一种图像传感器的芯片尺度封装方法技术

本发明专利技术提供了一种图像传感器的芯片尺度封装方法，所述图像传感器包括具有传感电路的晶圆和光学元件，该芯片尺度封装方法包括：先在所述晶圆上进行硅贯通电极的制作；然后在晶圆上制备图像传感器的光学元件。该方法通过将光学元件的制备步骤放在硅贯通电极形成的步骤之后，可有效解决传统图像传感器的芯片尺度封装方法中图像传感器的光学元件易在硅贯通电极形成过程中受变形，污染或损伤的问题，保证光学元件性能可靠性和稳定性，同时可提高硅贯通电极制备中绝缘层淀积温度，确保绝缘层质量良好，最终提高图像传感器的芯片尺度封装的良品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件的芯片尺度封装领域，尤其涉及一种图像传感器芯 片尺度封装方法。
技术介绍
目前，芯片尺度封装(chip scale packaging)已经成为消费类电子产品的主 流封装技术。芯片尺度封装融合了大规模集成电路十分成熟的微加工工艺，使 得电子器件越来越微型化，电子产品越来越轻巧，越来越功能多样化。常见的消费电子产品中的图像传感器通常是电荷耦合器件(CCD)传感器 或CMOS图像传感器。这类图像传感器芯片尺度的封装，通常都是在晶圓(wafer) 上制作好图像传感器的传感电路部分，通过硅贯通电极方法实现传感电路与图 像传感器光学元件的连接。硅贯通电极(through silicon via )技术的出现使得这 些图像传感器可进行更小尺寸的芯片尺度封装，使图像传感器的封装密度得到 更进一步的提高。硅贯通电极技术通常包括硅过孔刻蚀步骤、绝缘层淀积步骤、 过孔底部开孔步骤、金属电极形成步骤等。传统的方法均是先在晶圓上制备图像传感器的光学元件，然后制作硅贯通 电极。由于光学元件较脆弱，高温承受能力差，因此在已制备光学元件的晶圆 上，硅贯通电极制作中的绝缘层淀积温度不宜过高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器的芯片尺度封装方法，所述图像传感器包括具有传感电路的晶圆和光学元件，其特征在于，所述芯片尺度封装方法包括：先在所述晶圆上进行硅贯通电极的制作；然后在晶圆上制备图像传感器的光学元件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：三重野文健，鲍震雷，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]