封装结构及其制法制造技术

本发明专利技术涉及一种封装结构的制作方法，包括步骤：提供软板包括挠折区与叠合区，软板厚度方向依次包括第一导电线路层、第一介电层及与承载结构层，第一导电线路层具有位于挠折区远离叠合区一端的连接端子，承载结构层对应叠合区；在第一导电线路层上形成第二介电层及第二导电线路层及在承载结构层上形成第三介电层及第三导电线路层，第二导电线路层由第一导电孔与第一导电线路层电连接，第三导电线路层由第二导电孔与第一导电线路层电连接，第二介电层、第二导电线路层、第三介电层及第三导电线路层对应叠合区；在第二导电线路层上形成具开口的第一防焊层，部分第二导电线路层从第一防焊层露出形成第一电性接触垫。本发明专利技术还涉及一种封装结构。

【技术实现步骤摘要】


本专利技术涉及一种封装结构及其制法。

技术介绍

封装结构一般包括封装基板及安装于封装基板上的芯片。目前，封装基板通常包括封装面及与封装面相背的电连接面。所述芯片封装在所述封装面。所述电连接面具有多个电性接触垫。所述封装结构通过电性连接垫实现与外部装置的电性连接。然而，由于所述多个电性连接垫处于同一平面，无法实现立体的、多方位的电性连接。

