一种雾化器驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种雾化器驱动电路,包括NMOS管、PMOS管和变压器，NMOS管和PMOS管分别是N沟道MOS管和P沟道MOS管；变压器具有2个原边绕组和一个接雾化器片的副边绕组；2个原边绕组为第一原边绕组和第二原边绕组；第一原边绕组的第一端接电源正极；第一原边绕组的第二端接NMOS管的D极，NMOS管的S极接地；第二原边绕组的第一端接地；第二原边绕组的第二端接PMOS管的D极，PMOS管的S极接电源正极；NMOS管和PMOS管的G极均接驱动频率信号。该雾化器驱动电路能保障雾化器满功率输出，工作效率高。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种雾化器驱动电路。
技术介绍
现有的雾化器驱动电路如图1所示，该电路的缺点在于，驱动只能推动正半周期。负半周没有驱动，雾化器没有输出满功率，雾化量没有最大输出，雾化器工作效率低。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种雾化器驱动电路，该雾化器驱动电路能保障雾化器满功率输出，工作效率高。技术的技术解决方案如下：一种雾化器驱动电路,包括NMOS管、PMOS管和变压器，NMOS管和PMOS管分别是N沟道MOS管和P沟道MOS管；变压器具有2个原边绕组和一个接雾化器片的副边绕组；2个原边绕组为第一原边绕组和第二原边绕组；第一原边绕组的第一端接电源正极；第一原边绕组的第二端接NMOS管的D极，NMOS管的S极接地；第二原边绕组的第一端接地；第二原边绕组的第二端接PMOS管的D极，PMOS管的S极接电源正极；NMOS管和PMOS管的G极均接驱动频率信号。NMOS管和PMOS管的G极均通过阻容滤波电路接驱动频率信号。有益效果：本技术的雾化器驱动电路，利用互补的NMOS管和PMOS管，在驱动频率信号的正半周期时，驱动变压器上主线圈（即第一原边绕组）。在负半周期，驱动变压器的下主线圈（本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种雾化器驱动电路,其特征在于，包括NMOS管、PMOS管和变压器，NMOS管和PMOS管分别是N沟道MOS管和P沟道MOS管；变压器具有2个原边绕组和一个接雾化器片的副边绕组；2个原边绕组为第一原边绕组和第二原边绕组；第一原边绕组的第一端接电源正极；第一原边绕组的第二端接NMOS管的D极，NMOS管的S极接地；第二原边绕组的第一端接地；第二原边绕组的第二端接PMOS管的D极，PMOS管的S极接电源正极；NMOS管和PMOS管的G极均接驱动频率信号。

【技术特征摘要】
1.一种雾化器驱动电路,其特征在于，包括NMOS管、PMOS管和变压器，NMOS管和PMOS管分别是N沟道MOS管和P沟道MOS管；变压器具有2个原边绕组和一个接雾化器片的副边绕组；2个原边绕组为第一原边绕组和第二原边绕组；第一原边绕组的第一端接电源正极；第一原边绕组的第二端接NMOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：范贤辉，
申请(专利权)人：深圳市美芯微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44