一种抗干扰的氮化镓DFN5X6-8L封装框架制造技术

本实用新型专利技术提供了一种抗干扰的氮化镓DFN5X6

【技术实现步骤摘要】
一种抗干扰的氮化镓DFN5X6
‑
8L封装框架


[0001]技术属于集成电路
，尤其是涉及一种抗干扰的氮化镓DFN5X6
‑
8L封装框架。

技术介绍

[0002]芯片框架是集成电路芯片的载体，起到芯片和外部电路之间的桥梁作用，同时兼顾将芯片工作中产生的热量导出的作用，对于氮化镓产品，其输入端电信号变化较快，由于电流磁场等因素影响，信号之间容易产生干扰，在使用中造成了电路信号的误判，影响了电子产品的可靠性和使用安全。在氮化镓产品需要频繁的开关时，高频下的dV/dt可能会导致振铃波或者其他形式的干扰，并将不需要的高频注入到它们所驱动的电路中。而对于较小的封装产品而言，由于其内部所用的铜料等较少，导致内部的芯片散热效率降低，而温度对电子产品的影响较大，产品在高温环境中工作会降低产品性能。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本技术旨在提出一种抗干扰的氮化镓DFN5X6
‑
8L封装框架，以降低产品内的信号干扰，提高产品散热能力。
[0004]为达到上述目的，本技术的技术方案是这样实现的：
[0005]一种抗干扰的氮化镓DFN5X6
‑
8L封装框架，包括基岛，其周侧分别设有漏极管脚、源极管脚、开尔文源极管脚和栅极管脚，所述基岛一侧边缘向外延伸出散热部，且所述散热部上开有多个锁胶孔，所述漏极管脚有多个，且漏极管脚均与一个散热片连接，且每相邻的两个漏极管脚之间留有锁胶间隙。
[0006]进一步的，所述基岛两侧分别向外延伸出多个第一连接筋。
[0007]进一步的，每相邻的两个第一连接筋之间留有锁胶空间。
[0008]进一步的，所述漏极管脚、源极管脚、开尔文源极管脚和栅极管脚的外端两侧设有倒角，使得管脚外端形成薄弱部。
[0009]进一步的，所述源极内端通过连接部与基岛连接，所述连接部上开有锁胶孔。
[0010]进一步的，所述散热部上的锁胶孔分为第一锁胶孔和第二锁胶孔，且第一所锁胶孔和第二锁胶孔的形状不同，且第一锁胶孔有多个，第二锁胶孔置于散热部的边角处。
[0011]进一步的，所述散热片两端分别向外延伸出第二连接筋。
[0012]进一步的，所述第二连接筋置于散热片远离漏极管脚的一侧。
[0013]进一步的，所述漏极管脚、源极管脚、开尔文源极管脚、栅极管脚以及基岛的外侧表面设有导电镀层。
[0014]相对于现有技术，本技术所述的一种抗干扰的氮化镓DFN5X6
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8L封装框架具有以下优势：
[0015]本技术采用增加开尔文源极管脚的方式，使得芯片能利用一个源极管脚单独引出一条源极回路，使得开关信号与导通电流分开处理，降低芯片受到的信号干扰，在基岛
一侧设置散热部的方式，增加基岛面积，提高芯片固定部件与外界的接触面积，从而提高芯片部分的散热效率，同时在漏极通过散热片的方式，提高漏极管脚处的散热效率；
[0016]采用在散热部上开设锁胶孔的方式，防止由于基岛与散热部整体面积过大导致的产品封装之后出现分层等不良现象。
附图说明
[0017]构成本技术的一部分的附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：
[0018]图1为框架生产中分布示意图；
[0019]图2为图1中A处放大示意图；
[0020]图3为框架结构示意图；
[0021]图4为电镀层分布结构示意图。
[0022]附图标记说明：
[0023]1‑
基岛；11
‑
散热部；12
‑
芯片固定部；13
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第一锁胶孔；14
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第二锁胶孔；15
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第一连接筋；16
‑
锁胶空间；17
‑
连接部；2
‑
漏极管脚；21
‑
散热片；22
‑
锁胶间隙；23
‑
薄弱部；3
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源极管脚；4
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开尔文源极管脚；5
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栅极管脚；6
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基础框；7
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固定条；8
‑
电镀层。
具体实施方式
[0024]需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0025]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0026]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0027]下面将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。
[0028]本技术所述的抗干扰的氮化镓DFN5X6
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8L封装框架，包括基岛1，其周侧分别设有漏极管脚2、源极管脚3、开尔文源极管脚4和栅极管脚5，本领域技术人员可以根据需要设置每个管脚的个数，在本实施例中，所述漏极管脚2设有多个，源极管脚3设有两个，且为了便于使用，所述漏极管脚2均置于基岛1一侧，源极管脚3、栅极管脚5和开尔文源极管脚4
置于基岛1另一侧，在本实施例中，开尔文极管脚是保障氮化镓半导体抗干扰封装结构得以实现的基础，利用开尔文极管脚的框架设计，使得连接芯片的控制回路与外部电路连接，从而避免控制回路中的高频次开关电流对芯片功率回路中的电流造成影响，提高芯片的抗干扰能力。所述芯片固设于基岛1上，基岛1一侧边缘向外延伸出散热部11，以提高散热面积，便于芯片产生的热量快速散出，为了避免由于基岛1和散热部11的面积过道导致的封装后上下层的封装介质结合不牢靠，导致产品松散分层，在所述散热部11上开有多个锁胶孔，所述漏极管脚2有多个，且漏极管脚2均与一个散热片21连接，且每相邻的两个漏极管脚2之间留有锁胶间隙22，为了便于分辨框架方向，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗干扰的氮化镓DFN5X6
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8L封装框架，其特征在于：包括基岛，其周侧分别设有漏极管脚、源极管脚、开尔文源极管脚和栅极管脚，所述基岛一侧边缘向外延伸出散热部，且所述散热部上开有多个锁胶孔，所述漏极管脚有多个，且漏极管脚均与一个散热片连接，且每相邻的两个漏极管脚之间留有锁胶间隙。2.根据权利要求1所述的一种抗干扰的氮化镓DFN5X6
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8L封装框架，其特征在于：所述基岛两侧分别向外延伸出多个第一连接筋。3.根据权利要求1所述的一种抗干扰的氮化镓DFN5X6
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8L封装框架，其特征在于：每相邻的两个第一连接筋之间留有锁胶空间。4.根据权利要求1所述的一种抗干扰的氮化镓DFN5X6
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8L封装框架，其特征在于：所述漏极管脚、源极管脚、开尔文源极管脚和栅极管脚的外端两侧设有倒角，使得管脚外端形成薄弱部。5.根据权利要求1所述的一种抗干扰的氮化镓DFN5X...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜旭波，程海鹏，
申请(专利权)人：中科华艺天津科技有限公司，
类型：新型
国别省市：