一种晶圆背面减薄方法，包括，对于晶圆背面进行研磨达到研磨停止厚度；去除两片晶圆粘合时或晶圆置于支撑载体上时的晶圆边缘间隙范围的晶圆圆周边缘；对于晶圆背面进行研磨达到减薄厚度。所述晶圆背面减薄方法由于解决了晶圆背面减薄时容易使晶圆边缘发生...

一种激光切割熔丝的测试结构，包括第一熔丝和第二熔丝，第一熔丝、第二熔丝间隔排列，第一熔丝电性连接形成串联熔丝链，第一熔丝、第二熔丝电性连接形成并联熔丝链。所述的测试结构还包括分别电性连接串联熔丝链两端的第一电极垫、第二电极垫，与并联熔丝...

一种清洗金属层的方法，包括下列步骤：在半导体衬底上形成金属层；对金属层进行研磨；用包含金属腐蚀抑制剂的清洗溶液去除研磨残留物；用水清洗金属层表面，去除清洗溶液残留。本发明还提供一种形成导电插塞及硅基液晶显示器的方法。本发明用包含金属腐蚀...

一种存储器的布局方法，包括：设置多个存储单元的行线和列线；在所述行线的边缘区域，每隔预定行数量的行线设置行定位标记；在所述列线的边缘区域，每隔预定列数量的列线设置列定位标记。本发明还提供一种存储器的布局结构。本发明所提供的存储器的布局方...

一种形成膜层的方法，包括下列步骤：将带有膜层的晶圆放置于热板上，烘烤膜层；将晶圆悬置于气体中，缓冲温差；将晶圆放置于冷板上，冷却膜层。本发明在晶圆从热板放置至冷板过程中，加入一个步骤，使晶圆悬置于空气中，由于空气的热传导系数比金属冷板要...

一种缺陷分析方法，包括：获取机械性划伤的缺陷点的坐标信息；根据所述机械性划伤的缺陷点的坐标信息，将所述机械性划伤转换为在坐标系中的直线；计算机械性划伤宽度，所述机械性划伤宽度为两倍的晶圆中心到所述直线的距离；比较计算所得的机械性划伤宽度...

一种电容器的制作方法，包括下列步骤：提供半导体基底，所述半导体基底上依次形成有作为第一电极的光屏蔽层及与光屏蔽层隔绝的连接金属垫层和覆盖光屏蔽层及连接金属垫层的绝缘层；在绝缘层上形成导电保护层；刻蚀导电保护层及绝缘层，形成露出连接金属垫...

本发明提供一种场效应管芯片背面制程，其中，该方法包括如下步骤：ａ．在芯片正面贴膜；ｂ．研磨芯片的背面；ｃ．清洗研磨后的芯片并烘干；ｄ．通过蚀刻制程去除芯片背面在步骤ｂ中产生的破坏层，并形成凹凸不平的表面；ｅ．通过金属蒸镀制程在芯片背面蒸...

本发明一种晶圆的Ｃｕ　ＣＭＰ制程后表面异常残留的清洗方法，包括，将经过Ｃｕ　ＣＭＰ制程后的晶圆放入ＣＴＳ－１００溶液里面进行清洗，去除杂质；在进入下一个流程之前，进一步检查该晶圆，如果晶圆的表面没有异常残留，则直接进入下一个流程；如果晶...

本发明提供一种化学机械抛光工艺中确定研磨时间的方法，该方法中所述研磨时间由自动处理系统反馈给用于化学机械抛光的设备；所述自动处理系统通过上述抛光设备最近若干批硅片的研磨参数来确定下一批硅片的研磨时间；所述研磨参数包括最近ｍ批硅片各自的研...

一种通过调节缺陷检查设备参数过滤芯片锥形缺陷的方法，包括以下步骤：步骤Ａ，在给定偏振组合的情况下，将扫描设备机器系统参数Ｌｏ的三个值调整到系统默认值和０之间；步骤Ｂ，扫描设备机台全芯片观测模式下，将选择不同区域并制图功能中的区域选定为逻...

本发明揭示了一种用于化学机械研磨的喷头臂控制装置，控制一喷头臂，该控制装置包括：具有编码器的步进电机，该步进电机驱动该喷头臂在一定范围内移动；电源模块，为步进电机提供电力；电机驱动器，连接到一控制计算机，还连接到步进电机的编码器，其中，...

本发明揭示了一种研磨盘调节器监控装置，包括：力矩监控器，接触研磨盘调节器的传动带并监测传动带的力矩；比较器，设置一预定的力矩参数范围，将力矩监控器所测得的传动带的当前力矩与预定的力矩参数范围相比较，当当前力矩超出预定的参数范围之外时，产...

本发明揭示了一种离子注入方法，根据注入离子能量的高低，按照由低到高的顺序进行注入。比如，首先对阈值电压控制区进行离子注入；再对通道区域进行离子注入；最后对阱区进行离子注入。本发明调整离子注入的顺序，将具有较低能量的离子首先注入，使得高能...

一种引线焊垫的制造方法，包括：提供半导体结构，在所述半导体结构上具有第一介质层，在所述第一介质层中具有金属互连线；在所述金属互连线和第一介质层上具有第二介质层，在所述第二介质层中具有底部露出所述金属互连线的开口；用还原性气体的等离子体对...

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体结构，在所述半导体结构上具有介质层，在所述介质层中具有金属互连线；在所述金属互连线和介质层上形成铝金属层；在所述铝金属层上形成金属阻挡层；图形化所述金属阻挡层和铝金属层，形成引线焊垫；在所述金属...

本发明公开了一种化学机械研磨方法，包括步骤：提供待研磨晶片；将所述待研磨晶片吸附于研磨头下；将附着待研磨晶片的所述研磨头移至转盘上；对所述研磨头施加低的下压力，其中，对研磨头的边缘区域与中央区域施加的下压力间的比值在１．５至３倍之间；令...

一种低功耗半导体器件，所述半导体器件包括半导体衬底，位于半导体衬底上的栅极介电层、位于栅极介电层上的栅极，以及半导体衬底内位于栅极沟道层两侧的源极和漏极。本发明半导体器件的特征在于衬底上的栅极沟道层与两侧的源极和漏极的带电离子为相同型态...

本发明一种消除隔行字线桥接方法，在存储阵列周围排列虚拟单元，这样就使得在晶圆的生产过程中，隔行字线桥接就不会发生，并且不对晶圆的功效产生任何的影响。本发明能有效地消除隔行字线桥接，提高晶圆的良率。

一种可提高半导体器件性能的沟槽隔离结构制作方法，该半导体器件制作在硅衬底上且其包括ＮＭＯＳ和ＰＭＯＳ管，该沟槽隔离结构包括分别设置在ＮＯＭＳ和ＰＭＯＳ管两侧的第一和第二沟槽隔离单元，该沟槽隔离结构制作方法先进行步骤（１）在该衬底上沉积保...