一种测量关键尺寸的扫描电子显微镜（ＣＤＳＥＭ）校准用样品的制作方法，包括硅衬底预清洗，形成垫氧化层，淀积多晶硅层，形成光刻胶图案，形成栅极结构，形成一导电层。所得到的栅极结构样品，由于表面的导电层对电荷的消散作用，抑制了样品表面电荷的累...

本发明提供一种将背面曝光用于嵌入式相移掩模聚焦离子束蚀刻的方法。目前在制作具有硅化钼类（ＭｏＳｉＯｘ）膜的嵌入式相移掩模（ＥＰＳＭ）时，容易出现图案伸出的缺陷，但是由于扫描电镜不能清晰定义缺陷区域在石英玻璃基材上的轮廓，而使缺陷不能用聚...

本发明公开了一种半导体隔离结构的形成方法包括：提供半导体衬底；在衬底上生长氧化层；在氧化层上利用光刻胶形成光刻掩膜图形；利用光刻掩膜图形定位有源区和隔离区；向隔离区中注入碳原子；除去光刻胶以后，对衬底进行中高温退火，使注入的碳原子均匀分...

本发明公开了一种半导体叠层电容器，其特征在于包括：在半导体器件上形成的至少一层金属层；填充在所述金属层之间电介质层；所述金属层之间具有至少一个金属互连孔。本发明的半导体叠层电容器相对于ＭＩＭ电容器减少了一次掩膜工艺，从而大大降低了生产成本。

一种光掩膜图形位置的检测方法包括：汇总光掩膜版图中的各个填入图形面积，并作为参考总面积；将光掩膜版图中各个填入图形位置与大小输入制图软件中形成填入图形模块版图；将填入图形模块版图输入图形处理软件中计算填入图形模块区域面积，比较所述参考总...

本发明涉及一种在半导体器件的光刻过程中缩小用于形成接触孔的光刻胶图案的临界尺寸，从而允许得到临界尺寸在９０ｎｍ以下的接触孔图案的方法。所述方法包括ａ）在衬底上涂覆光刻胶，形成光刻胶层；ｂ）利用具有预定图案的掩模对光刻胶层进行曝光；ｃ）在...

本发明公开了一种半导体器件的制造方法，在反应室进行定期维护之后，所述方法包括：用试片对反应室进行适应性调整；在反应室内利用测试晶片单独运行刻蚀工艺；检测刻蚀速率；根据所述刻蚀速率调整正式生产晶片的刻蚀工艺时间。本发明的方法能够将侧壁间隔...

本发明公开了一种去除刻蚀残留物的方法包括：提供一半导体衬底；在衬底上形成功能层，在所述功能层表面形成掩膜层；图案化所述掩膜层；干法刻蚀所述功能层以形成所需图形并采用气体喷流去除刻蚀残留物；湿法清洗去除刻蚀残留物。本发明的另一种去除刻蚀残...

本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件具有一个顶层的金属层以及一个通过中间介质层通孔电连接至顶层金属层的下层金属层。本发明的制造方法为先在具有金属图案的衬底上覆盖刻蚀停止层，其厚度为１００～３００埃，在刻蚀停止层上覆盖厚度约...

本发明提供一种寻找集成电路布图设计中目标区域的方法，主要用于寻找集成电路布图设计中容易违反设计规则的存储器区域。此种方法是基于存储器区域与逻辑区域的关键尺寸不同而设计，以特定选取的数值对布图中的图案特征每边进行放大以及缩小，根据图案特征...

本发明提供了一种半导体晶片焊料凸块结构及其制造方法，通过在衬底表面形成接合盘和钝化层并平坦化所述接合盘和钝化层的表面，使后续沉积的多层金属层表面平坦，提高了焊料凸块端电极回流后的高度和体积的一致性以及纯度。

本发明涉及ＣＯＢ－ＤＲＡＭ的位线制作方法，特别是具有氮－氧－氮硬掩模的ＳＡＣ结构的位线的制作方法。该方法的硬掩模采用氮－氧－氮型，即在氮化硅硬掩模中插入一氧化铝层，此插入的氧化铝层以取代相同厚度的氮化硅硬掩模，在同样的ＳＡＣ刻蚀过程中，...

一种金属氧化物半导体场效应晶体管保护电路，包括ＮＭＯＳ管及保护二极管，所述的保护二极管有两个，该两个二极管的阳极分别和ＮＭＯＳ管栅极以及衬底相连接，该两个二极管的阴极相连。本发明保护了金属氧化物半导体使其免受天线效应影响，同时防止对低开...

本发明提供了一种用于光学显微镜下的标记工具，包括滑动导轨、一对导向杆、油印头及卡套，实现了快速、准确、方便地标记，避免了晶圆代工厂中对晶圆进行标记是人工操作的所带来的诸多问题。

本发明公开了一种硅基液晶显示器件及其制造和检测方法，该器件在ＣＭＯＳ基板内部对应每一像素单元增加了一ＭＯＳ晶体管（４０１）以输出测试信号，并通过在工艺制造过程中在晶片表面覆盖一层辅助金属层（５０２），再对该金属层与表面的反射电极（１１１...

本发明公开了一种晶片检测方法，包括：利用ＡＶＩ工具中的光学处理单元获取晶片光学图像；并对晶片光学图像进行灰度计算及分区；选定分区标准芯片；最后，将不同分区内的其它芯片同标准芯片进行灰度值对比，检测出缺陷芯片。所述分区的具体方式根据产品状...

一种硅基液晶显示芯片基板的制造及晶圆级检测方法，包括：首先，形成一辅助金属层；然后，形成像素辅助电容；随后，获得检测数据并分析检测数据，检测出ＬＣＯＳ基板缺陷；最后，移除所述辅助金属层。所述辅助金属层涵盖ＬＣＯＳ基板内全部像素单元基板。...

公开了一种化学机械研磨方法，该方法通过研磨垫的处理以及研磨工艺制程的改进，减少甚至消除了化学机械研磨过程中易产生的擦痕，本发明适用于各种ＣＭＰ薄层材料，具有通用性强，成本低的特点，在不增加工艺难度的前提下，提高了产品的成品率。

本发明公开了一种半导体器件制造方法，该方法结合了表面平坦化技术、湿法腐蚀技术与栅极刻蚀技术，按照不同类型器件对电参数的不同要求，灵活地控制阶梯高度，在后面进行的栅极刻蚀制造中，利用该阶梯高度的调整，调节了栅极刻蚀终点，也就调整了刻蚀的根...

一种互补金属氧化物半导体器件的制造方法，包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底中形成Ｎ阱和Ｐ阱；在所述半导体衬底上形成氧化层；对所述Ｎ阱和Ｐ阱进行第一阶段掺杂；对所述Ｎ阱和Ｐ阱进行第二阶段掺杂；在所述Ｎ阱和Ｐ阱区域形成栅极、源极和漏极...