半导体元件、制作方法及其堆叠结构技术

本发明专利技术公开一种半导体元件、制作方法及其堆叠结构，该半导体元件包括一基板、一重布线路层、多个直通硅晶穿孔、一电镀籽晶层、一防氧化层以及一缓冲层。基板具有相对的一第一表面与一第二表面以及多个开孔。重布线路层配置于该第一表面上，而直通硅晶穿孔分别配置于开孔内。电镀籽晶层配置于每一开孔的孔壁与对应的直通硅晶穿孔之间。此外，防氧化层配置于电镀籽晶层与对应的直通硅晶穿孔之间。缓冲层覆盖第一表面并且暴露出重布线路层。此外，一种半导体元件的制造方法以及堆叠结构亦被提及。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体元件，包括：基板，具有相对的第一表面、第二表面以及多个开孔，其中该些开孔分别连接该第一表面与该第二表面；重布线路层，配置于该第一表面上；多个直通硅晶穿孔，配置于该些开孔内，并且分别具有相对的第一端与第二端，其中每一该些直通硅晶穿孔的该第一端连接至该重布线路层，而该第二端突出于该第二表面上；电镀籽晶层，配置于每一该些开孔的孔壁与对应的该些直通硅晶穿孔之间；防氧化层，配置于该电镀籽晶层与对应的该些直通硅晶穿孔之间，并且部分的该防氧化层覆盖对应的该些直通硅晶穿孔的该第二端；以及缓冲层，配置于该基板上，并覆盖该第一表面，且暴露出该重布线路层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：沈文维，陈冠能，柯正达，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71