技术实现思路

有鉴于此，有必要提供一种克服上述问题的电路板及电路板的制作方法。
一种封装结构的制作方法，包括步骤：提供一个软性电路板包括相互连接的挠折区与叠合区，所述软性电路板厚度方向包括第一介电层及其相背两侧的第一导电线路层及承载结构层，所述第一导电线路层在所述挠折区远离所述叠合区的端部具有一个连接端子，所述承载结构层与所述叠合区对应；在所述第一导电线路层上形成第二介电层及第二导电线路层及在所述承载结构层上形成第三介电层及第三导电线路层，所述第二导电线路层通过第一导电孔与所述第一导电线路层电性连接，所述第三导电线路层通过第二导电孔与所述第一导电线路层电性连接，所述第二导电孔与所述承载结构层电绝缘，所述第二介电层、第二导电线路层、第三介电层及第三导电线路层均与所述叠合区对应；在所述第二导电线路层上形成具有开口的第一防焊层，部分所述第二导电线路层从所述第一防焊层露出形成第一电性接触垫。
一种封装结构包括软性电路板、第一增层结构、第二增层结构及第一防焊层。所述软性电路板包括挠折区及叠合区。所述软性电路板厚度方向包括第一介电层位于其相对两侧的第一导电线路层及承载结构层。所述第一导电线路层在所述挠折区远离叠合区的端部具有一个连接端子。所述承载结构层与所述叠合区对应。所述第一增层结构形成在所述第一导电线路层上且与所述叠合区对应。所述第一增层结构包括第二介电层及第二导电线路层。所述第二导电线路层通过第一导电孔与所述第一导电线路层电性连接。所述第二增层结构形成在所述承载结构层上。所述第二增层结构包括第三介电层及第三导电线路层。所述第三导电线路层通过第二导电孔与所述第一导电线路层电性连接。所述第一防焊层形成在所述第二导电线路层上。所述第一防焊层开设有开口，露出部分所述第二导电线路层形成第一电性接触垫。
相较于现有技术，本专利技术提供的封状结构包括软性电路板，所述软性电路板包括挠折区与叠合区，且所述挠折区远离叠合区的端部具有连接端子，通过所述连接端子与外部装置电性连接，可根据外部装置的具体位置对挠折区进行适当弯折，因此，可实现立体的多方位的电性连接。
附图说明
图1是本专利技术实施方式所提供的软性线路板的剖面示意图。
图2是本专利技术实施方式所提供的软性基板的剖面示意图。
图3是其他实施方式所提供的软性基板的剖面示意图。
图4是将图3中第一铜箔层制成第一导电线路层后的剖面示意图。
图5是其他实施方式所提供的承载结构层的剖面示意图。
图6是在图1的第一导电线路层及承载结构层分别形成第一覆盖层及第二覆盖层后的剖面示意图。
图7是本实施方式中在图6的第一覆盖层上形成第二介电层及第二导电线路层，以及在第二覆盖层上形成第三介电层及第三导电线路层后的剖面示意图。
图8是本实施方式中所提供的第一增层结构及第二增层结构的剖面示意图。
图9是将图8的第一增层结构及第二增层结构分别压合到图6的第一覆盖层及第二覆盖层后的剖面示意图。
图10是在图9的第二导电线路层及第二介电层中开设第一盲孔，以及在第三导电线路层及第三介电层开设第二盲孔后的剖面示意图。
图11是其他实施方式中在图6的第一覆盖层上形成第二介电层及第二导电线路层，以及在第二覆盖层上形成第三介电层及第三导电线路层后的剖面示意图。
图12是其他实施方式中在图6的第一覆盖层及第二覆盖层分别压合第二介电层及第三介电层后的剖面示意图。
图13是在图12的第二介电层及第三介电层分别开设第一盲孔及第二盲孔后的剖面示意图。
图14是在图13的第二介电层表面及第一盲孔孔壁形成第一电镀种子层，以及在第三介电层表面及第二盲孔的孔壁形成第二电镀种子层后的剖面示意图。
图15是在图14的第一电镀种子层上形成图案化的第一电镀阻挡层，及在第二电镀种子层上形成图案化的第二电镀阻挡层后的剖面示意图。
图16是在图15中从第一电镀阻挡层露出的第一电镀种子层上形成第一电镀层并电镀填满第一盲孔，及在从第二电镀阻挡层露出的第二电镀种子层上形成第二电镀层并电镀填满第二盲孔后的剖面示意图。
图17是在移除图16中的第一电镀阻挡层及被其覆盖的第一电镀种子层，以及移除第二电镀阻挡层及被其覆盖的第二电镀阻挡层后的剖面示意图。
图18是在图7的第二导电线路层上形成第一防焊层及在第三导电线路层形成第二防焊层后的剖面示意图。
图19是在图18的第二导电线路层侧安装芯片后的剖面示意图。
图20是本专利技术实施方式提供的封装结构的使用状态参考图。
主要元件符号说明
封装结构100软性电路板10挠折区11叠合区12第一介电层13第一表面131第二表面132第一导电线路层14连接端子141承载结构层15第一开口151软性基板101、102第一铜箔层140承载层150第一覆盖层16第二开口161第二覆盖层17第一增层结构20第二介电层21第二导电线路层22第二增层结构30第三介电层31第三导电线路层32第一导电孔211第二导电孔311第一盲孔210第二盲孔310第一电镀种子层221第二电镀种子层321第一电镀阻挡层23第二电镀阻挡层33第一防焊层40第二防焊层50第三开口41第四开口51第一电性接触垫24第二电性接触垫34芯片60电极垫61焊球70底胶80第一外部装置200第二外部装置300如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。
具体实施方式
下面将结合附图及实施方式对本专利技术提供的封装结构及封装结构的制作方法作进一步的详细说明。
本专利技术实施方式提供的封装结构100的制作方法，包括步骤：
第一步，请参阅图1，提供一个软性电路板10。
所述软性电路板10包括相互连接的挠折区11及叠合区12。所述软性电路板10在其厚度方向上包括第一介电层13及位于所述第一介电层13相背两侧的第一导电线路层14及承载结构层15。所述第一介电层13具有相背的第一表面131及第二表面132。所述第一导电线路层14位于所述第一表面131。所述第一导电线路层14包括位于所述挠折区11远离叠合区12一端的连接端子141。所述连接端子141用于电性连接第一外部装置。所述承载结构层15位于所述第二表面132。所述承载结构层15与所述叠合区12对应，且部分延伸至所述挠折区11。所述承载结构层15用于为所述叠合区12提供刚性支撑。所述承载结构层15开设有多个第一开口151。部分第一介电层13从所述第一开口151露出。
本实施方式中，所述软性电路板10可通过如下方式获得。
首先，请参阅图2，提供一个软性基板101。所述软性基板101包括相互连接的挠折区11及叠合区12。所述软性基板101为双面板。所述软性基板101在其厚度方向上包括第一介电层13及位于所述第一介电层13相背两侧的第一铜箔层140及承载层150。所述第一介电层13可由聚酰亚胺或聚酯等具一定挠折性的绝缘材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装结构的制作方法，包括步骤：提供一个软性电路板包括相互连接的挠折区与叠合区，所述软性电路板厚度方向包括第一介电层及其相背两侧的第一导电线路层及承载结构层，所述第一导电线路层在所述挠折区远离所述叠合区的端部具有一个连接端子，所述承载结构层与所述叠合区对应；在所述第一导电线路层上形成第二介电层及第二导电线路层及在所述承载结构层上形成第三介电层及第三导电线路层，所述第二导电线路层通过第一导电孔与所述第一导电线路层电性连接，所述第三导电线路层通过第二导电孔与所述第一导电线路层电性连接，所述第二导电孔与所述承载结构层电绝缘，所述第二介电层、第二导电线路层、第三介电层及第三导电线路层均与所述叠合区对应；在所述第二导电线路层上形成具有开口的第一防焊层，部分所述第二导电线路层从所述第一防焊层露出形成第一电性接触垫。

