一种SiC晶须的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种SiC晶须的制备方法，包括下列步骤：1)取碳源和硅源制成前驱体；2)将步骤1)所得前驱体压制成片后，埋入石英砂中，进行微波烧结合成反应，即得。本发明专利技术的SiC晶须的制备方法，利用碳优良的吸波性能，采用直接微波合成方法，实现了SiC晶须的快速合成，得到结晶良好的SiC晶须；微波烧结是依靠材料自身的介电损耗来完成材料烧结的，相比于工业传统加热方法，具有能实现体积加热、污染少、烧结周期短、能耗低等优点；所得SiC晶须尺寸均匀，长径比高，结晶度好，缺陷少，产量高；该方法工艺简单，操作方便，生产周期短，烧结温度低，能耗低、污染少，适合大规模工业化生产，具有广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了，包括下列步骤：1)取碳源和硅源制成前驱体；2)将步骤1)所得前驱体压制成片后，埋入石英砂中，进行微波烧结合成反应，即得。本专利技术的SiC晶须的制备方法，利用碳优良的吸波性能，采用直接微波合成方法，实现了SiC晶须的快速合成，得到结晶良好的SiC晶须；微波烧结是依靠材料自身的介电损耗来完成材料烧结的，相比于工业传统加热方法，具有能实现体积加热、污染少、烧结周期短、能耗低等优点；所得SiC晶须尺寸均匀，长径比高，结晶度好，缺陷少，产量高；该方法工艺简单，操作方便，生产周期短，烧结温度低，能耗低、污染少，适合大规模工业化生产，具有广阔的应用前景。【专利说明】—种SiC晶须的制备方法
本专利技术属于SiC材料
，具体涉及。
技术介绍
碳化硅又叫金刚砂或者耐火砂，化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，广泛应用于功能陶瓷、高级耐火材料、磨料及冶金原料；其高纯度的单晶，可用于制造半导体、碳化硅纤维。碳化硅晶须是由高纯度碳化硅单晶生长而成的短纤维，其机械强度等于邻接原子间力。碳化硅晶须的高度取向结构不仅使其具有高强度、高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SiC晶须的制备方法，其特征在于：包括下列步骤：1)取碳源和硅源制成前驱体；2)将步骤1)所得前驱体压制成片后，埋入石英砂中，进行微波烧结合成反应，即得。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张锐，范冰冰，邵刚，郭晓琴，解亚军，宋勃震，管可可，吴昊，张亮，
申请(专利权)人：郑州航空工业管理学院，
类型：发明
国别省市：河南;41