中国电子科技集团公司第四十四研究所专利技术

中国电子科技集团公司第四十四研究所共有489项专利

  • 一种半导体器件封装用真空储能焊封装装置,所述真空储能焊封装装置由上电极、下电极、上磁铁、下磁铁、上电极支座、上外罩、下外罩、法兰波纹管、排气口和管座支座组成;各个部件组合在一起,形成一内含焊接装置的、小体积的密闭空间;本发明的有益技术效...
  • 为解决现有技术光刻大尺寸CCD芯片的拼接曝光方法存在的相邻CCD拼接芯片电路结构所对应的几何图形在其连接处可能产生变形、不连贯、线路变宽或变窄等缺陷的问题,本发明提出一种光刻大尺寸CCD芯片拼接曝光方法,采用拼接方式分别对各CCD拼接芯...
  • 一种CCD驱动时序生成方法,包括:由终端设备、处理芯片、CCD驱动电路和外围电路形成的CCD驱动时序生成装置;操作者通过终端设备将参量输入处理芯片,处理芯片控制外围电路生成脉冲时序,CCD驱动电路生成CCD驱动信号;参量类型有三种,即时...
  • 一种用于倍增电荷耦合器件的封装结构,其特征在于:它由制冷器安装腔、真空泵接口、半导体制冷器、PCB电路板、芯片、环形支架和盖板组成;前述各个部件均为分体式结构;所述半导体制冷器设置于制冷器安装腔内,制冷器安装腔上端面与PCB电路板下端面...
  • 一种制作CCD二次或二次以上多晶硅的工艺,通过在前一次刻蚀操作中形成的过刻蚀区,来为后续的层间氮化硅层提供空间;本发明的有益技术效果是:在不改变多晶硅淀积工艺的前提下,可有效降低各次多晶硅层之间的层间介质厚度,保证不同位置处的层间介质厚...
  • 一种离子注入工艺在CCD制作中的应用,包括:用于其他器件上的多晶硅栅制作的常规离子注入掺杂工艺,所述其他器件为非CCD器件,其改进在于:制作CCD上的多晶硅栅时,采用常规离子注入掺杂工艺对CCD上的多晶硅栅进行磷离子注入掺杂处理。本发明...
  • 本实用新型涉及电子元器件技术领域,具体公开了一种二象限光电二极管,其包括管座、与管座固定安装的芯片及二极管引线,所述芯片上设有两个PIN光电探测器;该每一PIN光电探测器均包括一本征硅衬底层、设于本征硅衬底层正面的光敏区,及设于本征硅衬...
  • 一种背照式图像传感器制作方法,其改进在于:先在外延硅片上制作钝化层,再制作光吸收层,最后制作表面结构。本发明的有益技术效果是:可解决现有技术中只能使用设备价格高昂、操作复杂、加工效率低下的激光(脉冲)退火技术来对钝化层进行激活的缺陷,提...
  • 为解决现有技术术N型高阻硅外延材料制备方法存在的高阻外延层电阻率不能满足要求和易导致4寸或6寸晶圆的碎裂等问题,本发明提出一种N型特高阻硅反外延材料制备方法,采用高剂量掺杂技术在N型特高阻硅单晶的抛光面外延生长高浓度掺杂的外延层;采用硅...
  • 一种提高光纤陀螺用Y波导芯片消光比的方法,包括Y波导芯片,所述Y波导芯片由波导芯片和设置于波导芯片上的Y形波导组成,波导芯片的输入端连接有输入光纤,波导芯片的输出端连接有输出光纤,其改进在于:在Y波导芯片中部形成物理隔离区,以阻断辐射光...
  • 本发明公开了一种微球透镜管帽制作工艺,其将制作微球透镜的玻璃胚料直接熔融成型于管帽上,具体工艺步骤为:1)、模具冲压成型管帽,其表面沿周设置有用于确定微球成型曲率半径的防溢槽,待用;将制作微球透镜的玻璃切割成玻璃柱,待用;2)、将玻璃柱...
  • 一种铌酸锂起偏器芯片加工方法,包括如下步骤:1)对铌酸锂晶体进行切割,2)进行研磨抛光,3)采用质子交换退火工艺加工出波导,获得铌酸锂起偏器芯片;其改进在于:步骤1)中,进行切割时,切割面与铌酸锂晶体的Y轴方向平行,同时切割面与铌酸锂晶...
  • 一种直波导相位调制器,包括钛扩散铌酸锂相位调制器,其改进在于:钛扩散铌酸锂相位调制器的输入端端面与铌酸锂起偏器芯片端面耦合粘接;铌酸锂起偏器芯片由铌酸锂晶片及在铌酸锂晶片表面形成的起偏波导组成,起偏波导所在的结构体表面形成第一波导面,起...
  • 一种在光波导器件中产生任意角度高偏振度线偏光的方法,采用端面耦合工艺将铌酸锂光波导芯片的输出端面和普通光波导芯片的输入端面耦合粘接,并使铌酸锂光波导芯片上的波导结构和普通光波导芯片上的波导结构同轴设置;铌酸锂光波导芯片作为起偏器直接对输...
  • 本发明公开了一种集成门控式淬火恢复电路,包括快速检测电路、脉冲产生电路、像素控制电路、淬灭及复位电路,其中快速检测电路将检测到的SPAD(单光子雪崩二极管)阳极电流信号处理成脉冲信号,经脉冲产生电路输出,像素控制电路由脉冲产生电路的输出...
  • 一种大功率、耐伽玛辐照超辐射发光二极管,发光二极管的芯片由顺次层叠在一起的N面电极层、衬底层、缓冲层、下包层、下波导层、有源层、上波导层、上包层、腐蚀阻挡层、外包层、顶层、电隔离介质膜层和P面电极层组成;其改进在于:在有源层和上波导层之...
  • 一种光纤耦合端精确定位和固定的结构,包括:封装壳、固定架、光电芯片和金属化光纤组件;固定架截面形状形如L形,光电芯片设置于固定架水平段的上侧面,固定架水平段的下侧面与封装壳连接,固定架的竖直段上设置有U形槽;U形槽位置处固定有一毛细管,...
  • 本发明公开了一种光纤镀膜工艺,该工艺通过采用成本低廉的硅材质固定板实现对光纤的夹持,以及用锡箔或铝箔对光纤上不需要镀膜的区域进行保护,最终使得原来非光纤镀膜用的普通光学镀膜机可以用作为光纤镀膜;本发明的有益技术效果是:使普通光学镀膜机即...
  • 本发明公开了一种光纤陀螺及其制作过程中在线检测光纤耦合质量的方法,将Y波导与光纤环对接耦合,还在Y波导芯片内、位于Y波导两则各设置有一条直波导作为辅助波导,作为检测Y波导与光纤环对接耦合状态。本发明的有益技术效果是:降低了光纤陀螺的制作...
  • 本实用新型公开了一种基于线性光耦器件的检测电路,包括输入放大电路、驱动放大电路、线性光耦、输出放大电路和负反馈电路;输入放大电路的输出端与驱动放大电路的输入端连接,驱动放大电路的输出端与线性光耦的输入端连接,线性光耦的一路输出端与输出放...