一种消除隔行字线桥接的方法技术

本发明专利技术一种消除隔行字线桥接方法，在存储阵列周围排列虚拟单元，这样就使得在晶圆的生产过程中，隔行字线桥接就不会发生，并且不对晶圆的功效产生任何的影响。本发明专利技术能有效地消除隔行字线桥接，提高晶圆的良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种存储阵列的排列方法，尤其涉及一种可消除隔行字线桥接 的存储阵列排列方法。
技术介绍
在110nm的沟槽式(:Deep Trench,简称DT )动态随片几读耳又存4诸器(Dynamic Random Access Memory,简称DRAM )技术的节点(node )里，经常会产生一 种特殊的失效模型——隔行字线桥接(Interleave Word Line Bridge,简称 Interleave WL )，这种失效模型随机分布在晶圆的存储阵列的边缘(array edge )。为了找出这种失效模型产生的原因，我们采用了电性失效分析(Electrical Failure Analysis,简称EFA)和物理失效分冲斤(Physical Failure Analysis,简称 PFA )来对这种隔行字线桥接进行分析。从PFA分析的结果来看，interleave WL仅仅发生在存储阵列边缘的一些特 殊的区域上，其根本原因是存储阵列边缘的设计问题。由于存储阵列边缘的负 载效应(loading effect) , DT的均匀度和形状在存储阵列的边缘和在存储阵列的 中心并不本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种消除隔行字线桥接的方法，其特征在于，在存储阵列的周围排列虚拟单元。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王永刚，常建光，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]