一种芯片封装结构及封装方法技术

本发明专利技术公开了芯片封装结构及封装方法。其中，芯片封装结构，包括至少一个表面金属化的芯片，芯片的两侧设置有导电连接层，在其至少一侧设置有至少一个电极与所述导电连接层电连接，其中，所述电极为铁基电极，所述铁基电极至少包括65％重量的铁元素。本发明专利技术提供一种芯片封装结构及封装方法，利用铁基电极极大的降低生产耗材成本，并且一定程度上解决铁基物料在放电器件上的应用品质的问题。在放电器件上的应用品质的问题。在放电器件上的应用品质的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片封装结构及封装方法


[0001]本专利技术实施例涉及电子器件
，尤其涉及一种芯片封装结构及封装方法。

技术介绍

[0002]现有技术中芯片封装是将芯片的金属化表面与电极之间实现电连接，其中，电极可以采用框架结构，从而适应批量封装生产。目前芯片小尺寸封装，大多采用铜、铁镍4J42合金等框架作为封装电极，由于各厂商对芯片封装过程成本具有较高的要求，因此如何降低芯片封装的生产成本成为人们需要解决的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种芯片封装结构及封装方法，利用铁基电极极大的降低生产耗材成本，并且一定程度上解决铁基物料在放电器件上的应用品质的问题。
[0004]第一方面，本专利技术实施例提供一种芯片封装结构，包括至少一个表面金属化的芯片，芯片的两侧设置有导电连接层，在其至少一侧设置有至少一个电极与所述导电连接层电连接，其中，所述电极为铁基电极，所述铁基电极至少包括65％重量的铁元素。
[0005]可选的，所述铁基电极的表面至少在与所述导电连接层接触位置设置有导电薄膜层，或，所述铁基电极的表面均设置有所述导电薄膜层。
[0006]可选的，所述导电薄膜层为单层或多层堆叠结构，其中，所述导电薄膜层包括金、银、铜、镍、锌、锡，钛和石墨烯膜层中的至少一种。
[0007]可选的，所述导电连接层为导电胶或焊接焊料。
[0008]可选的，所述芯片包括锗基芯片、硅基芯片、第三代半导体芯片、氧化锌压敏电阻芯片和电容芯片中的一种或多种。
[0009]可选的，所述铁基电极成份包含大于或等于90％重量的铁元素，小于或等于3％重量的碳元素。
[0010]可选的，所述铁基电极成份包含大于或等于65％重量的铁元素，13％
‑
22％重量的铬元素，1
‑
10％重量的锰元素，2
‑
16％重量的镍元素。
[0011]可选的，所述铁基电极成份包含大于或等于75％重量的铁元素，10％
‑
20％重量的铬元素，小于或等于2％重量的硅元素，小于或等于2％重量的锰元素，小于或等于2％重量的镍元素。
[0012]可选的，所述铁基电极包含大于或等于65％重量的铁元素，10％
‑
33％重量的铬元素，小于或等于2％重量的硅元素，小于或等于2％重量的锰元素，小于或等于2％重量的镍元素。
[0013]可选的，所述电极之间至少有一个连接线将多个所述电极连接起来，形成具有多个所述电极的电极框架。
[0014]第二方面，本专利技术实施例提供一种芯片封装方法，包括：
[0015]获取至少一个表面金属化的芯片，并在所述芯片金属化的表面设置导电连接层；
[0016]获取至少一个电极，其中，所述电极为铁基电极，所述铁基电极至少包括65％重量的铁元素；
[0017]将所述电极与所述导电连接层电连接。
[0018]可选的，在获取至少一个电极之后，还包括：
[0019]在所述电极的表面至少在与所述导电连接层接触位置设置导电薄膜层，或，在所述铁基电极的表面均设置所述导电薄膜层。
[0020]可选的，通过电镀、气相沉积或磁控溅射的方法形成所述导电薄膜层。
[0021]本专利技术实施例提供的技术方案，待封装的芯片两侧金属化表面分别设置导电连接层，将电极与导电连接层焊接实现电连接，其中，电极选用铁基电极，铁基电极为至少包括65％重量的铁元素，利用铁基电极极大的降低生产耗材成本，并且一定程度上解决铁基物料在放电器件上的应用品质的问题。
附图说明
[0022]图1为本专利技术实施例提供一种芯片封装结构的结构示意图；
[0023]图2为本专利技术实施例提供又一种芯片封装结构的结构示意图；
[0024]图3为本专利技术实施例提供又一种芯片封装结构的结构示意图；
[0025]图4为本专利技术实施例提供一种芯片封装方法的流程示意图；
[0026]图5为本专利技术实施例提供又一种芯片封装方法的流程示意图。
具体实施方式
