本发明专利技术涉及半导体背面用切割带集成膜及用于生产半导体器件的方法。本发明专利技术涉及一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：包含依次堆叠的基材层、第一压敏粘合剂层和第二压敏粘合剂层的切割带，和堆叠在切割带的第二压敏粘合剂层上的半导体背面用膜，其中第一压敏粘合剂层与第二压敏粘合剂层之间的剥离强度Y大于第二压敏粘合剂层与半导体背面用膜间的剥离强度X，和其中剥离强度X为0.01-0.2N/20mm，和剥离强度Y为0.2-10N/20mm。
【技术实现步骤摘要】
【专利说明】 本申请是申请日为2011年7月29日、申请号为201110216966. 5、专利技术名称为"半 导体背面用切割带集成膜及用于生产半导体器件的方法"的中国专利申请的分案申请。
本专利技术设及半导体背面用切割带集成膜和生产半导体器件的方法。所述半导体背 面用膜用于保护半导体元件如半导体忍片的背面和用于增强其强度。
技术介绍
近来，日益要求半导体器件及其封装的薄型化和小型化。因此，作为半导体器件及 其封装，已经广泛地利用其中通过倒装忍片接合将半导体元件例如半导体忍片安装（倒装 忍片连接）于基板上的倒装忍片型半导体器件。在此类倒装忍片连接中，将半导体忍片W 该半导体忍片的电路面与基板的电极形成面相对的形式固定至基板。在此类半导体器件等 中，可W存在半导体忍片的背面用保护膜保护W防止半导体忍片损坏等的情况（参见，专 利文献1至2)。 然而，为采用上述保护膜保护半导体忍片的背面，必须新增加将保护膜粘附至在 切割步骤中得到的半导体忍片背面的步骤。结果，步骤数量增加，运导致生产成本等升高。 阳005]专利文献 1 :JP-A-2008-166451 专利文献 2 :JP-A-2008-006386 为尝试降低生产成本，本专利技术人开发了半导体背面用切割带集成膜，并基于其提 交了专利申请（在本申请提交时尚未公开W供公众查阅）。运类半导体背面用切割带集成 膜要求保证在切割步骤中半导体背面用膜对半导体晶片良好的粘合力。另一方面，要求支 持半导体背面用膜的切割带满足对环框良好的保持力，对半导体背面用膜良好的粘附W防 止通过切割而各片化的半导体忍片的飞散，和通过防止切割期间产生的切割屑粘贴至具有 粘附至其的半导体背面用膜的半导体忍片的低污染。 此外，在切割步骤的下一步骤的拾取步骤中，还要求支持半导体背面用膜的切割 带即使在拾取步骤中在延伸时也不会产生基材的破裂、破损或塑性变形等，并还显示良好 的剥离性，W使得切割后的半导体忍片能够与半导体背面用膜一起从切割带分离。 然而，W平衡的方式实现运些特性却并非易事。特别是近来出于获得高容量的目 的，半导体忍片的厚度减少和面积增大，使切割带难W满足各种要求。目P，切割带几乎不能 对对应于诸多要求特性的单独功能均作出响应，从而不能W平衡的方式发挥所述要求的特 性。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于提供半导体背面用切割带集成膜，其即使当半导体晶片薄 时，也能保证在W下特征之间的优良平衡：在切割薄工件期间的保持力，使通过切割得到的 半导体忍片与半导体背面用膜一起分离时的剥离性，和使得切割屑免于粘贴至分离的具有 半导体背面用膜的半导体忍片的低污染，另外可防止器件忍片因切割期间半导体背面用膜 剥离导致的污染；W及本专利技术提供通过使用半导体背面用切割带集成膜制造半导体器件的 方法。 作为为解决上述问题而进行的深入研究的结果，本专利技术人已经发现，当采用W下 结构时可提供半导体背面用切割带集成膜，其W平衡的方式结合了切割时的保持力和低污 染与拾取时的易于剥离性。基于该发现，完成了本专利技术。 目P，本专利技术提供半导体背面用切割带集成膜（W下称作"集成带"），其包括：包含 依次堆叠的基材层、第一压敏粘合剂层和第二压敏粘合层的切割带，和在切割带的第二压 敏粘合剂层上堆叠的半导体背面用膜，其中第一压敏粘合剂层与第二压敏粘合剂层间的剥 离强度Y大于第二压敏粘合剂层与半导体背面用膜间的剥离强度X，和其中剥离强度X为 0. 01-0. 2N/20mm，和剥离强度 Y 为 0. 2-10N/20mm。 在上述集成膜中，采用包含不同压敏粘合力的层的双层结构作为压敏粘合剂层， 第一压敏粘合剂层与第二压敏粘合剂层间的剥离强度Y大于第二压敏粘合剂层与半导体 背面用膜间的剥离强度X，并将剥离强度X和Y设定在预定范围内。