【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及薄膜晶体管的制造领域,尤其涉及一种具有较高良率的薄膜晶体管的制造方法。
技术介绍
薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)作为一种开关元件被广泛地应用在液晶显示装置等电子装置中。然而,薄膜晶体管在制造源极(source)和漏极(drain)的时候,先形成一层金属层再在金属层上铺设光阻层,通过在光罩上设计图案,光罩有全透光区,不透光区和半透光区的图案,这样光线透过光罩后全透光区,不透光区和半透光区的透光量不一样,光阻感受到的光量不一样,铺设的光阻形成不同的残膜量,对于正性光阻而言,全透光区不存在光阻,不透光区的光阻膜厚最厚,而半透光区的光阻残膜剩余一半左右。通过光阻的残留来保护金属,这样在蚀刻金属时,金属受到光阻的保护会保留下来。而在薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)四道工艺中,沟道区域是通过光罩的半透光区形成一半厚度左右的光阻残膜形成的。但沟道这部分半透光区域通常设计比较小,受到光的衍射影响,需要形成沟道区域的光阻层光线较强而使光阻膜偏薄。即,经过曝光之后的光阻层的残膜值偏低。偏低的残膜值会造成薄膜晶体管在形成的源极和漏极时的设计异常,源极和漏极的异常会导致薄膜晶体管无法正常的工作,从而造成薄膜晶体管的良率较低。
技术实现思路
本专利技术提供一种薄膜晶体管的制造方法,能够改善薄膜晶体管在制造的时候经过曝光之后的光阻层的残膜值偏低的情况,从 ...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,所述薄膜晶体管的制造方法包括:提供一基板;在所述基板的一个表面形成第一金属层,所述第一金属层为所述薄膜晶体管的栅极;在形成所述第一金属层的基板的表面及所述第一金属层上形成栅极绝缘层、半导体层及第二金属层,所述栅极绝缘层、所述半导体层及所述第二金属层依次层叠设置;其中所述半导体层用于形成所述薄膜晶体管的源极和漏极之间导通或者断开的通道。在所述第二金属层上形成光阻层,其中,光阻层包括第一部分及位于第一部分相对两边缘的第二部分,所述第一部分的宽度与所述第二金属层宽度相同并叠加于所述第二金属层上,所述第二部分由所述第一部分宽度方向的边缘延伸,进而所述光阻层的宽度大于所述第二金属层的宽度;图案化所述光阻层,以露出所述第二金属层的边缘部分,其中图案化后的所述光阻层包括半透光区域及边缘区域;图案化所述第二金属层及所述半导体层形成所述通道,以定义源极及漏极,其中所述通道的长度长于所述第二金属层的宽度。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,所述薄膜晶体管的制造方法
包括:
提供一基板;
在所述基板的一个表面形成第一金属层,所述第一金属层为所述薄膜晶体
管的栅极;
在形成所述第一金属层的基板的表面及所述第一金属层上形成栅极绝缘
层、半导体层及第二金属层,所述栅极绝缘层、所述半导体层及所述第二金属
层依次层叠设置;其中所述半导体层用于形成所述薄膜晶体管的源极和漏极之
间导通或者断开的通道。
在所述第二金属层上形成光阻层,其中,光阻层包括第一部分及位于第一
部分相对两边缘的第二部分,所述第一部分的宽度与所述第二金属层宽度相同
并叠加于所述第二金属层上,所述第二部分由所述第一部分宽度方向的边缘延
伸,进而所述光阻层的宽度大于所述第二金属层的宽度;
图案化所述光阻层,以露出所述第二金属层的边缘部分,其中图案化后的
所述光阻层包括半透光区域及边缘区域;
图案化所述第二金属层及所述半导体层形成所述通道,以定义源极及漏极,
其中所述通道的长度长于所述第二金属层的宽度。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,在所述“在
形成所述第一金属层的基板的表面及所述第一金属层上形成栅极绝缘层、半导
体层及第二金属层,所述栅极绝缘层、所述半导体层及所述第二金属层依次层
叠设置”步骤中包括:
在形成所述第一金属层的基板的表面及所述第一金属层上形成栅极绝缘
层;
在所述栅极绝缘层上依次形成沟道层及欧姆接触层作为所述半导体层;
在所述欧姆接触层上形成所述第二金属层。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,所述步骤“图
案化所述第二金属层及所述半导体层形成所述通道,以定义所述源极和漏极”
包括:
图案化所述第二金属层;
移除所述半透光区域所覆盖的部分第二金属层、部分所述欧姆接触层及所
述沟道层,以定义所述源极和漏极;
移除所述光阻层半透光区域。
4.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员:阙祥灯,
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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