温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种金属硅化物的制备方法，涉及半导体领域的制造工艺。现有制备方法的湿法蚀刻步骤中光阻容易发生偏移，蚀刻尺寸的准确性较低。本发明的制备方法包括如下步骤：提供晶圆，在晶圆表面依次形成氧化层和硬掩膜；在硬掩膜上涂光阻，进行曝光、显影步...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。