一种选择栅极的制作方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有选择栅极；在选择栅极上形成腐蚀阻挡层。本发明还提供选择晶体管、非挥发性半导体存储器及制作方法。本发明在选择栅极上形成腐蚀阻挡层，后续刻蚀形成字线过程中，由于有腐蚀阻挡层的...

一种光刻胶掩模图形的显影方法，包括：一种光刻胶掩模图形的显影方法，其特征在于，包括：ａ）提供表面涂敷光刻胶并经过曝光处理的半导体衬底；ｂ）将半导体衬底置于刻蚀反应室中；ｃ）采用含有元素周期表中ⅦＡ族原子的第一刻蚀气体对光刻胶进行预刻蚀；...

一种具有超浅结的ＭＯＳ晶体管的形成方法，包括：以栅极结构为掩膜，向半导体衬底中进行第一离子注入；以栅极结构为掩膜，向半导体衬底中进行第二离子注入，形成源极区、漏极区，所述第二离子注入的离子的原子序数比第一离子注入的离子的原子序数大；对源...

一种晶体管的测试结构，包括：并联在测试晶体管的栅极和衬底之间的电荷储存元件和放电元件，所述电荷储存元件的面积大于所述晶体管的面积。所述电荷储存元件和放电元件作为保护元件，可以阻止静电放电产生的瞬间大电流破坏金属氧化物半导体晶体管的薄栅极...

一种半导体器件，包括：位于半导体衬底中的隔离结构，位于有源区中的沟道导电类型为ｎ型的ＭＯＳ晶体管区域的深ｎ型掺杂阱；形成于半导体衬底上的ｎ型的ＭＯＳ晶体管。所述深ｎ型掺杂阱位于该区域的ｐ型掺杂阱之下、与其两侧ｎ型掺杂阱相电连接、且其离子...

一种光掩模版制作方法，包括：将布局对准标记图案写入光掩模版上，形成掩模版对准标记图案；将布局半导体器件图案写入所述光掩模版上，形成与所述掩模版对准标记图案相邻的掩模版半导体器件图案。本发明还提供一种光掩模版和图形化的方法。本发明将掩模版...

一种测量半球形颗粒多晶硅层厚度的方法，包括下列步骤：提供带有半球形颗粒多晶硅层的半导体衬底；椭圆偏振光入射至半球形颗粒多晶硅层，在半球形颗粒多晶硅层中经过反射透射后，接收反射出半球形颗粒多晶硅层最高点表面的线偏振光；比较入射前偏振光与反...

一种形成接触孔的方法，包括：在半导体衬底上依次形成绝缘介质层、阻挡层和第一光刻胶层；将光掩模版上的接触孔图案转移至第一光刻胶层上，形成第一接触孔开口图形；以第一光刻胶层为掩膜，刻蚀阻挡层，形成第一接触孔开口；去除第一光刻胶层后，在阻挡层...

一种栅极的制作方法，包括：在半导体衬底上依次形成栅介电层和多晶硅层，所述半导体衬底分为器件密集区和器件非密集区；刻蚀多晶硅层和栅介电层至露出半导体衬底，形成栅极；刻蚀栅极，使器件密集区的栅极关键尺寸与器件非密集区的栅极关键尺寸一致，达到...

一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供依次带有垫氧化层和腐蚀阻挡层的半导体衬底，所述腐蚀阻挡层中有贯穿腐蚀阻挡层且露出垫氧化层的开口；以腐蚀阻挡层为掩膜，沿开口刻蚀垫氧化层和半导体衬底，形成浅沟槽，其中，浅沟槽侧壁有聚合物；通入与聚合...

一种形成浅沟槽隔离结构方法，包括：提供依次带有垫氧化层和腐蚀阻挡层的半导体衬底；在腐蚀阻挡层上形成第一掩膜层；在第一掩膜层上依次形成抗反射层和图案化光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，刻蚀抗反射层和第一掩膜层至露出腐蚀阻挡层；去除光刻胶层和抗反...

一种形成浅沟槽隔离结构的方法，包括：提供依次带有垫氧化层和腐蚀阻挡层的半导体衬底；在腐蚀阻挡层上形成掩膜层，所述掩膜层上形成有与浅沟槽位置对应的开口；以掩膜层为罩幕，沿开口刻蚀腐蚀阻挡层至露出垫氧化层；以掩膜层和腐蚀阻挡层为罩幕，刻蚀垫...

一种ＣＭＯＳ晶体管，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括隔离结构、位于隔离结构之间的ＰＭＯＳ有源区和ＮＭＯＳ有源区，ＰＭＯＳ有源区与ＮＭＯＳ有源区相邻；栅极，位于ＰＭＯＳ有源区与ＮＭＯＳ有源区的半导体衬底上；ＮＭＯＳ有源区栅极两侧的半导...

一种去除互连金属层表面氧化膜的方法，采用非氧化性气体的等离子体溅射互连金属层表面的氧化膜，溅射过程中保持反应腔的温度低于２３摄氏度。所述方案提供一个温和的等离子溅射蚀刻的制成条件，均匀地，自如地控制反应腔体温度以及晶圆表面的温度，可以减...

一种再分布金属线的制作方法，包括：提供表面具有钝化层的晶片，钝化层具有第一开口，焊盘位于第一开口内，所述钝化层及焊盘上形成有带露出焊盘的第二开口的第一绝缘层；在第一绝缘层上及第二开口内形成金属层；在金属层上形成光刻胶层，定义再分布金属线...

一种再分布金属层的制作方法，包括：提供表面具有钝化层的晶片，钝化层具有第一开口，焊盘位于第一开口内，所述钝化层及焊盘上形成有带露出焊盘的第二开口的第一绝缘层；在第一绝缘层上及第二开口内形成再分布金属层；在再分布金属层表面形成第二绝缘层；...

一种具有超浅结的ＭＯＳ晶体管的形成方法，包括：在半导体衬底上依次形成栅介质层与栅极，所述栅介质层与栅极构成栅极结构；以栅极结构为掩模，在栅极两侧的半导体衬底内进离子注入，形成源／漏极延伸区，所述离子注入的方向与垂直半导体衬底表面方向之间...

一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有沿半导体衬底方向的ＰＮ结以及在半导体衬底上形成有介质层；在介质层上对着半导体衬底中的垂直于半导体衬底方向的ＰＮ结的位置形成平面螺旋电感器。本发明还提供一种半导体器件。...

一种去除硅衬底表面氧化硅层的方法，包括如下步骤：将带有氧化硅层的硅衬底置入刻蚀设备中，所述硅衬底表面形成有氧化硅层，所述刻蚀设备中形成有ＮＨ↓［４］Ｆ原子团，其与硅衬底表面氧化硅层发生反应生成固态（ＮＨ↓［４］）↓［２］ＳｉＦ↓［６］；...

一种ＭＯＳ晶体管，包括：半导体衬底中、栅极结构两侧的低掺杂源／漏延伸区；位于栅极结构两侧半导体衬底之上的侧墙；位于栅极结构两侧半导体衬底中的重掺杂源／漏区、位于栅极结构两侧半导体衬底中的袋状区和掺杂Ｆ离子区域，所述掺杂Ｆ离子区域位于袋状...