【技术实现步骤摘要】
本技术实施例涉及电子器件，尤其涉及一种芯片封装结构。
技术介绍
1、现有技术中芯片封装是将芯片的金属化表面与电极之间实现电连接，其中，电极可以采用框架结构，从而适应批量封装生产。目前芯片小尺寸封装，大多采用铜、铁镍4j42合金等框架作为封装电极，由于各厂商对芯片封装过程成本具有较高的要求，因此如何降低芯片封装的生产成本成为人们需要解决的问题。
技术实现思路
1、本技术提供一种芯片封装结构，利用铁基电极极大的降低生产耗材成本，并且一定程度上解决铁基物料在放电器件上的应用品质的问题。
2、第一方面，本技术实施例提供一种芯片封装结构，包括至少一个表面金属化的芯片，芯片的两侧设置有导电连接层，在其至少一侧设置有至少一个电极与所述导电连接层电连接，其中，所述电极为铁基电极，所述铁基电极为钢电极、铁电极或铁铬合金电极。
3、可选的，所述铁基电极的表面至少在与所述导电连接层接触位置设置有导电薄膜层，或，所述铁基电极的表面均设置有所述导电薄膜层。
4、可选的，所述导电薄膜层为单层或多层堆叠结构，其中，所述导电薄膜层包括金、银、铜、镍、锌、锡，钛和石墨烯膜层中的至少一种。
5、可选的，所述导电连接层为导电胶或焊接焊料。
6、可选的，所述芯片包括锗基芯片、硅基芯片、第三代半导体芯片、氧化锌压敏电阻芯片和电容芯片中的一种或多种。
7、可选的，所述铁基电极为不锈钢材料。
8、可选的，所述电极之间至少有一个连接线将多个所述电
9、本技术实施例提供的技术方案，待封装的芯片两侧金属化表面分别设置导电连接层，将电极与导电连接层焊接实现电连接，其中，电极选用铁基电极，基电极为钢电极、铁电极或铁铬合金电极，利用铁基电极极大的降低生产耗材成本，并且一定程度上解决铁基物料在放电器件上的应用品质的问题。
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1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括至少一个表面金属化的芯片，芯片的两侧设置有导电连接层，在其至少一侧设置有至少一个电极与所述导电连接层电连接，其中，所述电极为铁基电极，所述铁基电极为钢电极、铁电极或铁铬合金电极。
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述铁基电极的表面至少在与所述导电连接层接触位置设置有导电薄膜层，或，所述铁基电极的表面均设置有所述导电薄膜层。
3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述导电薄膜层为单层或多层堆叠结构，其中，所述导电薄膜层包括金、银、铜、镍、锌、锡，钛和石墨烯中膜层的至少一种。
4.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述导电连接层为导电胶或焊接焊料。
5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片包括锗基芯片、硅基芯片、第三代半导体芯片、氧化锌压敏电阻芯片和电容芯片中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述铁基电极为不锈钢材料。
7.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述电极之间至少
...【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括至少一个表面金属化的芯片，芯片的两侧设置有导电连接层，在其至少一侧设置有至少一个电极与所述导电连接层电连接，其中，所述电极为铁基电极，所述铁基电极为钢电极、铁电极或铁铬合金电极。
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述铁基电极的表面至少在与所述导电连接层接触位置设置有导电薄膜层，或，所述铁基电极的表面均设置有所述导电薄膜层。
3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述导电薄膜层为单层或多层堆叠结构，其中，所述导电薄膜层包括金、银、铜、镍、...
【专利技术属性】
技术研发人员：付猛，张取，
申请(专利权)人：马鞍山市槟城电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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