905nm硅雪崩光电二极管及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种905nm硅雪崩光电二极管，包括P+衬底层、π型层、P型雪崩区、N+光敏区、N+保护环和P+截止环，其创新在于：在所述N+保护环的外周和所述P+截止环的内周之间设置有第二N+保护环。本发明专利技术还公开了前述905nm硅雪崩光电二极管的制作方法。本发明专利技术的有益技术效果是：能大幅提高905nm硅雪崩光电二极管的工作温度上限。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种905nm硅雪崩光电二极管，包括P+衬底层（1）、π型层（2）、P型雪崩区（3）、N+光敏区（4）、N+保护环（5）和P+截止环（6），其特征在于：在所述N+保护环（5）的外周和所述P+截止环（6）的内周之间设置有第二N+保护环（7）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曾武贤，李睿智，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十四研究所，
类型：发明
国别省市：重庆;85