一种以GaN为界面层的GaAs沟道MOS界面结构制造技术

本发明专利技术公开了一种以GaN为界面层的GaAs沟道MOS界面结构，该结构自上而下依次是：一半绝缘单晶砷化镓衬底(101)；一在该砷化镓单晶衬底层(101)上形成的砷化镓沟道层(102)；一在该N型掺杂的砷化镓沟道层(102)上形成的界面控制层GaN(103)；一在该界面控制层GaN(103)上形成的界面过渡层AlN(104)；一在该界面过渡层AlN(104)上形成的高K介质层(105)；以及一在该高K栅介质(105)上形成的金属栅结构(106)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造
，具体涉及一种以GaN为界面层的GaAs沟道MOS界面结构，应用于高性能III-V族半导体CMOS技术。
技术介绍
Ⅲ-Ⅴ化合物半导体材料相对硅材料而言，具有高载流子迁移率、大的禁带宽度等优点，而且在热学、光学和电磁学等方面都有很好的特性。在过去四十年中，高质量热稳定栅介质材料一直是III-V族半导体在大规模CMOS集成电路中的应用的主要障碍。最新研究报道表明：在III-V族半导体表面，直接采用原子层沉积(ALD)以及分子束外延(MBE)技术沉积高k栅介质材料已经实现了器件质量的的MOS界面。然而，该界面的性质仍无法与SiO2/Si相比拟，直接在高迁移率沟道表面直接生长高k栅介质材料界面态密度高会导致沟道载流子迁移率的下降。因此，需要一种新的途径在III-V族半导体材料上同时实现高载流子迁移率与低界面态密度，以满足高性能III-V族半导体CMOS技术的要求。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术的主要目的是提供一种以GaN为界面层的GaAs沟道MOS界面结构，以同时实现高载流子迁移率与低界面态密度，满足高性能III-V族半导体CMOS技术的要求。(二)技术方案为达到上述目的，本专利技术提供了一种以GaN为界面层的GaAs沟道MOS界面结构，其特征在于，该结构自下而上依次包括：一半绝缘单晶砷化镓衬底(101)；一在该砷化镓单晶衬底层(101)上形成的砷化镓沟道层(102)；一在该砷化镓沟道层(102)上形成的GaN界面控制层(103)；一在该GaN界面控制层(103)上形成的AlN界面过渡层(104)；一在该AlN界面过渡层(104)上形成的Al2O3高K介质层(105)；以及一在该Al2O3高K栅介质(105)上形成的钨金属栅层(106)。上述方案中，所述单晶衬底101是砷化镓(GaAs)衬底，其衬底晶向为(100)、(110)或者(111)。上述方案中，所述砷化镓沟道层(102)是采用MBE或者MOCVD的生长方式在砷化镓单晶衬底上生长的，厚度在20纳米到200纳米。上述方案中，所述GaN界面控制层(103)是采用MBE或者MOCVD的生长方式在砷化镓沟道层上生长的，其生长方式为在生长完砷化镓的镓原子后，采用含N气体进行吹扫，在砷化镓沟道层上形成厚度为2-4个原子层的GaN界面控制层。上述方案中，所述AlN界面过渡层(104)是采用MBE或者MOCVD的生长方式在GaN界面控制层(103)上生长的，其生长方式为在生长完GaN的N原子后，采用含Al元素的生长气体进行吹扫，在GaN界面控制层(103)上形成厚度为2-4个原子层的AlN界面控制层。上述方案中，所述Al2O3高K栅介质(105)的生长方式为原子层沉积，是在生长完AlN后，立即放入原子层沉积系统生长的，厚度为3-5纳米。上述方案中，所述钨金属栅层(106)其沉积方式为溅射，是在Al2O3介质生长后，立即放入溅射系统进行的，钨金属层的厚度为50-200纳米。(三)有益效果从上述技术方案可以看出，本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的一种以GaN为界面层的GaAs沟道MOS界面结构，利用GaN界面控制层技术钝化界面处的悬挂键，实现低界面态密度，并降低沟道中载流子的散射，同时GaP界面层又是势垒层，提高了沟道层中的二维电子气浓度，实现高迁移率和高电子浓度双重作用；由于砷化镓材料的电子迁移率和空穴迁移率相对比较均衡，所以专利技术这种GaAs沟道MOS结构，以满足高性能III-V族半导体CMOS技术的要求。