一种具电流扩散结构的发光二极管与其制造方法技术

一种具电流扩散结构的发光二极管与其制造方法，其包含一N型电极、一N型半导体层、一电流阻挡层、一发光层、一P型半导体层与一P型电极，其中该N型半导体层、该发光层与该P型半导体层形成三明治结构，该N型电极与该P型电极分别设置在该N型半导体层与该P型半导体层上，且本发明专利技术为让该电流阻挡层对应该N型电极的图案分布埋设在该N型半导体层内，据此本发明专利技术通过让该电流阻挡层埋设在该N型半导体层内，除了可让该N型电极所产生的电流绕过该电流阻挡层而均匀地通过该发光层之外，更可避免接口效应造成阻抗增加，因而可以提升发光效率，且本发明专利技术可让该发光层的主要发光区远离该N型电极，可减少该N型电极的光遮蔽量而提升发光亮度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关发光二极管，特别是指可增加发光效率的发光二极管。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode, LED)中主要由发光的半导体材料多重嘉晶而成，以蓝光发光二极管为例。其主要是由氮化镓基(GaN-based)磊晶薄膜组成，堆栈形成具有一 N型半导体层、一发光层与一 P型半导体层的三明治结构。请参阅图1所示，为一种现有水平式发光二极管1，其在P型半导体2中置入电流阻挡层3，以通过电流阻挡层3的阻挡而分散电流让发光层4可以均匀的发光而增加发光效率，然而此种水平式发光二极管结构，其发光区域先天上受到了限制，为了减少电极的光遮蔽量，其P型电极5多半采用透明的导电层(如氧化铟锡)，以增加透光率，然而氧化铟锡的导电率不佳，易造成接口效应，导致阻抗增加，其发光效率无法有效的提高。请参阅图2所示，为另一种现有垂直式发光二极管6，其不须采用透明导电层，因而没有氧化铟锡导电率不佳的问题，然而其让该电流阻挡层7设置在P型半导体8与P型电极9之间，其造成P型半导体8与P型电极9的接触面积减少，仍然会导致阻抗的增加，而无法有效提闻发光效率。显然，现有技术在分散电流的同时，其无法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具电流扩散结构的发光二极管，其特征在于，包含：一N型半导体层；一发光层，该发光层设置在该N型半导体层的一侧；一P型半导体层，该P型半导体层设置在该发光层远离该N型半导体层的一侧；一N型电极，该N型电极具有一图案分布，且设置在该N型半导体层远离该发光层的一侧；一P型电极，该P型电极设置在该P型半导体层远离该发光层的一侧；一电流阻挡层，该电流阻挡层具有该图案分布且对应该N型电极埋设在该N型半导体层内。

【技术特征摘要】
1.一种具电流扩散结构的发光二极管，其特征在于，包含: 一 N型半导体层； 一发光层，该发光层设置在该N型半导体层的一侧； 一 P型半导体层，该P型半导体层设置在该发光层远离该N型半导体层的一侧； 一 N型电极，该N型电极具有一图案分布，且设置在该N型半导体层远离该发光层的一侧； 一 P型电极，该P型电极设置在该P型半导体层远离该发光层的一侧； 一电流阻挡层，该电流阻挡层具有该图案分布且对应该N型电极埋设在该N型半导体层内。2.根据权利要求1所述的具电流扩散结构的发光二极管，其特征在于，该电流阻挡层为选自金属氧化物制成。3.根据权利要求2所述的具电流扩散结构的发光二极管，其特征在于，该电流阻挡层为选自二氧化钛与二氧化硅所组成的群组制成。4.根据权利要求1所述的具电流扩散结构的发光二极管，其特征在于，该电流阻挡层的厚度为10 500纳米。5.根据权利要求1所述的具电流扩散结构的发光二极管，其特征在于，该N型半导体层包含一第一 N型半导体层与一第二 N型半导体层，该电流阻挡层设置在该第一 N型半导体层与该第二 N型半导体层之间。6.根据权利要求1所述的具电流扩散结构的发光二极管，其特征在于，该P型电极与该P型半导体层之间更设置一金属反射层，该金属反射层为选自铝、镍、银与钛所组成的群组制成。7.根据权利要求6所述的具电流扩散结构的发光二极管，其特征在于，该金属反射层与该P型电极之间更设置一屏障层、一结合层与一永久基板，该屏障层为选自钛、鹤、钼、镍、铝与铬所组成的群组制成，该结合层为选自金锡合金、金铟合金与金铅合金的任一种制成，该永久基板为选自娃基板、铜基板、铜鹤基板、氣化招基板与氣化钦基板的任一种制成。8.一种具电流扩散结构的发光二极管制造方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈复邦，颜伟昱，张智松，
申请(专利权)人：联胜光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：