一种半导体制冷器散热结构，其结构为：所述半导体制冷器散热结构由支架、半导体制冷器、导热层、散热器和风扇组成；所述支架的上端面设置有内凹的凹槽，所述凹槽形成制冷器安装腔，半导体制冷器设置于制冷器安装腔内；所述支架的下端面与导热层的上侧面接...

本发明公开了一种可实现光电线性隔离放大器单电源工作的方法；它具有电源、输入级电路和输出级电路，输入级电路与输出级电路相互隔离，改进：将一个电源通过电源隔离转换电路进行转换后，提供输入级电源和输出级电源，输入级电源与输出级电源相互隔离；一...

一种用于芯片背金处理的夹具，包括硅材质的底盘，其改进在于：底盘的上端面上设置有由L形框架条、条形边框条和多条条形隔断条组成的活动式框架，L形框架条、条形边框条和条形隔断条所围成的区域形成一面积可变的矩形装夹区。本实用新型的有益技术效果是...

本实用新型公开了一种绕线盘组件；其包括绕线盘和舱室，所述绕线盘具有一个提手架、两个支脚架、两个主盘、一个副盘和一个转筒，改进在于：在舱室底部设有托板部件，绕线盘置于托板部件上面、并与托板部件可拆卸连接，绕线盘能够通过托板部件滑出舱室。主...

本实用新型公开了一种光电模块绕线盘；其包括一个提手架、两个支脚架、两个主盘、一个副盘和一个转筒，改进在于：所述转筒上，在两个主盘之间设有光电模块孔，在主盘与副盘之间设有插头孔。主要用途及优点：当用于光电缆组件绕制时，改变了传统做法，把远...

一种能提高输出一致性的多抽头EMCCD放大电路，包括多个抽头放大器，每个抽头放大器都具有漏极、复位漏、复位栅和放大器地，其创新在于：所有抽头放大器的漏极通过引线相互短接，所有抽头放大器的复位漏通过引线相互短接，所有抽头放大器的复位栅通过...

一种内线转移CCD结构，包括硅衬底，所述硅衬底上邻近设置有转移区和光敏区，其创新在于：所述转移区范围内的硅衬底表面上设置有多晶硅转移栅，多晶硅转移栅表面覆盖有遮光层，遮光层表面淀积有回流层，所述回流层将光敏区覆盖；所述遮光层采用难熔金属...

一种能提高EMCCD转移效率的驱动电路，其创新在于：将第四电极和第一电极的输入部并联在第一输入端上，第一输入端同时为第四电极和第一电极提供水平转移时序脉冲，以使第四电极和第一电极向EMCCD输出的信号的相位保持一致；第七电极和第三电极的...

本发明公开了一种图像传感器的直方图均衡化模数转换电路及方法；它包括像素阵列、后续图像处理电路和直方图估算电路，改进在于：还包括电压接入优化电路和可优化模数转换内核，像素阵列输出的模拟信号输入到可优化模数转换内核进行数模转换处理，输出的数...

一种CMOS焦平面读出电路，其创新在于：某一像元在二维焦平面阵列中的位置用标记Celln,m表达，其中，n表示该像元在二维焦平面阵列中所处的行数，m表示该像元在二维焦平面阵列中所处的列数；则标记为Celln,m的像元的输出端分别通过四条...

本发明提出一种CMOS图像传感器自动曝光方法及装置，在获取当前拍摄的图像后，计算图像的当前曝光量和目标亮度阈值，计算当前曝光量到目标亮度阈值之间需要调整的传感器曝光量并将其划分为2n+1个曝光量分段；依据每个分段的曝光量及该分段的奇偶性...

本发明提供一种基于失调控制差分放大结构的单光子雪崩二极管淬灭电路，其门控电路用于接收外部输入的门控使能信号，让其处于导通或关断状态；快速复位电路用于门控电路处于关断状态的同时，接收外部输入的复位信号让其处于导通状态；检测电阻用于当SPA...

一种双路快速响应大电流输出型光电耦合器，包括两个光电转换单元，所述光电转换单元由发光部和光敏部组成，其改进在于：发光部采用发光二极管实现；光敏部由光敏晶体管、分压电阻Ⅰ、分压电阻Ⅱ、稳压二极管和N沟道增强型MOS管组成。本实用新型的有益...

一种CTIA型CMOS焦平面读出电路，某一像元在二维焦平面阵列中的位置用标记Celln,m表达，其中，n表示该像元在二维焦平面阵列中所处的行数，m表示该像元在二维焦平面阵列中所处的列数；则标记为Celln,m的像元所对应的采样单元中的A...

本发明公开了一种硅基紫外增强型光电二极管制作方法，该方法中，通过较为简单的工艺制作出了硅基紫外增强型光电二极管，器件性能与进口产品不相伯仲；本发明的有益技术效果是：采用全新工艺制作出了硅基紫外增强型光电二极管，器件性能与进口产品相当，工...

一种在封闭壳体内设置绝缘胶的方法，包括壳体，所述壳体的内腔中设置有电子器件，电子器件表面和壳体内壁所围空间形成绝缘胶填充腔；其创新在于：先在壳体内绝缘胶填充腔表面涂抹一定厚度的界面胶层，然后用主胶将绝缘胶填充腔内的其余空间填充，然后将壳...

一种光子晶体光纤端面研磨抛光方法，在光子晶体光纤的端面孔隙内预先填充低折射率光学胶，待低折射率光学胶固化后，对光子晶体光纤端面进行光学级的研磨抛光处理；所述低折射率光学胶的折射率小于光子晶体光纤芯层材料的折射率。本发明的有益技术效果是：...

一种高偏振消光比的偏振片，所述偏振片的基体采用由铌酸锂晶体切割而成的铌酸锂晶片；所述铌酸锂晶片为片状结构体，铌酸锂晶片的正、反面各设置有一光波导区，两个光波导区的截面尺寸相同、位置正对；所述铌酸锂晶片表面光波导区以外的区域覆盖有阻光膜层...

一种可实现高偏振消光比的偏振片，所述偏振片的基体采用由铌酸锂晶体切割而成的铌酸锂晶片；所述铌酸锂晶片为片状结构体，铌酸锂晶片的中部设置有柱状的光波导区，光波导区的轴向与铌酸锂晶片的大平面垂直，光波导区贯通铌酸锂晶片；铌酸锂晶片的大平面上...

本发明公开了一种905nm硅雪崩光电二极管，包括P+衬底层、π型层、P型雪崩区、N+光敏区、N+保护环和P+截止环，其创新在于：在所述N+保护环的外周和所述P+截止环的内周之间设置有第二N+保护环。本发明还公开了前述905nm硅雪崩光电...