运里，如果采用作为具 有大剥离强度的层的单层作为压敏粘合剂层，则切割时半导体晶片的保持力是足够的，但 压敏粘合剂层与半导体背面用膜间的剥离强度变为过高，由此劣化拾取性。另一方面，如果 采用作为具有小剥离强度的层的单层作为压敏粘合剂层，则拾取性良好，但在切割时半导 体晶片的保持力下降，运会使得忍片飞散，半导体背面用膜从压敏粘合剂层分离（剥离）， 剥离部分与刮板间过度摩擦或振动，和因过度摩擦或振动导致的半导体忍片污染。在上述 集成膜中，分步设定各层的剥离强度，W使得第一压敏粘合剂层与第二压敏粘合层间的剥 离强度Y大于第二压敏粘合层与半导体背面用膜间的剥离强度X，从而可W平衡的方式发 挥切割时的保持力和抗污染性W及拾取时的易于剥离性。 此外，在上述集成膜中，将剥离强度X设定为0. 01-0. 2N/20mm，W使得不仅能够充 分保证切割时的保持力，而且不允许切割期间半导体背面用膜的剥离，使其能够充分防止 半导体忍片污染，同时可增强拾取时的易于剥离性。 另外，在上述集成膜中，将剥离强度Y设定为0. 2-10N/20mm，W使得能够增强切割 时对切割环的粘附，和不仅能够充分保证半导体晶片的保持力，而且能够防止因第一压敏 粘合剂层与第二压敏粘合剂层间的分离导致的第二压敏粘合层的压敏粘合剂转移（粘合 剂残余）至半导体背面用膜。 剥离强度Y与剥离强度X之比灯/讶优选为3-500。当该比例为3-500时，剥离强 度Y与剥离强度X可变为处于类似的程度上。因此，不仅能够防止第二压敏粘合剂层与半 导体背面用膜间的分离，而且还能防止第一压敏粘合剂层与第二压敏粘合剂层间的分离， 所述分离会导致第二压敏粘合剂层对于半导体背面用膜的粘合剂残余。另外，可防止因相 对过小的剥离强度X导致的半导体背面用膜在切割期间发生剥离，和防止导致半导体忍片 的污染。 优选第一压敏粘合剂层的厚度为IOym W上。在此情况下，可增强第一压敏粘合 剂层对环框的紧密粘合性。 第二压敏粘合剂层优选由紫外线固化型压敏粘合剂形成。由于该结构，可具体地 并容易地获得本专利技术中限定的剥离强度X和Y的关系。 本专利技术还提供采用上述半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方法，所述 方法包括：将半导体晶片粘贴至半导体背面用切割带集成膜的半导体背面用膜上，切割半 导体晶片W形成半导体忍片，将半导体忍片与半导体背面用膜一起从切割带的压敏粘合剂 层分离，并倒装忍片连接半导体忍片至被粘物上。 在上述方法中，将半导体背面用切割带集成膜粘贴至半导体晶片的背面，从而不 需要仅粘附半导体背面用膜的步骤（半导体背面用膜的粘附步骤）。此外，在半导体晶片切 割或拾取通过切割形成的半导体忍片期间，采用半导体背面用膜保护半导体晶片或半导体 忍片背面，从而可防止损坏等。此外，由于集成膜的使用，可容易并有效地实施切割步骤和 拾取步骤。反过来，可W提高的生产率生产倒装忍片半导体器件。 根据本专利技术的半导体背面用切割带集成膜，一体化形成倒装忍片半导体背面用膜 和切割带，由此集成膜还可用于切割半导体晶片W生产半导体元件的切割步骤中和后续拾 取步骤中。结果，不需要仅粘附半导体背面用膜的步骤（半导体背面用膜的粘附步骤）。此 夕F，将压敏粘合剂层配置为包含不同压敏粘合力的层的两层结构，各半导体背面用膜与第 二压敏粘合剂层间的剥离强度W及第一压敏粘合剂层与第二压敏粘合剂层间的剥离强度 均设定为预定关系，W使得能够本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：包含依次堆叠的基材层、第一压敏粘合剂层和第二压敏粘合剂层的切割带，和堆叠在所述切割带的所述第二压敏粘合剂层上的半导体背面用膜，所述半导体背面用膜包含着色剂，其中所述第一压敏粘合剂层与所述第二压敏粘合剂层之间的剥离强度Y大于所述第二压敏粘合剂层与所述半导体背面用膜之间的剥离强度X，和其中所述剥离强度X为0.01‑0.2N/20mm，和所述剥离强度Y为0.2‑10N/20mm，并且，其中所述剥离强度Y与所述剥离强度X之比(Y/X)为3‑500。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：浅井文辉，志贺豪士，高本尚英，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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