半导体封装件和包括半导体封装件的三维半导体封装件制造技术

提供了半导体封装件和包括半导体封装件的三维半导体封装件。该半导体封装件包括半导体芯片和设置在半导体芯片上的扩展裸片，其中，半导体芯片包括发热点，发热点被构造成在半导体芯片中产生大于或等于预定参考温度的温度，发热点设置在扩展裸片的中心区域中。

【技术实现步骤摘要】
本申请要求于2015年4月23日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2015-0057271号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
与示例性实施例一致的设备涉及一种半导体装置，更具体地，涉及一种半导体封装件和一种包括半导体封装件的三维半导体封装件。
技术介绍
近来，根据电子装置中包括的各种功能的开发，半导体装置的性能能力有所提高。半导体装置的性能能力提高会造成半导体装置的发热问题。已经进行了各种研究来解决半导体装置的发热问题。
技术实现思路
专利技术构思的至少一个示例性实施例提供一种半导体封装件，该半导体封装件通过将半导体芯片的发热点设置在与扩展裸片的中心对应的中心区域中来增强性能。专利技术构思的至少一个示例性实施例提供一种三维半导体封装件，该三维半导体封装件通过将半导体芯片的发热点设置在与扩展裸片的中心对应的中心区域中来增强性能。根据示例性实施例的一方面，提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括半导体芯片和扩展裸片。扩展裸片组合到半导体芯片。与半导体芯片中的产生大于或等于预定参考温度的热的点对应的发热点设置在与扩展裸片的中心对应的中心区域中。在示例性实施例中，扩展裸片的大小可大于半导体芯片的大小。在示例性实施例中，扩展裸片可包括扩展层和侧面层。扩展层可组合到半导体芯片的第一表面。侧面层可设置在扩展层上并且可组合到半导体芯片
的侧面。在示例性实施例中，侧面层的高度可与半导体芯片的高度相同。在示例性实施例中，扩展裸片还可包括设置在侧面层上的侧凸点。在示例性实施例中，侧凸点的大小可与组合到半导体芯片的第二表面的凸点的大小相同。在示例性实施例中，半导体封装件可通过连接在半导体芯片和侧凸点之间的信号线传递信号。在示例性实施例中，半导体封装件可通过连接在半导体芯片和侧凸点之间的电源线传递电源电压。在示例性实施例中，扩展裸片还可包括设置在侧面层上的额外侧面层。在示例性实施例中，额外侧面层的高度可与组合到半导体芯片的第二表面的凸点的高度相同。在示例性实施例中，发热点可以在半导体芯片的测试过程中预先确定。在示例性实施例中，发热点可以是半导体芯片上的具有大于或等于预定参考温度的温度的点。在示例性实施例中，如果半导体芯片具有多个发热点，则所述多个发热点之中的与最高温度对应的最高温度发热点可设置在扩展裸片的中心区域中。在示例性实施例中，如果半导体芯片包括多个发热点，则半导体封装件可包括多个扩展裸片。在示例性实施例中，所述多个发热点中的每个可设置在与所述多个发热点对应的所述多个扩展裸片中的每个的中心区域中。在示例性实施例中，如果半导体芯片中的某个点的温度在预定时间段期间等于或大于预定参考温度，则所述某个点可对应于发热点。在示例性实施例中，发热点可根据半导体芯片中包括的组件的操作时间来确定。在示例性实施例中，发热点可以是对应于半导体芯片中包括的中央处理单元(CPU)的点。在示例性实施例中，发热点可以是对应于半导体芯片中包括的图形处理单元(GPU)的点。根据另一示例性实施例的一方面，提供一种三维半导体封装件，所述三
维半导体封装件包括多个半导体封装件和硅通孔。所述多个半导体封装件中的每个包括半导体芯片和扩展裸片。硅通孔连接所述多个半导体封装件。扩展裸片组合到半导体芯片。半导体芯片中的与产生等于或大于预定参考温度的点对应的发热点可设置在与扩展裸片的中心对应的中心区域中。在示例性实施例中，扩展裸片可包括扩展层、侧面层和侧凸点。扩展层可组合到半导体芯片的第一表面。侧面层可设置在扩展层上并且可组合到半导体芯片的侧面。侧凸点可设置在侧面层上。在示例性实施例中，扩展裸片可包括扩展层、侧面层和额外侧面层。扩展层可组合到半导体芯片的第一表面。侧面层可设置在扩展层上并且可组合到半导体芯片的侧面。额外侧面层可设置在侧面层上。在示例性实施例中，额外侧面层的高度可以与组合到半导体芯片的第二表面的凸点的高度相同。根据另一示例实施例的一方面，提供一种三维半导体封装件，所述三维半导体封装件包括多个半导体封装件和中介层。所述多个半导体封装件中的每个包括半导体芯片和扩展裸片。中介层连接所述多个半导体封装件。扩展裸片组合到半导体芯片。半导体芯片中的与产生等于或大于预定参考温度的热的点对应的发热点设置在与扩展裸片的中心对应的中心区域中。在示例性实施例中，发热点可在半导体芯片的测试过程中预先确定。如果半导体芯片中的某个点的温度在预定时间段期间大于或等于预定参考温度，则所述某个点可对应于发热点。根据另一示例实施例的一方面，提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片；以及扩展裸片，设置在半导体芯片上，其中，半导体芯片包括发热点，发热点被构造成在半导体芯片中产生大于或等于预定参考温度的温度，发热点设置在扩展裸片的中心区域中。扩展裸片的大小可大于半导体芯片的大小。扩展裸片可包括：扩展层，附着到半导体芯片的第一表面；侧面层，设置在扩展层上并且附着到半导体芯片的侧面。侧面层的高度可等于半导体芯片的高度。扩展裸片还可包括设置在侧面层上的侧凸点。侧凸点的大小可等于附着到半导体芯片的第二表面的凸点的大小。半导体封装件可被构造成通过连接在半导体芯片和侧凸点之间的信号线
传递信号。半导体封装件可被构造成通过连接在半导体芯片和侧凸点之间的电源线传递电源电压。扩展裸片还可包括设置在侧面层上的额外侧面层。额外侧面层的高度可等于附着到半导体芯片的第二表面的凸点的高度。发热点可以在半导体芯片的测试过程中预先确定。发热点可对应于半导体芯片上的具有大于或等于预定参考温度的温度的点。响应于半导体芯片包括多个发热点，所述多个发热点之中的与具有最高温度的发热点对应的最大温度发热点可设置在扩展裸片的中心区域中。响应于半导体芯片包括多个发热点，半导体封装件可包括多个扩展裸片。所述多个发热点中的每个可设置在与所述多个发热点对应的所述多个扩展裸片中的每个的中心区域中。响应于半导体芯片中的某个点的温度在预定时间段期间大于或等于预定参考温度，所述某个点可对应于发热点。发热点可根据半导体芯片中包括的组件的操作时间来确定。发热点可对应于半导体芯片中包括的中央处理单元(CPU)的位置。发热点可对应于半导体芯片中包括的图形处理单元(GPU)的位置。根据另一示例实施例的一方面，提供一种三维半导体封装件，所述三维半导体封装件包括：多个半导体封装件；以及通孔，连接所述多个半导体封装件，其中，所述多个半导体封装件中的每个包括半导体芯片和设置在半导体芯片上的扩展裸片，其中，半导体芯片包括发热点，发热点被构造成在半导体芯片中产生大于或等于预定参考温度的温度，发热点设置在扩展裸片的中心区域中。通孔可包括硅通孔。扩展裸片可包括：扩展层，附着到半导体芯片的第一表面；侧面层，设置在扩展层上并且附着到半导体芯片的侧面；以及侧凸点，设置在侧面层上。扩展裸片可包括：扩展层，附着到半导体芯片的第一表面；侧面层，设置在扩展层上并且附着到半导体芯片的侧面；以及额外侧面层，设置在侧面层上。额外侧面层的高度可等于附着到半导体芯片的与第一表面相对的第二表
面的凸点的高度。根据另一示例实施例的一方面，提供一种三维半导体封装件，所述三维半导体封装件包括：多个半导体封装件；以及中介层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件，包括：半导体芯片；以及扩展裸片，设置在半导体芯片上，其中，半导体芯片包括发热点，发热点被构造成在半导体芯片中产生大于或等于预定参考温度的温度，发热点设置在扩展裸片的中心区域中。