附图说明图1是本专利技术提供的GaAs沟道MOS界面结构的示意图；图2是本专利技术提高的GaAs沟道MOS界面结构实施例图具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本专利技术进一步详细说明。如图2所示，图2是本专利技术提供一种以GaN为界面层的GaAs沟道MOS界面结构，其特征在于，该结构自下而上依次包括：一半绝缘单晶砷化镓衬底(201)；一在该砷化镓单晶衬底层(201)上形成的50纳米厚的砷化镓沟道层(202)；一在该砷化镓沟道层(202)上采用MBE方式生长的4个原子层厚的GaN界面控制层(203)；一在该GaN界面控制层(203)上采用MBE方式生长的4个原子层厚的AlN界面过渡层(204)；一在该AlN界面过渡层(204)上采用原子层沉积系统生长的3纳米厚度的Al2O3高K介质层(205)；以及一在该Al2O3高K栅介质(205)上采用磁控溅射系统直接溅射的100纳米厚度的钨金属栅层(206)。上述实施例中，所述单晶衬底201是砷化镓(GaAs)衬底，其衬底晶向为(100)，在生长沟道层之前，进行常规的有机清洗，再采用稀释盐酸清洗，再用稀释的氨水进行清洗。上述实施例中，所述砷化镓沟道层(202)是采用MBE的生长方式在砷化镓单晶衬底上生长的，厚度在50纳米。上述实施例中，所述GaN界面控制层(203)是采用MBE或者MOCVD的生长方式在砷化镓沟道层上生长的，其生长方式为在生长完砷化镓的镓原子后，采用含N气体进行吹扫，在砷化镓沟道层上形成厚度为4个原子层的GaN界面控制层。上述实施例中，所述AlN界面过渡层(204)是采用MBE或者MOCVD的生长方式在GaN界面控制层(203)上生长的，其生长方式为在生长完GaN的N原子后，采用含Al元素的生长气体进行吹扫，在GaN界面控制层(203)上形成厚度为4个原子层的AlN界面控制层。上述实施例中，所述Al2O3高K栅介质(205)的生长方式为原子层沉积，是在生长完AlN后，立即放入原子层沉积系统生长的，其厚度为3纳米。上述实施例中，所述钨金属栅层(206)其沉积方式为溅射，是在Al2O3介质生长后，立即放入溅射系统进行的，钨金属层的厚度为200纳米。以上所述的具体实施例，对本专利技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本专利技术的具体实施例而已，并不用于限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种以GaN为界面层的GaAs沟道MOS界面结构，其特征在于，该结构自下而上依次包括：一半绝缘单晶砷化镓衬底(101)；一在该砷化镓单晶衬底层(101)上形成的砷化镓沟道层(102)；一在该砷化镓沟道层(102)上形成的GaN界面控制层(103)；一在该GaN界面控制层(103)上形成的AlN界面过渡层(104)；一在该AlN界面过渡层(104)上形成的Al2O3高K介质层(105)；以及一在该Al2O3高K栅介质(105)上形成的钨金属栅层(106)。

【技术特征摘要】
1.一种以GaN为界面层的GaAs沟道MOS界面结构，其特征在于，该结构自下而上依次包括：
一半绝缘单晶砷化镓衬底(101)；
一在该砷化镓单晶衬底层(101)上形成的砷化镓沟道层(102)；
一在该砷化镓沟道层(102)上形成的GaN界面控制层(103)；
一在该GaN界面控制层(103)上形成的AlN界面过渡层(104)；
一在该AlN界面过渡层(104)上形成的Al2O3高K介质层(105)；
以及一在该Al2O3高K栅介质(105)上形成的钨金属栅层(106)。
2.根据权利要求1所述的以GaN为界面层的GaAs沟道MOS界面结构，其特征在于，所述GaN界面控制层(103)是在生长N型砷化镓沟道层(102)后，采用含N的气体源进行表面吹扫后形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘丽蓉，马莉，夏校军，
申请(专利权)人：东莞市青麦田数码科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44