本发明提供了一种可减少边角损伤的沟槽隔离结构制作方法，其制作在硅衬底上。现有技术在隔离沟槽壁上制作隔离氧化层后还进行高温退火致使热应力加剧，从而使制成的沟槽隔离结构产生边角损伤。本发明的可减少边角损伤的沟槽隔离结构制作方法先在该硅衬底上...

本发明公开了一种晶圆测试控片的使用方法，可解决晶圆刻号所使用的激光标记工具日常监控时测试控片使用量大的问题。该方法包括三个步骤：１．以晶圆中心为圆心每间隔若干角度作晶圆半径；２．用若干相隔一定距离的间距点将晶圆半径分段；３．在所述的间距...

本发明提供了一种可避免产生突起的保护层制作方法，该保护层制作在半导体器件的顶层金属上，该顶层金属具有多条相邻的金属导线，该保护层包括一氧化层、一氮化硅层和一塑胶保护层。现有技术中沉积完氧化层时会在相邻且间距较小的金属导线间形成密闭空间且...

本发明提供了一种图像传感器的芯片尺度封装方法，所述图像传感器包括具有传感电路的晶圆和光学元件，该芯片尺度封装方法包括：先在所述晶圆上进行硅贯通电极的制作；然后在晶圆上制备图像传感器的光学元件。该方法通过将光学元件的制备步骤放在硅贯通电极...

本发明公开了一种制程腔体内环境的检测方法，涉及半导体领域的检测工艺。现有检测方法仅能检测到是否有气体泄漏，不能检测到是否存在残留物质。本发明的检测方法包括如下步骤：将测试晶圆放入制程腔体内，关闭与该制程腔体连接的气体管道；将制程腔体加热...

本发明提供了一种新的晶圆栅极侧墙的去除方法，涉及半导体领域的湿法蚀刻工艺。该去除方法包括两步子去除步骤，第一子去除步骤包括：对晶圆进行ＢＯＥ蚀刻步骤，去除部分厚度的侧墙；ＱＤＲ清洗步骤；烘干步骤；第二子去除步骤包括：继续对晶圆进行ＢＯＥ...

一种分开优化源／漏极的方法，其特征在于，包括，在制作好衬底并在衬底上形成一层氧化物之后，在衬底上形成栅极；进行轻掺杂源／漏极离子注入，在衬底上形成轻掺杂源／漏区；再进行第一次环形离子注入，在所述的源区和漏区注入离子；然后再进行第二次环形...

本发明公开了一种金属硅化物的制备方法，涉及半导体领域的制造工艺。现有制备方法的湿法蚀刻步骤中光阻容易发生偏移，蚀刻尺寸的准确性较低。本发明的制备方法包括如下步骤：提供晶圆，在晶圆表面依次形成氧化层和硬掩膜；在硬掩膜上涂光阻，进行曝光、显...

本发明提供一种控制蚀刻偏差的方法，蚀刻偏差是光刻后特定图形尺寸的大小ＡＤＩ　ＣＤ与蚀刻后介质层尺寸的大小ＡＥＩ　ＣＤ的差值；其中，该方法包括建立数据库步骤和自动控制步骤，首先建立不同曝光焦距对应的不同蚀刻偏差的数据库，然后在实际工艺中可...

本发明提供了一种太阳能电池，包括有太阳能电池模块阵列，其特征在于，所述太阳能电池模块阵列至少有两个在列方向上相邻弓形太阳能电池模块，所述列方向上相邻弓形太阳能电池模块的弧面在尖角处相邻交叠或相切交叠，弦面彼此平行。本发明的优点在于，在不...

本发明提供了一种可提高抛光性能的多晶硅抛光方法，该多晶硅淀积在用于制作非易失性存储器的硅衬底上，该硅衬底包含浅槽隔离结构以及通过该浅槽隔离结构分隔开的存储阵列区和外围控制电路区，该多晶硅用于充当存储阵列区的浮栅。现有技术中仅通过化学机械...

本发明提供了一种可避免氮氧化硅残留的沟槽隔离结构制作方法，其制作在硅衬底上。现有技术在去除氮氧化硅前进行热处理致使氮氧化硅致密而无法彻底去除，从而影响有源区上的元件和半导体器件的性能。本发明的可避免氮氧化硅残留的沟槽隔离结构制作方法先在...

本发明公开了一种晶圆翘曲程度的检测方法，涉及半导体领域的检测工艺。该检测方法包括：在晶圆表面选择两条垂直且交叉于晶圆中心的检测线，在每一检测线上选择若干检测点；在晶圆进行某一制程之前，利用检测装置测出基准距离；进行所述某一制程之后，利用...

本发明提供了一种可改善质量的铜导线制造方法，用于在硅衬底上制造铜导线。现有技术直接在铜的籽晶层上进行电化学镀铜工艺，因籽晶层的亲水性能较差而使其局部区域未镀上铜，从而在制成的铜导线上产生缺口，严重影响了铜导线的质量。本发明的可改善质量的...

本发明提供一种多晶硅栅极刻蚀的方法，该方法包括完成多晶硅沉积的步骤、完成多晶硅光刻的步骤、及完成多晶硅刻蚀的步骤；所述方法还包括清洗晶片底层背面多晶硅的步骤，该步骤完成清洗晶片底层背面多晶硅的过程。本发明揭示的多晶硅栅极刻蚀的方法，通过...

一种通过测量晶片上的参考图形从而控制晶片刻蚀时间的方法，包括以下步骤：１，测量晶片上的参考图形在刻蚀前的厚度尺寸；２，根据上步中的尺寸和目标厚度尺寸之间的差值和刻蚀时间之间的线性关系，确定刻蚀时间；和步骤３，刻蚀机台根据步骤第二步中得到...

本发明属于集成电路制造领域，公开了一种去除金属层的侧壁聚合物的方法，在干法刻蚀生成钽或氮化钽组成的金属层后，在干法刻蚀的反应腔体内，用ＣＦ↓［４］气体对金属层进行表面干法刻蚀处理。本发明能有效去除侧壁聚合物，从而提高集成电路器件的成品率...

本发明提供一种在沉积前预清洁薄膜表面氧化物的方法，所述预清洁方法采用干法化学预清洁工艺，主要包括以下步骤：Ａ．远程电浆刻蚀步骤；刻蚀气体包括氟化氮、氨气，低功率的电浆将氟化氮、氨气转变成氟化物，氟化物与所述薄膜表面的氧化物反应、生成硅酸...

本发明提供一种在金属有机化学气相沉积中降低接触电阻的方法，该方法包括氮化钛沉积的步骤；该方法氮化钛在沉积过程中分为厚度均等的Ｎ层，但总厚度保持与现有技术中氮化钛应有的厚度不变，分别针对每层进行金属有机化学气相沉积并用电浆轰击，Ｎ大于等于...

一种测试负偏压下温度不稳定性的方法，涉及半导体工艺制程领域。本发明包括如下步骤：１．一种测试负偏压下温度不稳定性的方法，其特征在于：步骤１，首先对栅电压施加的应力，将栅电压提高为栅电压；然后在ｔ时间内将栅电压降低为一个绝对值小于等于工作...