本发明公开了一种能实现紫外光响应的硅器件，它包括：钝化层、Ｎ型区、Ｐ型区，所述的Ｎ型区和Ｐ型区并排在钝化层一侧，且三者间互相连接；光子经过钝化层直接到达耗尽区，且仅保留ＳｉＯ↓［２］作为唯一的钝化层避免了Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］对波长小于...

本发明公开了一种单孔结构的ＣＣＤ输出节点，它包括：ＭＯＳ管栅、ＭＯＳ管栅接触孔、ＣＣＤ输出二极管、ＣＣＤ输出二极管接触孔、复位漏和复位栅，其特别之处在于：所述的ＭＯＳ管栅和ＣＣＤ输出二极管交叠，使ＭＯＳ管栅接触孔和ＣＣＤ输出二极管接触孔...

本实用新型提供了一种九象限激光探测器组件，它包括：内外结构体、激光探测器芯片和放大器电路，其特征在于：所述的激光探测器芯片有九个象限，分别对应九路放大器电路；本实用新型制作的激光探测器芯片光敏分区达到了九个，探测光敏面直径最大可达１５ｍ...

本发明公开了一种单片式可见光／红外光双光谱焦平面探测器，它包括：可见光像元、可见光像元收集二极管、红外感光像元、红外感光像元收集二极管、四相ＣＣＤ转移栅上的电极Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４，各个电极按上述顺序从上至下排列并构成ＣＣＤ信道；可见...

本实用新型涉及一种抗辐射加固电荷耦合器件非光敏区保护结构。在电荷耦合器件的存储区及水平区的表面设置有铟保护层。本实用新型的优点是：电荷耦合器件的抗辐射能力提高了３０％。