【技术特征摘要】
1.一种封装结构的制作方法，包括步骤：
提供一个软性电路板包括相互连接的挠折区与叠合区，所述软性电路板厚度方向包括第一介电层及其相背两侧的第一导电线路层及承载结构层，所述第一导电线路层在所述挠折区远离所述叠合区的端部具有一个连接端子，所述承载结构层与所述叠合区对应；
在所述第一导电线路层上形成第二介电层及第二导电线路层及在所述承载结构层上形成第三介电层及第三导电线路层，所述第二导电线路层通过第一导电孔与所述第一导电线路层电性连接，所述第三导电线路层通过第二导电孔与所述第一导电线路层电性连接，所述第二导电孔与所述承载结构层电绝缘，所述第二介电层、第二导电线路层、第三介电层及第三导电线路层均与所述叠合区对应；
在所述第二导电线路层上形成具有开口的第一防焊层，部分所述第二导电线路层从所述第一防焊层露出形成第一电性接触垫。
2.如权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，还包括在所述第三导电线路层上形成具有开口的第二防焊层，部分所述第三导电线路层从所述第二防焊层露出形成第二电性接触垫。
3.如权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，还包括在所述第一防焊层上安装芯片，所述芯片具有多个与所述第一电性接触垫一一对应电性连接的电极垫。
4.如权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，在所述第一导电线路层上形成第二介电层及第二导电线路层及在所述承载结构层上形成第三介电层及第三导电线路层之前，还包括在所述第一导电线路层上形成具有开口的第一覆盖层及在所述承载结构层上形成第二覆盖层，所述连接端子从所述第一覆盖层露出，所述第二覆盖层覆盖所述承载结构层及所述挠折区对应的第一介电层。
5.如权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述软性电路板通过如下方式形成：
首先，提供一个软性基板，所述软性基板包括挠折区及叠合区，所述软性基板厚度方向包括第一介电层及位于所述第一介电层相对两侧的第一铜箔层及承载层；
接着，将所述第一铜箔层制成第一导电线路层及将所述承载层制成第二导电线路层，所述第一导电线路层在所述挠折区远离叠合区的端部具有一个连接端子，所述承载结构层与所述叠合区对应。
6.如权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述软性电路板通过如下方式形成：
首先，提供一个软性基板，所述软性基板包括挠折区及叠合区，所述软性基板厚度方向包括第一介电层及位于所述第一介电层一侧的第一铜箔层；
接着，将所述第一铜箔层通过影响转移及蚀刻工艺制成第一导电线路层，所述第一导电线路层在所述挠折区远离叠合区的端部具有一个连接端子；
接着，提供一个与所述叠合区对应的承载结构层；
最后，将所述承载结构层压合在所述第一介电层与第一导电线路层相背的一侧，且所述承载结构层位于所述叠合区。
7.如权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，在所述第一导电线路层上形成第二介电层及第二导电线路层及在所述承载结构层上形成第三介电层及第三导电线路层通过如下方式进行：
首先，在所述第一导电线路层上压合第二介电层及第二导电线路层，以及在所述承载结构层上压合第三介电层及第三导电线路层，所述第二介电层、第二导电线路层、第三介电层及第三导电线路层均与所述叠合区对应；
接着，在所述第二介电层及第二导电线路层开设第一盲孔及在所述第三介电层及第三导电线路开设第二盲孔，所述第一盲孔贯穿所述第二介电层及第二导电线路层，部分所述第一导电线路层从所述第一盲孔露出，所述第二盲孔贯穿所述第三导电线路层、第三介电层、承载结构层及第一介电层，部分所述第一导电线路层从所述第二盲孔露出；
接着，电镀填满所述第一盲孔形成第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏威硕，
申请(专利权)人：宏启胜精密电子秦皇岛有限公司，臻鼎科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13