【技术实现步骤摘要】
一种提高直拉硅单晶生长速度的导流筒
本专利技术创造属于硅单晶制造装置领域,尤其是涉及一种提高直拉硅单晶生长速度的导流筒。
技术介绍
直拉法生长单晶硅是目前生产单晶硅最广泛的应用技术,而随着光伏产业的不断发展,在保证产品质量的前提下需要进一步提高生产效率,以降低成本。提高生产效率最直接的方式为提高晶体等径生长速度,缩短拉晶时间。实际生产中,首先需增加晶体轴向温度梯度以增加结晶潜热的释放,再降低结晶界面处熔体内轴向温度梯度,以达到提高晶体等径生长速度,缩短拉晶时间的生产目的。
技术实现思路
本专利技术创造要解决的问题是提供一种能够提高直拉硅生长速度的导流筒。为解决上述技术问题,本专利技术创造采用的技术方案是:一种提高直拉硅单晶生长速度的导流筒,包括内筒、外筒和保温层;所述内筒包括内筒上部和内筒下部且内筒上部和内筒下部连接构成内筒;所述内筒为套筒状结构且所述内筒下端直径小于上端直径;所述外筒为套筒状结构且所述外筒下端直径小于上端直径;所述内筒下端直径小于外筒下端直径,所述内筒上端直径小于外筒上端直径;所述内筒套装在外筒内部,且内筒下部与外筒连接;所述保温层置于由内筒和外筒连接后构成的腔体内部;所述内筒上部材料为高辐射系数的镜面材料;所述内筒下部材料为低辐射系数的非镜面材料;所述外筒材料为低辐射系数的镜面材料。一种提高直拉硅单晶生长速度的导流筒,包括内筒、内筒筒罩、外筒、外筒筒罩和保温层;所述内筒包括内筒上部和内筒下部且内筒上部和内筒下部连接构成内筒;所述内筒筒罩包括内筒上部筒罩和内筒下部筒罩;所述内筒为套筒状结构且所述内筒下端直径小于上端直径;所述外筒为套筒状结构且 ...
【技术保护点】
一种提高直拉硅单晶生长速度的新型导流筒,其特征在于:包括内筒(1)、外筒(3)和保温层(5);所述内筒(1)包括内筒上部(11)和内筒下部(12)且内筒上部(11)和内筒下部(12)连接构成内筒(1);所述内筒(1)为套筒状结构且所述内筒(1)下端直径小于上端直径;所述外筒(3)为套筒状结构且所述外筒(3)下端直径小于上端直径;所述内筒(1)下端直径小于外筒(3)下端直径,所述内筒(1)上端直径小于外筒(3)上端直径;所述内筒(1)套装在外筒(3)内部,且内筒下部(12)与外筒(3)连接;所述保温层(5)置于由内筒(1)和外筒(3)连接后构成的腔体内部;所述内筒上部(11)材料为高辐射系数的镜面材料;所述内筒下部(12)材料为低辐射系数的非镜面材料;所述外筒(3)材料为低辐射系数的镜面材料。
【技术特征摘要】
1.一种提高直拉硅单晶生长速度的导流筒,其特征在于:包括内筒(1)、外筒(3)和保温层(5);所述内筒(1)包括内筒上部(11)和内筒下部(12)且内筒上部(11)和内筒下部(12)连接构成内筒(1);所述内筒(1)为套筒状结构且所述内筒(1)下端直径小于上端直径;所述外筒(3)为套筒状结构且所述外筒(3)下端直径小于上端直径;所述内筒(1)下端直径小于外筒(3)下端直径,所述内筒(1)上端直径小于外筒(3)上端直径;所述内筒(1)套装在外筒(3)内部,且内筒下部(12)与外筒(3)连接;所述保温层(5)置于由内筒(1)和外筒(3)连接后构成的腔体内部;所述内筒上部(11)材料为高辐射系数的镜面材料;所述内筒下部(12)材料为低辐射系数的非镜面材料;所述外筒(3)材料为低辐射系数的镜面材料。2.一种提高直拉硅单晶生长速度的导流筒,其特征在于:包括内筒(1)、内筒筒罩(2)、外筒(3)、外筒筒罩(4)和保温层(5);所述内筒(1)包括内筒上部(11)和内筒下部(12)且内筒上部(11)和内筒下部(...
【专利技术属性】
技术研发人员:娄中士,张颂越,孙毅,王彦君,由佰玲,崔敏,乔柳,
申请(专利权)人:天津市环欧半导体材料技术有限公司,
类型:发明
国别省市:天津;12
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