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马鞍山市槟城电子有限公司专利技术
马鞍山市槟城电子有限公司共有30项专利
擦粉器制造技术
本技术属于晶圆加工技术领域,公开了一种擦粉器。该擦粉器包括擦拭件、第一部件和第二部件,擦拭件由硅胶材质制成,擦拭件用于擦拭晶圆上的粉末,第一部件的第一端与擦拭件连接,第二部件安装在第一部件的第二端,第一部件与第二部件之间形成供操作人员抓...
一种芯片封装结构制造技术
本技术公开了一种芯片封装结构,包括:第一引线结构、第二引线结构和芯片组件,芯片组件夹设在第一引线结构和第二引线结构之间;芯片组件包括层叠设置的至少两个芯片,相邻芯片之间通过第一导电连接层连接,芯片与第一引线结构以及第二引线结构之间通过第...
ESD保护器件和芯片电路制造技术
本技术涉及半导体芯片技术,公开一种ESD保护器件和芯片电路,包括:P+衬底,在P+衬底上设有P‑外延层,在P‑外延层上设有N‑外延层;两个纵向穿透N‑外延层的P+隔离区,分别为第一P+隔离区和第二P+隔离区;自第一P+隔离区至第二P+隔...
接舟器制造技术
本技术属于半导体加工工具技术领域,尤其涉及一种接舟器,该接舟器用于承载高温炉中的晶舟,包括舟托和底座,舟托包括承载板,承载板包括承载面,承载面能承载晶舟;舟托放置在底座上,承载面能与高温炉的炉口对接,以承接晶舟,底座滑动设置于高温炉外,...
一种芯片封装结构制造技术
本技术公开了芯片封装结构。其中,芯片封装结构,包括至少一个表面金属化的芯片,芯片的两侧设置有导电连接层,在其至少一侧设置有至少一个电极与所述导电连接层电连接,其中,所述电极为铁基电极,所述铁基电极为钢电极、铁电极或铁铬合金电极。本技术提...
搅拌提篮及晶圆片腐蚀装置制造方法及图纸
本实用新型属于半导体技术领域,尤其涉及一种搅拌提篮及晶圆片腐蚀装置
一种瞬态电压抑制二极管及其制作方法技术
本发明公开了一种瞬态电压抑制二极管及其制作方法。该制作方法包括:形成二极管基元;将二极管基元放到石英舟中,启动炉管,向炉管内通入氧气并提升炉管内的温度;当炉管内的温度升到目标设定温度时,将向炉管内通入的氧气切换为设定流量的氮气,并持续通...
一种半导体器件的划片方法及系统技术方案
本发明公开了一种半导体器件的划片方法及系统
单向台面瞬态抑制二极管及其制备方法技术
本发明公开了一种单向台面瞬态抑制二极管及其制备方法,制备方法,包括:提供
一种晶圆加工方法、设备及半导体器件制造方法技术
本发明公开了一种晶圆加工方法、设备及半导体器件制造方法。该晶圆加工方法包括:提供一晶圆;其中,晶圆包括至少一个待加工表面,待加工表面包括待加工区域;不同待加工表面的待加工区域在晶圆上的正投影重合;在待加工表面进行离子注入与扩散,形成PN...
一种芯片封装结构及封装方法技术
本发明公开了芯片封装结构及封装方法。其中,芯片封装结构,包括至少一个表面金属化的芯片,芯片的两侧设置有导电连接层,在其至少一侧设置有至少一个电极与所述导电连接层电连接,其中,所述电极为铁基电极,所述铁基电极至少包括65%重量的铁元素。本...
一种功率器件的制备方法及功率器件技术
本发明公开了一种功率器件的制备方法及功率器件。该方法应用于对作为功率器件衬底的晶圆进行选择性掺杂的场景;该方法包括:提供一晶圆;采用丝网印刷工艺在晶圆的表面印刷可剥胶形成掩膜层;其中,掩膜层具有镂空状的图案区域,晶圆的表面具有掺杂区域;...
ESD保护器件的制备方法及ESD保护器件技术
本申请涉及半导体芯片技术,公开了一种ESD保护器件的制备方法,包括:在P+衬底上形成P
一种瞬态二极管制造技术
本实用新型公开了一种瞬态二极管。包括:器件主体;所述器件主体包括:至少一个第一双向半导体芯片、至少一个第二双向半导体芯片和导电层;所述第一双向半导体芯片和所述第二双向半导体芯片之间设置有所述导电层,使所述第一双向半导体芯片和所述第二双向...
一种半导体器件制备方法技术
本发明公开了一种半导体器件制备方法。该半导体器件制备方法包括:提供一衬底;在衬底正面形成场氧化层;对衬底背面进行第一预设材料的预扩散处理与推结;在衬底背面向衬底内部的方向刻蚀形成多个呈阵列排布的孔槽;其中,孔槽的深度小于推结深度;采用第...
一种瞬态二极管制造技术
本发明公开了一种瞬态二极管。包括:器件主体;所述器件主体包括:至少一个第一双向半导体芯片、至少一个第二双向半导体芯片和导电层;所述第一双向半导体芯片和所述第二双向半导体芯片之间设置有所述导电层,使所述第一双向半导体芯片和所述第二双向半导...
一种半导体放电管及过电压保护装置制造方法及图纸
本实用新型实施例公开了一种半导体放电管及过电压保护装置。其中,半导体放电管包括:第一导电类型的半导体衬底、第一导电块和两个电极;在半导体衬底的任一器件单元区中,在半导体衬底上设置有被第一导电类型的本体区所间隔的第二导电类型的第一扩散区和...
一种半导体放电管及过电压保护装置制造方法及图纸
本实用新型实施例公开了一种半导体放电管及过电压保护装置。其中,半导体放电管包括:半导体衬底、多个导电块和两个电极,在半导体衬底的任一器件单元区中,第一导电块与第一扩散区和第四扩散区电连接;第二导电块与第一扩散区和第五扩散区电连接;由第三...
晶圆片过溶液时防漂浮装置制造方法及图纸
本实用新型属于半导体技术领域,具体涉及一种晶圆片过溶液时防漂浮装置。该晶圆片过溶液时防漂浮装置包括提篮、花篮以及防浮件。提篮包括相连的主体部和安装部,安装部用于安装至机械手。花篮位于提篮的下方且与提篮可拆卸地连接,花篮具有用于容纳物体的...
一种镀镍装置制造方法及图纸
本实用新型提供了一种镀镍装置,所述的镀镍装置包括镀镍槽,镀镍槽内注入镀液;镀镍槽为双层结构,包括内壳和外壳,内壳与外壳之间形成空腔,内壳上遍布通孔,空腔内设置有加热模块;壳体外接循环管路,循环管路的入口端接入外壳底部并与空腔连通,循环管...
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