【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件的制造工艺，具体地说，涉及一种晶圆表面金属硅 化物的制备方法。
技术介绍
由于晶圓表面的金属硅化物不仅可以减小源/漏极和栅极的电阻，降低其接触电阻，还可以缩短了与栅极相关的RC延迟，因此金属硅化物(Salicide)制 备工艺成为超高速CMOS逻辑大规模集成电路的关键制造工艺之一。图1是采用现有制备方法制备金属硅化物的结构示意图。现有的制备方法 一般采用如下步骤在晶圓有源区(activearea) 11的表面形成一层绝缘层12, 其可以是二氧化硅，也可以是氮氧化硅和氮化硅；接下来在绝缘层上涂光阻13， 然后进行曝光、显影步骤将需要形成金属硅化物区域对应的光阻去除；采用干 法蚀刻和湿法蚀刻相结合的方法将未被光阻覆盖的绝缘层去除；移除剩余光阻； 淀积金属，金属与有源区表面未被绝缘层覆盖的硅发生反应形成金属硅化物14。 但是，在上述湿法蚀刻步骤时，由于光阻13与绝缘层12的黏附性不太好，蚀 刻液常常会侵入光阻与绝缘层之间，导致光阻13发生偏移，从而影响蚀刻位置 的准确性。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术解决的技术问题是提供一种，其 可以提高形成金属硅化物区域的准确性。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种新的。该 制备方法包括如下步骤提供晶圓，在晶圆表面依次形成氧化层和硬掩膜；在 硬掩膜上涂光阻，进行曝光、显影步骤将需要形成金属硅化物区域对应的光阻 去除；进行干法蚀刻步骤，去除未被光阻覆盖的硬掩膜；进行湿法蚀刻步骤， 去除未被硬掩膜覆盖的氧化层；淀积金属，金属与晶圆表面未被氧化层覆盖的硅反应形成金属硅化物。与现有技术相比，本专利技术的...
【技术保护点】
一种金属硅化物的制备方法，其特征在于，该制备方法包括如下步骤： ａ．提供晶圆，在晶圆表面依次形成氧化层和硬掩膜； ｂ．在硬掩膜上涂光阻，进行曝光、显影步骤将需要形成金属硅化物区域对应的光阻去除； ｃ．进行干法蚀刻步骤，去除未被光阻覆盖的硬掩膜； ｄ．进行湿法蚀刻步骤，去除未被硬掩膜覆盖的氧化层； ｅ．淀积金属，金属与晶圆表面未被氧化层覆盖的硅反应形成金属硅化物。
【技术特征摘要】
1. 一种金属硅化物的制备方法，其特征在于，该制备方法包括如下步骤a. 提供晶圆，在晶圆表面依次形成氧化层和硬掩膜；b. 在硬掩膜上涂光阻，进行曝光、显影步骤将需要形成金属硅化物区域对应的光阻去除；c. 进行干法蚀刻步骤，去除未被光阻覆盖的硬掩膜；d. 进行湿法蚀刻步骤，去除未被硬掩膜覆盖的氧化层；e. 淀积金属，金属与晶圆表面未被氧化层覆盖的硅反应形成金属硅化...
【专利技术属性】
技术研发人员：王媛，张步新，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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