本发明公开了一种氮化硅薄膜的形成方法，包括步骤：将衬底放置于沉积室中；将高频射频电源设置在４５０至５００Ｗ的范围内；将沉积室内通入的氮气流量设置在６０００至１００００ｓｃｃｍ之间；在沉积室内通入氮气和反应气体；启动所述高频射频电源，开始...

一种离子注入测试体，对应于不同的半导体基底，所述测试体包含器件区；所述测试体还包含至少一个用以进行离子注入制程检测的检测区，所述检测区位于所述器件区外。利用所述离子注入测试体可在离子注入制程检测过程中较真实地反映产品离子注入制程的制造效...

一种反应系统预清洗方法，包括：确定以第一温度和第二温度为边界值的降温区间，所述第一温度高于第二温度；执行预处理操作，以使所述反应系统内的温度为第一温度；执行由所述第一温度至所述第二温度的降温操作；在降温过程中，开始执行抽真空操作；在降温...

本发明提供了一种晶圆盒清洗提示系统以及方法，搭载在生产制造软件中，用于提示操作者清洗进入清洗提示时间范围且具有识别模块的晶圆盒，该识别模块通过信息读写装置写入对应的批编号和需清洗时间，该生产制造软件将晶圆盒的批编号和需清洗时间以及其在生...

一种曝光修正方法，包括：对根据版图形成的光罩分别进行Ｘ极曝光和Ｙ极曝光；采集所述光罩的对比度分布；根据所述对比度分布获得对比度分组间隔，并以对比度分组间隔将对比度数据分组；设置对应于每一对比度分组的修正值，并分别调试各分组修正值，使得各...

一种制作硅纳米点的方法，包括下列步骤，提供无定形硅；在所述无定形硅上形成籽晶；对所述无定形硅和籽晶退火形成硅纳米点；氧化所述硅纳米点形成氧化硅，以隔离相邻硅纳米点。本发明还公开了一种制作非易失性存储器的方法。所述制作硅纳米点的方法以及制...

一种保护金属层的方法，包括下列步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上包含有金属层；冷却金属层；在金属层上形成晶向致密的腐蚀阻挡层。本发明还提供一种形成焊盘、金属布线层及微反射镜面的方法。本发明冷却金属层，使在金属层上形成的腐蚀阻挡层晶向...

一种制作微反射镜层的方法，包括：提供依次包含带有焊盘沟槽的金属层间介电层、缺陷微反射镜层和镜面保护层的半导体衬底，缺陷微反射镜层间有第一介质层进行隔离；在焊盘沟槽内填充满氧化层；去除镜面保护层及缺陷微反射镜层后，平坦化第一介质层和氧化层...

一种栅极的制作方法，包括：提供依次带有栅介电层、多晶硅层、硬掩膜层及图案化光刻胶层的半导体衬底；以光刻胶层为掩膜，刻蚀硬掩膜层和多晶硅层至露出栅介电层，形成栅极，所述栅极两侧形成有聚合物层；依次去除光刻胶层和硬掩膜层后，去除聚合物层。本...

一种栅极结构，包括：半导体衬底，位于半导体衬底上的隧穿氧化层，位于隧穿氧化层上的浮置栅极，位于浮置栅极两侧的半导体衬底中的源／漏极，位于源／漏极以外半导体衬底及浮置栅极上的栅间介电层，位于浮置栅极上的控制栅极及位于浮置栅极和控制栅极以外...

一种栅极结构的制作方法，包括：在半导体衬底上形成隧穿氧化层；用化学气相沉积法在隧穿氧化层上形成离散的金属纳米点；在离散的金属纳米点上依次形成栅间介电层和导电层；刻蚀导电层、栅间介电层、离散的金属纳米点和隧穿氧化层至露出半导体衬底，形成栅...

本发明提供了一种可提高性能的金属垫制作方法，其中，该金属垫制作在已制成顶层金属的半导体器件上。现有技术中在通过物理气相沉积工艺沉积金属层后直接在其上涂覆光刻胶进行光刻并进行保护层的制作，会因金属层上存有晶界而在金属垫上形成缺陷或表面腐蚀...

本发明提供了一种改进型电容及其制造方法。现有技术的采用ＭＩＭ或ＰＩＰ结构的电容存在着占用空间大等问题，故无法顺应半导体器件微型化的发展需求。本发明的电容设置在已制造完金属前介质和第一金属层的半导体器件中，该金属前介质中设置有连通的电极凹...

本发明公开了一种金属硅化物薄膜的制备方法，其用于在晶圆的源漏极区和栅极区表面上形成金属硅化物薄膜，涉及半导体领域的制造工艺。该制备方法包括如下步骤：在栅极区侧面形成侧墙；在晶圆表面涂光阻，进行光刻步骤形成离子注入窗口，晶圆表面有一层氧化...

本发明公开了一种晶圆背面粗糙化处理方法，涉及半导体的制造领域。该处理方法包括：提供由硫酸、硝酸钾和氟化氢铵混合形成的蚀刻溶液；采用防酸且隔热材料的薄膜将晶圆除背面的其他部分覆盖住；将晶圆放入上述蚀刻溶液中对晶圆背面进行湿法蚀刻。进一步地...

本发明提供了一种可避免被顶层金属腐蚀的金属垫制作方法，该金属垫制作在已制成顶层金属的半导体器件上。现有技术中制作完扩散阻挡层后并无致密步骤致使顶层金属易穿过该扩散阻挡层而进入金属垫，从而使金属垫流电效率降低并被腐蚀。本发明的可避免被顶层...

本发明公开了一种晶圆表面焊接突起的制作方法，涉及半导体后段制造工艺。该制作方法包括如下步骤：在晶圆的表面涂干膜；进行曝光以及显影步骤，在干膜上形成深度与干膜厚度相等的主开口以及深度小于干膜厚度的若干个辅助开口，所述辅助开口将显影后剩余的...

本发明提供了一种可提高平整度的像素电极制造方法，其制作在具有控制电路、层叠在控制电路上的顶层金属和保护氧化层的硅基板上。现有技术制作像素电极时易使网格状氧化物产生凸起从而影响像素电极的平整度进而影响硅基液晶的性能。本发明的像素电极制造方...

一种栅层的制造方法，包括：提供具有栅极介质层的半导体衬底；在所述栅极介质层上形成多晶硅层；在所述多晶硅层表面形成氧化硅层；对所述多晶硅层进行离子注入掺杂。本发明还提供一种半导体器件的制造方法。本发明工艺较为简单，且能够抑制或消除在对多晶...

一种ＣＭＯＳ图像传感器，包括：具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底分为光电二极管区域和外围电路区域；位于光电二极管区域半导体衬底中具有第二导电类型的深掺杂阱，所述第二导电类型与第一导电类型相反；位于光电二极管区域半导体衬底中深掺...