一种可避免产生突起的保护层制作方法技术

本发明专利技术提供了一种可避免产生突起的保护层制作方法，该保护层制作在半导体器件的顶层金属上，该顶层金属具有多条相邻的金属导线，该保护层包括一氧化层、一氮化硅层和一塑胶保护层。现有技术中沉积完氧化层时会在相邻且间距较小的金属导线间形成密闭空间且密封一部分气体，该部分气体会在后续步骤中形成突起，该突起将会影响塑胶保护层和半导体器件的可靠性。本发明专利技术的保护层制作方法先沉积氧化层；然后刻蚀氧化层以增大金属导线间间隙；接着沉积氮化硅层；最后涂覆塑胶保护层并进行预烘。采用本发明专利技术的可避免产生突起的保护层制作方法可制作出无突起的保护层，如此可大大提高半导体器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及。
技术介绍
在制作诸如动态随机存储器(DRAM)和快速循环随机存储器(FCRAM)等存储器件时，在制作完顶层金属后还需在该顶层金属上制作用于保护存储器件的保护层，该保护层包括一氧化层、一氮化硅层、一塑胶保护层(其通常为聚酰亚胺薄膜)，其中，该塑胶保护层即可有效阻止α离子引起的软失效(softfailure)又可在后续器件的封装中起到缓冲作用。在制作该保护层时先通过低压化学气相沉积工艺(LPCVD)沉积氧化层；然后通过等离子体增强化学气相沉积工艺(PECVD)沉积氮化硅层；最后涂覆塑胶保护层并进行预烘。 上述顶层金属上具有多条相邻的金属导线，随着最小特征尺寸的不断减小金属导线间的间距也越来越小，在通过LPCVD工艺沉积氧化层时会在两相邻金属导线边沿沉积出突出的肩部，当两相邻金属导线的间距小到一定程度时，两相对的肩部就会相连接而在两相邻金属导线间形成封闭空间并将一部分空气封闭在该封闭空间中，于是后续所沉积的氮化硅和所涂敷的塑胶保护层均无法进入该封闭空间中，当涂敷完塑胶保护层并进行预烘时，封闭在封闭空间的气体就会膨胀移动到金属导线的末端(使用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可避免产生突起的保护层制作方法，该保护层制作在半导体器件的顶层金属上，该顶层金属具有多条相邻的金属导线，该保护层包括一氧化层、一氮化硅层和一塑胶保护层，该保护层制作方法包括以下步骤：（１）沉积氧化层；（２）沉积氮化硅层；（３）涂覆塑胶保护层并进行预烘；其特征在于，该保护层制作方法还在步骤（１）与步骤（２）间具有刻蚀氧化层以增大金属导线间间隙的步骤。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈福刚，常建光，王永刚，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]