【技术实现步骤摘要】
本专利技术专利技术涉及一种EMCCD驱动电路,尤其涉及一种能提高EMCCD转移效率的驱动电路。
技术介绍
EMCXD和普通帧转移CXD的光敏区、存储区与水平寄存器的结构相同,其不同之处在于EMCCD的水平寄存器(也叫水平读出区)后面又连接了一段增益可控的倍增寄存器;存在的问题是:现有技术中,针对采用三相驱动脉冲实现电荷水平转移的EMCCD,分别采用两套电路来分别为电荷在水平寄存器和倍增寄存器中的转移动作提供控制脉冲,由于两套电路输出的脉冲相位存在一定偏差,对EMCCD的转移效率存在一定影响。
技术实现思路
针对
技术介绍
中的问题,本专利技术提出了一种能提高EMCCD转移效率的驱动电路,包括EMCCD和驱动电路,所述EMCCD采用三相驱动脉冲实现电荷的水平转移;所述驱动电路分别通过第一电极、第二电极和第三电极向EMCCD的水平寄存器提供水平转移时序脉冲;同时,驱动电路还分别通过第四电极、第五电极、第六电极和第七电极向EMCCD的倍增寄存器提供水平转移时序脉冲和倍增时序电压;其中,第四电极的时序相位与第一电极的时序相位匹配;第六电极的时序相位与第二电极的时 ...
【技术保护点】
一种能提高EMCCD转移效率的驱动电路,包括EMCCD和驱动电路,所述EMCCD采用三相驱动脉冲实现电荷的水平转移;所述驱动电路分别通过第一电极(H1)、第二电极(H2)和第三电极(H3)向EMCCD的水平寄存器(1)提供水平转移时序脉冲;同时,驱动电路还分别通过第四电极(Φ1)、第五电极(Φdc)、第六电极(Φem)和第七电极(Φ3)向EMCCD的倍增寄存器(2)提供水平转移时序脉冲和倍增时序电压;其中,第四电极(Φ1)的时序相位与第一电极(H1)的时序相位匹配;第六电极(Φem)的时序相位与第二电极(H2)的时序相位匹配;第七电极(Φ3)的时序相位与第三电极(H3)的时 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:白雪平,王小东,汪朝敏,郑渝,熊平,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第四十四研究所,
类型:发明
国别省市:重庆;85
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