温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种可避免产生突起的保护层制作方法，该保护层制作在半导体器件的顶层金属上，该顶层金属具有多条相邻的金属导线，该保护层包括一氧化层、一氮化硅层和一塑胶保护层。现有技术中沉积完氧化层时会在相邻且间距较小的金属导线间形成密闭空间且密封...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。