离子注入测试体、离子注入区掩膜版及离子注入测试方法技术

一种离子注入测试体，对应于不同的半导体基底，所述测试体包含器件区；所述测试体还包含至少一个用以进行离子注入制程检测的检测区，所述检测区位于所述器件区外。利用所述离子注入测试体可在离子注入制程检测过程中较真实地反映产品离子注入制程的制造效果。本发明专利技术还提供了一种离子注入区掩膜版，以形成具有可较真实地反映产品离子注入制程制造效果的离子注入区的离子注入测试体；本发明专利技术还提供了一种离子注入测试方法，使得离子注入制程检测操作可较真实地反映产品离子注入制程的制造效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种离子注入测试体、 离子注入区掩膜版及离子注入测试方法。
技术介绍
离子注入作为半导体制程中的重要工艺，其制程检测历来为业界所重 视。当前，业界主要利用离子注入制程检测数据调整离子注入控制工艺。如2005年7月13日公开的公开号为"CN1638014"的中国专利申请中提供了 一种离子束检测装置，通过改进晶片支座以获得离子束断面图， 以提高对半导体晶片或者类似材料的离子注入的控制。显然，应用所述方法调整控制工艺时，需配合晶片支座的改进，即，需配合设备的改进，操作复杂。实践中，离子注入制程检测通常利用基片(barewafer )进行。对处 于半导体制程内任意阶段的半导体基底执行离子注入制程检测的步骤包 括提供基片；对所述基片执行所述离子注入操作，以利用所述基片替 代所述半导体基底进行离子注入制程检测；对离子注入操作后的所述基 片执行离子注入制程检测。当前，离子注入制程检测通常釆用二次离子质谱(SIMS)测试。此外， 实际生产中，完成任一离子注入制程后，还需进行晶片可接受性测试 (Wafer Acceptability Testing, WAT),经历SIMS及/或WAT判定失效 的所述半导体基底对应的离子注入控制工艺需进行调整。然而，实际生产发现，在相同制程条件下，SIMS数据与WAT数据间存 在差异，换言之，利用基片获得的离子注入制程检测数据不能真实地反 映产品离子注入制程的制造效果。如何在离子注入制程检测过程中真实 地反映产品离子注入制程的制造效果成为本领域技术人员面临的主要问 题。
技术实现思路
本专利技术提供了 一种离子注入测试体，利用所述离子注入测试体可在离子注入制程检测过程中较真实地反映产品离子注入制程的制造效果； 本专利技术提供了 一种离子注入区掩膜版，以形成具有可较真实地反映产品 离子注入制程制造效果的离子注入区的离子注入测试体；本专利技术提供了 一种离子注入测试方法，使得离子注入制程检测操作可较真实地反映产 品离子注入制程的制造效果。本专利技术提供的一种离子注入测试体，对应于不同的半导体基底，所 述测试体包含器件区；特别地，所述测试体还包含至少一个用以进行离 子注入制程检测的检测区，所述检测区位于所述器件区外。可选地，每一所述^r测区对应唯一的离子注入制程；可选地，所述 检测区与器件区同步进行离子注入操作；可选地，各所述检测区在同一 才企测区平面内无交叠。一种离子注入区掩膜版，所述离子注入区掩膜版包含器件图形，特 别地，所述离子注入区掩膜版还包含至少 一个用以形成离子注入测试体 内检测区的检测图形，所述检测图形位于所述器件图形外。可选地，各所述^r测图形间无交叠。一种离子注入测试方法，包括提供半导体基体，所述半导体基体具有器件区和至少一个检测区， 所述;^r测区位于所述器件区外；确定离子注入操作次数N;执行离子注入操作；利用所述检测区进行离子注入制程检测；清洗经历离子注入制程检测后的半导体基体；对清洗后的所述半导体基体顺序执行离子注入操作、离子注入制程 检测及清洗操作，直至完成N次清洗操作。可选地，每一所述斥企测区对应唯一的离子注入制程；可选地，所述检测区与器件区同步进行离子注入操作；可选地，各所述检测区在同一才全测区平面内无交叠。一种离子注入测试方法，包括提供半导体基体，所述半导体基体具有器件区和至少一个检测区， 所述^r测区位于所述器件区外；确定离子注入操作次数N;顺序执行N次离子注入操作；利用所述才全测区进行离子注入制程检测。可选地，每一所述冲企测区对应唯一的离子注入制程；可选地，所述 检测区与器件区同步进行离子注入操作；可选地，各所述^r测区在同一 4全测区平面内无交叠。