[0027]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0028]现有技术中电极通常采用无氧铜以及铁镍4J42合金等框架作为封装电极，由于新能源领域对铜和镍的大量需求，导致铜和镍的价格持续上涨，这给电子器件的成本带来较大的上涨。铁基电极具有成本优势，但在封装过程中，铁基材料应用中还存在散热差，热导率差等问题，从而影响整体的产品封装品质。
[0029]有鉴于此，图1为本专利技术实施例提供一种芯片封装结构的结构示意图，参见图1，包括至少一个表面金属化的芯片110，芯片110的两侧设置有导电连接层120，在其至少一侧设置有至少一个电极与导电连接层120接触电连接，其中，电极为铁基电极130，铁基电极130至少包括65％重量的铁元素。
[0030]具体的，芯片110的两侧表面上为金属化表面，并在金属化表面上均设置导电连接层120，导电连接层120用于增强电极与金属化表面之间的导电性。将电极与导电连接层120焊接连接，其中，电极采用铁基电极130，铁基电极130为至少包括65％重量的铁元素的铁基材料。示例性的，本专利技术实施例附图中，在芯片110的两侧均设置铁基电极130，铁基电极130与导电连接层120接触焊接，实现电连接。示例性的，电极与电极之间可以设置至少一个连接线，从而将多个电极连接起来，形成具有多个电极的电极框架，便于批量生产，减少单个材料的组装带来的成本高的问题，需要说明的是，本专利技术实施例封装的芯片110以二极管为
例，但并不做具体的限制，示例性的，封装的芯片110可以为硅基芯片110、锗基芯片110、氧化锌压敏电阻、电容或第三代半导体金属化芯片110等。
[0031]由于铁基电极130制作工艺成熟，铁含量高降低了电极的材料使用成本，从而在批量化生产电子器件时，也极大的降低了生产成本。并且由于包括65％重量的铁元素的铁基材料形变应力小的特点，从而在封装过程中，降低电极上的应力将芯片110金属化表面拉裂的概率，从而在降低电极的成本同时，一定程度上解决铁基物料在封装过程上的应用品质问题。
[0032]本专利技术实施例提供的技术方案，待封装的芯片两侧金属化表面分别设置导电连接层，将电极与导电连接层焊接实现电连接，其中，电极选用铁基电极，铁基电极为至少包括65％重量的铁元素，利用铁基电极极大的降低生产耗材成本，并且一定程度上解决铁基物料在放电器件上的应用品质的问题。
[0033]图2为本专利技术实施例提供又一种芯片封装结构的结构示意图，参见图2，可选的，铁基电极130的表面至少在与导电连接层120接触位置设置有导电薄膜层140。
[0034]具体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括至少一个表面金属化的芯片，芯片的两侧设置有导电连接层，在其至少一侧设置有至少一个电极与所述导电连接层电连接，其中，所述电极为铁基电极，所述铁基电极至少包括65％重量的铁元素。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述铁基电极的表面至少在与所述导电连接层接触位置设置有导电薄膜层，或，所述铁基电极的表面均设置有所述导电薄膜层。3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述导电薄膜层为单层或多层堆叠结构，其中，所述导电薄膜层包括金、银、铜、镍、锌、锡，钛和石墨烯膜层中的至少一种。4.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述导电连接层为导电胶或焊接焊料。5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片包括锗基芯片、硅基芯片、第三代半导体芯片、氧化锌压敏电阻芯片和电容芯片中的一种或多种。6.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述铁基电极成份包含大于或等于90％重量的铁元素，小于或等于3％重量的碳元素。7.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述铁基电极成份包含大于或等于65％重量的铁元素，13％
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22％重量的铬元素，1
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10％重量的锰元素，2
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16％重量的镍元素。8...

【专利技术属性】
技术研发人员：付猛，张取，
申请(专利权)人：马鞍山市槟城电子有限公司，
类型：发明
国别省市：