锌镁、氧化镁/氧化锌的叠层结构或镁/氧化锌镁/氧化锌的叠层结构薄膜中的一种,生长方法采用有机化学...
【专利技术属性】
技术研发人员:汤英文,
申请(专利权)人:闽南师范大学,江苏达安光电有限公司,
类型:发明
国别省市:福建;35
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