与现有技术相比，本专利技术具有以下优点本专利技术提供的离子注入测试体，通过在不同半导体基底上包含至少一 个检测区，可直接利用所述半导体基底进行离子注入制程检测，以使提 高离子注入制程检测的真实性成为可能；并可通过所述检测区与器件区 的分离，减少所述半导体基底内包含的器件区受到的损伤；本专利技术提供的离子注入测试体的可选方式，通过使每一检测区对应唯 一的离子注入制程，即根据离子注入制程数目确定检测区的数目，可使 进一步提高离子注入制程检测的真实性成为可能，并使提高离子注入制 程检测的准确性成为可能；本专利技术提供的离子注入区掩膜版,通过在对应不同半导体基底的掩膜 版上包含至少一个检测图形，可直接利用获得的离子注入测试体进行离 子注入制程检测，以使提高离子注入制程检测的真实性成为可能；并可 通过所述检测图形与器件图形的分离，减少获得的离子注入测试体内包 含的器件区受到的损伤；本专利技术提供的离子注入测试方法，通过利用在不同半导体基体上形成至少一个^r测区，以进行离子注入制程才企测，可直4^利用形成4全测区后的半导体基体进行离子注入制程检测，以使提高离子注入制程检测的真实性成为可能；并可通过所述^r测区与器件区的分离，减少所述半导体 基体内包含的器件区受到的损伤；本专利技术提供的离子注入测试方法的可选方式，通过对每一检测区仅执 行唯一的离子注入制程，可使进一步提高离子注入制程检测的真实性成为可能，并使提高离子注入制程检测的准确性成为可能。附图说明图la lb为说明本专利技术实施例的离子注入测试体俯视结构示意图； 图2a 2b为说明本专利技术实施例的离子注入区掩膜版俯视结构示意图3为说明本专利技术提供的离子注入测试方法第一实施例的流程示意图4为说明本专利技术提供的离子注入测试方法第二实施例的流程示意图。具体实施例方式尽管下面将参照附图对本专利技术进行更详细的描述，其中表示了本发 明的优选实施例，应当理解本领域技术人员可以修改在此描述的本专利技术 而仍然实现本专利技术的有利效果。因此，下列的描述应当被理解为对于本 领域技术人员的广泛教导，而并不作为对本专利技术的限制。为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细 描述公知的功能和结构，因为它们会使本专利技术由于不必要的细节而混 乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实 现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实 施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和规工作。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本专利技术。根据下列 说明和权利要求书本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均 采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，4叉用以方^f更、明晰地辅助 说明本专利技术实施例的目的。本专利技术提供的离子注入测试体，对应于不同的半导体基底，所述测试体包含器件区；所述测试体还包含至少一个用以进行离子注入制程检 测的片全测区，所述^r测区位于所述器件区外。所述半导体基底为半导体制程中已完成离子注入操作的位于任意 阶段的在制品。所述离子注入操作包括但不限于对包含多晶硅的栅极进 行掺杂以降低其电阻的操作、形成LDD及袋式掺杂区以及源/漏区的操 作。每一离子注入制程完成一次离子注入操作。每一所述检测区对应唯 一的离子注入制程。所述离子注入测试体包含器件区和检测区。所述器件区用以制造器 件；所述检测区仅用以替代传统技术中的基片进行离子注入制程检测。 所述检测区与器件区同步进行离子注入操作；但是，每一所述检测区对 应唯一的离子注入操作。各所述检测区可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离子注入测试体，对应于不同的半导体基底，所述测试体包含器件区；其特征在于：所述测试体还包含至少一个用以进行离子注入制程检测的检测区，所述检测区位于所述器件区外。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：丁宇，居建华，赖李龙，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]