【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种化学机械抛光液。
技术介绍
在130nrn以下的半导体工艺制程中，金属铜已被广泛用作互连线路材料。 Cu互连线路的化学机械抛光(CMP)是现今全面平坦化工艺中广泛应用的技术。 不同的制程对铜的抛光速率有着不同的技术要求。采用工艺条件的优化来调节 铜的去除速率是业界常用的方法。己有很多文献报道不同的抛光液配方，以达 到不同的选择比来调节Cu的表面形貌和去除速率。在Cu的化学机械抛光过程中，分两个阶段快速去除阶段和软着陆阶段(如 图1所示)。软着陆阶段的fe光要求相对较低的铜的去除速率以及非常高的Cu/Ta 抛光选择比，才能保证既除去了金属又能停止在阻挡层上面。添加表面活性剂 可以大幅度降低阻挡层的去除速率，而不影响铜的去除。阻挡层的抛光要求具 有较高的Ta/TaN的去除速率，温和易控的铜的去除速率以及合适的与绝缘层材 料的选择比。所以铜的去除对双氧水浓度的变化相对比较惰性，或变化比较平 缓，可以保证比较宽的控制窗口，更有利于在线控制抛光选择比。化学机械抛光过程中，Cu的去除速率对双氧水浓度变化的敏感程度直接影 响化学机械抛光工艺的可控性，从而影响...
【技术保护点】
一种化学机械抛光液，其特征在于含有：磨料、双氧水、水和下述络合剂中的一种或多种：含有巯基的三唑环、活性氮原子上有给电子取代基的三唑类化合物、含有羧基的吡啶环和草酸盐。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：宋伟红，姚颖，陈国栋，包建鑫，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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