【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体发光芯片，进一步涉及一种电流均匀分布和发光效率高的。
技术介绍
随着半导体发光芯片发光效率的提升和制造成本的下降，半导体发光芯片已被广泛应用于背光、显示和照明等领域。常见的半导体发光芯片包括衬底、n型导电层、发光层、p型导电层、n型电极、p型电极、导电线、绝缘层、焊盘等，n型导电层、发光层与p型导电层共同组成半导体叠层设置在衬底上，n型电极与p型电极分别导电连接n型导电层与p型导电层，通过导电线实现n型电极和P型电极与焊盘之间的连接。然而，现有半导体发光芯片中导电线导热效果差、易断裂，以及存在电极遮光效应，电流分布不均匀等缺陷与问题，因此，有必要设计一种电流分布均匀、发光均匀的半导体发光芯片
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于，提供一种通过电极互连层达到电流均匀分布，提高发光效率和均匀度的。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:提供一种半导体发光芯片，包括具有第一表面和第二表面的衬底，在所述衬底第一表面有一至少包括n型导电层、发光层和p型导电层的半导体叠层；在所述半导体叠层表面至少有一裸露出部分n型导电层的n型电极台阶、n型...
【技术保护点】
一种半导体发光芯片，包括具有第一表面和第二表面的衬底，在所述衬底第一表面有—至少包括n型导电层、发光层和p型导电层的半导体叠层；其特征在于，在所述半导体叠层表面至少有一裸露出部分n型导电层的n型电极台阶、n型电极凹槽和/或n型电极凹孔，所述半导体发光芯片的所有裸露的、具有导电性的表面和侧面被至少一绝缘层所包裹；?所述绝缘层表面设有裸露的至少一p型电极和至少一第一n型电极；所述p型电极贯穿所述绝缘层与所述p型导电层导电连接；所述绝缘层内设有n型电极互连层，所述第一n型电极贯穿位于所述n型电极互连层上方的所述绝缘层与所述n型电极互连层导电连接，所述n型电极互连层通过至少一贯穿位...
【技术特征摘要】
1.一种半导体发光芯片,包括具有第一表面和第二表面的衬底,在所述衬底第一表面有一至少包括n型导电层、发光层和p型导电层的半导体叠层；其特征在于，在所述半导体叠层表面至少有一裸露出部分n型导电层的n型电极台阶、n型电极凹槽和/或n型电极凹孔，所述半导体发光芯片的所有裸露的、具有导电性的表面和侧面被至少一绝缘层所包裹; 所述绝缘层表面设有裸露的至少一 P型电极和至少一第一 n型电极；所述p型电极贯穿所述绝缘层与所述P型导电层导电连接；所述绝缘层内设有n型电极互连层，所述第一 n型电极贯穿位于所述n型电极互连层上方的所述绝缘层与所述n型电极互连层导电连接，所述n型电极互连层通过至少一贯穿位于所述n型电极互连层下方的所述绝缘层的第二 n型电极与所述n型导电层导电连接，所述第二 n型电极设在所述n型电极台阶、n型电极凹槽和/或n型电极凹孔内，并与所述n型导电层导电连接，与所述发光层和p型导电层绝缘；所述P型电极与所述第一 n型电极、n型电极互连层和第二 n型电极间彼此绝缘。2.根据权利要求1所述的半导体发光芯片，其特征在于，所述半导体发光芯片还包括p型电极互连层，所述P型电极互连层设置于所述绝缘层中； 所述P型电极包括至少一第一 P型电极和至少一第二 P型电极，所述第一 P型电极贯穿位于所述P型电极互连层上方的所述绝缘层与所述P型电极互连层导电连接，所述P型电极互连层通过贯穿位于所述P型电极互连层下方的所述绝缘层的所述第二P型电极与所述P型导电层导电连接；所述P型电极与所述发光层和n型导电层绝缘。3.根据权利要求1或2所述的半导体发光芯片，其特征在于，所述p型导电层表面与所述绝缘层之间设有P型电流扩展层，所述P型电流扩展层与所述P型电极导电连接；所述P型电流扩展层包括P型金属扩散阻挡层、P型导电扩展层、P型反射层、P型接触层中的一种或多种；和/或， 所述n型电极台阶的表面、n型 电极凹槽的底面和/或n型电极凹孔的底面与所述绝缘层之间设有n型电流扩展层，所述n型电流扩展层与所述第二 n型电极导电连接；所述n型电流扩展层包括n型金属扩散阻挡层、n型导电扩展层、n型反射层、n型接触层中的一种或多种。4.根据权利要求1或2所述的半导体发光芯片，其特征在于，所述绝缘层的部分或全部含有一光反射层；所述光反射层沿着所述半导体叠层表面和侧面分布位于所述绝缘层内或位于所述绝缘层的裸露表面；所述光反射层与所述半导体叠层、P型电极、第一 n型电极、第二 n型电极及n型电极互连层间彼此绝缘。5.根据权利要求1或2所述的半导体发光芯片，其特征在于，裸露在所述绝缘层表面的所述P型电极的位置处设有一与所述P型电极导电连接并紧贴在所述绝缘层表面的P型焊垫；和/或 裸露在所述绝缘层表面的所述第一 n型电极的位置处设有一与所述第一 n型电极导电连接并紧贴在所述绝缘层表面的n型焊垫。6.根据权利要求5所述的半导体发光芯片，其特征在于，所述p型焊垫与所述n型焊垫之间设有至少一紧贴在所述绝缘层表面的阻焊层，所述阻焊层与所述n型焊垫和p型焊垫之间彼此绝缘。7.根据权利要求1或2所述的半导体发光芯片，其特征在于，在所述半导体发光芯片四周有一内凹；所述内凹位于所述半导体发光芯片的所述半导体叠层一侧，所述内凹的底面位于所述衬底第一表面或所述衬底内。8.根据权利要求7所述的半导体发光芯片，其特征在于，所述内凹处裸露的衬底表面或衬底表面和侧面的部分或全部被一光反射层所覆盖，或被至少一绝缘层所包裹；所述绝缘层的部分或全部含有一光反射层；所述光反射层沿着所述内凹处裸露的衬底表面或衬底表面和侧面分布位于所述绝缘层内或位于所述绝缘层的裸露表面； 所述光反射层与所述半导体叠层、P型电极、第一 n型电极、第二 n型电极及n型电极互连层间彼此绝缘。9.一种半导体发光芯片的制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤: 51、制备半导体叠层，所述半导体叠层按n型导电层、发光层、p型导电层的次序，设置在衬底的第一表面上； 52、在所述半导体叠层上制备n型电极台阶、n型电极凹槽和/或n型电极凹孔；所述n型电极台阶的表面位于所述n型导电层内或者位于所述n型导电层表面，所述n型电极凹槽和/或n型电极凹孔贯穿所述p型导电层和发光层至所述n型导电层内或者所述n型导电层表面；或者， 在制备所述n型电极台阶、n型电极凹槽和/或n型电极凹孔前或后，沿所述半导体叠层四周制备内凹，或当在同一所述衬底制备多个所述半导体发...
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