【技术特征摘要】
2015.04.23 KR 10-2015-00572711.一种半导体封装件，包括：半导体芯片；以及扩展裸片，设置在半导体芯片上，其中，半导体芯片包括发热点，发热点被构造成在半导体芯片中产生大于或等于预定参考温度的温度，发热点设置在扩展裸片的中心区域中。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，扩展裸片的大小大于半导体芯片的大小。3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，扩展裸片包括：扩展层，附着到半导体芯片的第一表面；以及侧面层，设置在扩展层上并且附着到半导体芯片的侧面。4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，侧面层的高度等于半导体芯片的高度。5.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，扩展裸片还包括设置在侧面层上的侧凸点。6.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，侧凸点的大小等于附着到半导体芯片的第二表面的凸点的大小。7.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，半导体封装件被构造成通过连接在半导体芯片和侧凸点之间的信号线传递信号。8.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，半导体封装件被构造成通过连接在半导体芯片和侧凸点之间的电源线传递电源电压。9.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，扩展裸片还包括设置在侧面层上的额外侧面层。10.根据权利要求9所述的半导体封装件，其中，额外侧面层的高度等于附着到半导体芯片的第二表面的凸点的高度。11.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，发热点在半导体芯片的测试过程中预先确定。12.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中，发热点对应于半导体芯片上的具有大于或等于预定参考温度的温度的点，并且响应于半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东翰，文济吉，金郁，安敏善，任允赫，全基文，郑载洙，崔范根，河丁寿，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR